Организация, в которой проходила защита:
Удмуртский Государственный Университет
Год защиты:2023
Аннотация:Система тонких пленок Co/Cr используется в качестве ферромагнитного материала при производстве жестких магнитных дисков с высокоплотной записью информации. Граница раздела слоев является основным фактором, определяющим магнитные свойства системы [5] — [6]. Шероховатость поверхности удобно анализировать с помощью методов электронной и атомно-силовой микроскопии. А для исследования элементной однородности по глубине обычно используются спектроскопические методы с применением профилирования поверхности ионами инертных газов, например, метод оже ─ электронной спектроскопии. Доказано, что использование потока ионов может влиять на исследуемую поверхность: в [7] показано, что облучение ионами Ar+ с энергией, меньшей порогового значения энергии распыления, приводит к существенному уменьшению шероховатости поверхности кобальта. В ряде работ показано, что травление аргоном может приводить к артефактам, наблюдаемым в регистрируемых спектрах [8] — [13]. Проблемы возникают не только при использовании потока частиц, но и при распылении кластерами ионов [14] — [15]. Так как речь идет о пленках наноразмера, важную роль играет травление ионами инертных газов. Существуют справочники, которые содержат информацию о скоростях травления для различных веществ, включая металлы и их соединения [16]. Эти результаты были получены при исследовании объемных веществ, толщиной более 100 нм, и в геометрии падения ионного пучка под углом 90° к мишени. Известно, что тонкая пленка и объемный объект одного вещества могут иметь различия в структуре [1] — [2]. Соответственно и скорости распыления могут отличаться, т.к. процессы распыления происходят по-разному. Остро стоит проблема корректного определения скорости распыления тонких металлических пленок.
Таким образом, целью настоящей работы было исследование элементного состава многослойной системы C/Co/Cr методом оже-электронной спектроскопии с использованием профилирования потоком ионов аргона и определение скорости распыления слоев исследуемой системы.