|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Выращивание и исследование новых лазерных кристаллов двойных молибдатов и вольфраматовдипломная работа (Специалист)
- Научные руководители: Субботин К.А., Жариков Е.В.
- Автор: Колосова М.Б.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: ФГБОУ ВО «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева»
- Год защиты: 2006
- Аннотация: В рамках диплома разработана технология выращивания монокристаллов шеелитоподобных двойных молибдатов и вольфраматов лазерного качества методом Чохральского и выращены монокристаллы следующих составов: - NaGd(WO4)2 (NGW) с различными концентрациями ионов Tm; - NaGd(MoO4)2 (NGM) с различными концентрациями ионов Yb; - NaLa(MoO4)2 (NLM) с различными концентрациями ионов Yb. Измерены фактические концентрации ионов активаторов, и рассчитаны коэффициенты их распределения ионов в кристаллах, составившие: 0,7 для Tm3+ в кристалле NGW, 0,6 для Yb3+ в кристалле NGM и 0,5 для Yb3+ в кристалле NLM. Проведен комплекс спектрально-люминесцентных исследований кристаллов. Измерены поляризованные спектры оптического поглощения и люминесценции РЗИ-активаторов в кристаллах. Установлено, что пиковое сечение поглощения в кристалле NGW:Tm на переходе 3Н6→3Н4 составляет 3.4*10-20 см2, а на переходе около 1,7*10-20 см ; пиковое сечение люминесценции кристалла NGW:Tm на переходе 3F4→ 3Н6 оказались равными 1.8*10-20 см . Пиковые сечения люминесценции ионов Yb3+ оказались: для кристалла Yb:NLM - 2,9*10-20 см2, для кристалла Yb:NGM 2,7*10-20 см2. Получены в рамках работы для ионов Tm3+ и Yb3+ значения радиационного времени жизни в исследованных кристаллах составляют 180 и 280 мкс соответственно. Это указывает на достаточно высокую разрешенность перехода 3F43Н6 в кристалле NGW и перехода 3F43Н6 в кристаллах NLM и NGM в сравнении со многими другими изученными к настоящему времени матрицами. Максимальное значение эффективности процесса кросс-релаксации, 87% получено для кристалла NGW:Tm с концентрацией тулия 5.14 ат%. При этом процесс кросс-релаксационного взаимодействия (3H4→3F4, 3H6→3F4) приводит к увеличению населенности верхнего лазерного уровня 3F4 и квантовая эффективность заселения верхнего лазерного уровня 3F4 близка к 2. Впервые получена лазерная генерация в области 1.9–1.96 мкм на электронном переходе 3Н6–3Н4 в кристаллах NGW с концентрацией тулия 5.1 ат% Tm3+.
- Добавил в систему: Субботин Кирилл Анатольевич