Аннотация:Цель данного исследования: продемонстрировать, что работоспособные схемы безындуктивной логики и памяти (как традиционные, так и нейроморфные) могут быть сконструированы на основе комбинаций из 0- и π-контактов (гетероструктур с ферромагнитным слоем в области слабой связи, характерной особенностью которых является сдвиг на π его ток-фазовой зависимости), обеспечивающих бистабильность базового блока, необходимую для работы этой логики. Отметим, что технология изготовления 0- и π-контактов в настоящее время достаточно хорошо отработана.