Аннотация:В данной дипломной работе была, в основном, решена задача создания экспериментальной базы для формирования и исследования характеристик планарных молекулярных транзисторов. В ходе этой работы были получены следующие основные результаты:
1) Разработана технология изготовления тонкопленочных заготовок для проведения процесса электормиграции с применением двухслойной полимерной маски.
2) Определены оптимальные параметры всех процессов технологического маршрута, обеспечивающие необходимые свойства заготовок: малую ширину (менее 200 нм ) тонкопленочных мостиков и достаточное нависание (30 - 50 нм) верхнего слоя резиста.
3) Спроектирован и изготовлен измерительный зонд для проведения процесса электромиграции.
4) Разработан метод получения гладкой (с неровностью ~ 0.2 нм на площадках с характерными размерами до 50 - 100 нм) поверхности золотых пленок, пригодных для визуализации и контроля результатов проведения процесса самосборки молекулярных объектов на поверхности, основанный на аккуратном отжиге пленки в пламени газовой горелки.