Аннотация: Данная работа является продолжением ведущихся в ОФАЯ НИИЯФ МГУ исследований влияния режимов осаждения магнитных тонкослойных структур, последующей термомагнитной обработки, порядка осаждения слоев и их толщин на магнитные характеристики структуры, прежде всего, на величину обменного смещения. В ходе выполнения дипломной работы для формирования тонкопленочных структур использовался метод магнетронного распыления. Для количественного исследования параметров морфологии поверхности выращенных пленок использовались методы атомно-силовой микроскопии. Исследование магнитной однонаправленной и одноосной анизотропии производилось методом угловой зависимости поля ферромагнитного резонанса.
Получены зависимости поля обменного смещения и одноосной анизотропии от толщины антиферромагнетика, исследовано влияние термомагнитной обработки на магнитные свойства структуры NiFe/IrMn, а также проанализирована корреляция величины обменного смещения и шероховатости границы раздела.
В работе использовались последовательно оба способа инициации явления, а именно напыление в присутствии магнитного поля 420 Э и охлаждение в магнитном поле 1200 Э. Перед исследованием стоял вопрос изучения деградации обменного смещения и других необратимых процессов, когда система выдерживается при высоких температурах (выше или равной температуре блокировки), которые могут ограничивать практические применения структур с ОС.