«Изучение валентного состояния и кристаллического окружения в дихалькогенидах платины с помощью рентгеновской спектроскопии поглощения (XAS)»курсовая работа (Бакалавр)
Аннотация:Одним из важнейших ресурсов для науки, техники и промышленности является платина. В природе Pt встречается как в самородном виде и в виде собственных минералов (соединения с халькогенами, интерметаллиды), так и в качестве примеси в других минералах (в пирите, пирротине, и т.д).
Дихалькогениды платины очень актуальны для изучения зарядового состояния платины методами XAS в смешанных дихалькогенидах, как удобной модельной систем. Система удобна, так как были получены интересные, хорошо сходящиеся между собой данные по зарядовому состоянию платины в бинарных фазах PtO2, PtS2, PtSe2, PtTe2.
Данные халькогениды платины являются отличными потенциальными кандидатами для оптоэлектронных устройств благодаря их уникальным свойствам, таким как высокая подвижность носителей, настраиваемая запрещенная зона, стабильность и гибкость. Для синтеза мы взяли следующее соотношение халькогенидов : Pt(Se0.3S0.7)2, Pt(Se0.7S0.3)2, Pt(Se0.3Te0.7)2, Pt(Se0.7Te0.3)2, Pt(S0.3Te0.7)2, Pt(S0.7Te0.3)2, Pt(Se0.33S0.33Te0.33)2.
Спектроскопия рентгеновского поглощения является одним из методов изучения структуры материалов, основанным на применении синхротронного излучения.
Метод позволяет определять физические и химические свойства материала на наноуровне. XAFS позволяет определить локальную атомную и электронную структуру вокруг поглощающего атома.
В связи с вышесказанным, целью настоящей работы является синтез и исследование состава дихалькогенидов платины рентгеновской спектроскопии поглощения (XAS).
Для достижения цели были поставлены следующие задачи:
1. Анализ литературы о дихалькогенидах.
2. Обзор аналитических методов анализа твердых веществ.
3. Изучение метода рентгеновской спектроскопии поглощения XAS.
4. Расчет стартовых веществ (прекурсоров).
5. Синтез дихалькогенидов платины
6. Анализ образцов методом РСМА
7. Построение фазовой диаграммы
8. Повторный синтез на основание полученной фазовой диаграммы