|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Спектры электролюминесценции светодиодов синего и белого свечения на основе гетероструктур типа AlGaN/InGaN/GaN и их сопоставление с моделью излучательной рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaNдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Чуяс Алексей Викторович
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова, кафедра полупроводников физического факультета
- Год защиты: 2006
- Аннотация: Проведено исследование спектров излучения светодиодов, в которых технологи варьировали условия выращивания многослойных гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, их состав, легирование примесями, размеры слоев. Проведено сравнение промышленных светодиодов американской фирмы «LumiLeds» со светодиодами отечественной, переданные в лабораторию кафедры московской фирмой «Кавер Лайт». Модель рекомбинации в двумерных структурах, учитывающая флуктуации потенциала применена для моделирования спектры сложных гетероструктур с модулировано-легированными множественными квантовыми ямами типа AlGaN/InGaN/GaN. Показано, какие параметры модели однозначно определяются при аппроксимации. Сделан анализ соответствия или различия параметров, описывающих спектры образцов, разработанных в лаборатории «Светлана-Оптоэлектроника», и образцов фирмы «LumiLeds».
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович