|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Моделирование процессов в наноструктурахкурсовая работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Терентьев Е.Н.
- Автор: Смирнова Валерия Валерьевна
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Кафедра: Кафедра математического моделирования и информатики
- Год защиты: 2019
- Курс: 2
- Аннотация: В работе моделируется процесс движения электрона через различные потенциальные барьеры при заданных значениях потенциальной энергии. При моделировании процесса использовалось уравнение Шредингера для случаев с постоянной потенциальной энергией. Практическое применение результатов состоит в возможности оценить применимость того или иного материала для создания сенсоров и других полупроводниковых элементов, не прибегая к экспериментам, то есть затрате ресурсов, а также к вычислениям вручную.
- Добавил в систему: Терентьев Евгений Николаевич