Аннотация:Целью курсовой работы является исследование возможности допирования соединения Cs2SnI6 для повышения его дырочной проводимости. В качестве допирующей добавки был выбран индий, как элемент, близкий по ионному радиусу и электроотрицательности иону Sn4+. Предположительно, In3+ будет гетеровалентно замещать Sn4+. Для соблюдения стехиометрии составов синтез образцов был выполнен твердофазным ампульным методом.