|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Спектры и эффективность излучения квантово-размерных гетероструктур (In,Ga)AsP, полученных методом металло-органической эпитаксии. дипломная работа (Бакалавр)
- Научные руководители: Юнович А.Э., Мармалюк А.А.
- Автор: Карпов Илья Геннадьевич
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова, кафедра полупроводников физического факультета МГУ
- Год защиты: 2015
- Аннотация: Рассмотрены свойства квантово-размерных гетероструктур (In,Ga)AsP, которые используются при создании лазеров и фотоприемников, работающих в ближней инфракрасной области, на длинах волн 1.5 – 1.6 мкм. Описаны методы выращивания структур металло - органической эпитаксией. В рамках простой модели рассчитаны уровни квантования в этих структурах. На основе расчетов проведен анализ спектров фотолюминесценции гетероструктур (In,Ga)AsP, выращенных в НИИ "Полюс".
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович