Аннотация:В данной работе изучен метод формирования зазора между металлическими тонкоплёночными электродами с использованием электромиграции атомов металла и изготовление этим методом нанозазоров в электродах из тонких плёнок золота.
При этом получены следующие результаты.
1. Отработана технология изготовления заготовок наноэлектродов с выходом годных ~20%, включая разработку специальной топологии электродов с толщиной плёнки 4 нм и шириной 200 нм для проведения процесса электромиграции
2. Сконструирована и изготовлена измерительная установка позволяющая:
- проведение электромиграции на уровне токов до 25 мА и напряжений до 10 В
- измерение ВАХ образцов с сопротивлением до 30 ТОм
3. Разработана методика проведения процесса электромиграции атомов металла, с помощью которой созданы зазоры суб-5 нм диапазона с выходом годных 20% из предварительно созданных перемычек.
1. Измерены ВАХ характеристики изготовленных зазоров. Сравнение этих характеристик с полученными при помощи модели Симмонса электрическими характеристиками туннельных переходов позволило предположить туннельный характер проводимости полученных суб-5 нм зазоров и оценить ширину зазора примерно равной 2 нм.