Влияние кристаллографической ориентации на сдвиг фотонной запрещённой зоны фотонных кристаллов на основе анодного оксида алюминия, полученного анодированием в 0,3 М H2C2O4курсовая работа (Специалист)
Аннотация:Анодный оксид алюминия (АОА) – перспективный наноматериал, широко применяемый для изготовления декоративных и защитных покрытий, темплатов для электроосаждения, газовых сенсоров.
Большой интерес для современной науки представляют фотонные кристаллы (ФК) – материалы, способные управлять светом за счёт наличия фотонной запрещённой зоны, не позволяющей распространятся свету определённой длины волны вглубь материала. В настоящее время ФК используются в фотонных устройствах: оптических датчиках и фильтрах, лазерах, фотонных метках, фотокатализаторах и оптических платформах для квантовых вычислений.
В конце прошлого века была продемонстрирована возможность изготовления двумерных ФК на основе АОА, а спустя несколько лет были получены одномерные ФК на основе АОА, путём анодирования при меняющимся напряжении. По сравнению с другими, метод изготовления ФК путём анодирования металлов проще и дешевле в реализации.
Однако, несмотря на простоту изготовления, покрытия на основе АОА обладают оптической неоднородностью. Было установлено, что одним из ключевых факторов, способствующих этому, является неоднородность алюминиевой подложки: шероховатость, размер и ориентация зёрен.
Целью данной работы является исследование влияния кристаллографической ориентации на сдвиг фотонной запрещённой зоны ФК на основе АОА, полученных анодированием в 0,3 М H2C2O4 при температуре 0 °С.
Работа выполнена на кафедрах электрохимии и неорганической химии с использованием Центра коллективного пользования Факультета наук о материалах МГУ.