|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Формирование наноструктур при ионной имплантации в диоксид кремниядипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Черныш В.С.
- Автор: Головенков П.В.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2013
- Аннотация: Для проведения экспериментов был введен в эксплуатацию источник твердотельный источник ионов и найдены оптимальные параметры его работы. Проведена ионная имплантация ионов Te в матрицу диоксида кремния. Показано, что ионное облучение и отжиг не влияют на рельеф поверхности. Показано, что при концентрации Te от 0,01% до l % фотолюминисценции не наблюдается. Вероятнее всего это обусловлено не верно выбранными параметрами высокотемпературного отжига.
- Добавил в систему: Черныш Владимир Савельевич