Аннотация:Исследовано влияние глубокого электронного облучения (T=300 K, E=6 МэВ, Ф<3*1017 см-2) на электрофизические и фотоэлектрические свойства монокристаллов PbTe, легированных галлием, и нелегированных сплавов Pb1-xSnxTe (x=0.2). В слабо легированных образцах p-типа обнаружены переход в диэлектрическое состояние и p-n-конверсия при облучении, а также аномалии, связанные с возникновением поверхностной проводимости p-типа. Во всех облученных образцах в области низких температур (T<70 K) обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, определены критические температуры появления фотопроводимости и характерные времена жизни неравновесных носителей заряда, а также характер их изменения при электронном облучении.