Аннотация:La2Hf2O7 со структурой пирохлора представляет интерес для полупроводниковой промышленности благодаря высокой диэликтрической проницаемости. Его можно использовать в качестве термобарьерных и радиационно-стойких покрытий. Особый интерес он представляют в виде буферных слоев, использующихся в технологии производства высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) лент второго поколения [1]. Концепция ВТСП-лент второго поколения состоит в последовательном нанесении на металлическую ленту буферного слоя, затем сверхпроводящего слоя и поверх него – защитного. Суть этого подхода заключается в том, что буферный слой на металлической подложке должен обладать текстурой, которую наследует ВТСП, в результате чего кристаллиты последнего оказываются сориентированными.
В работе использовали альтернативный физическим метод химического осаждения из раствора (Chemical Solution Deposition, CSD). Он доказал свою эффективность в случае получения пирохлороструктурного La2Zr2O7 [2]. Сам синтез, как правило, включает в себя три этапа: выделение прекурсоров, нанесение их на текстурированную подложку и процесс отжига. Гафнат лантана, как и цирконат, имеют близкие кристаллографические параметры как к сверxпроводящей фазе YBa2Cu3O7+δ, так и к используемой никелевой подложке.
Целью настоящей работы было осаждение методом CSD высокоориентированных пленок гафната лантана La2Hf2O7 со структурой пирохлора на протяженных (до 1 м) двухосно-текстурированных лентах-подложках Ni-5%(ат.)W. Для достижения поставленной цели необходимо было решить ряд задач: изучить процессы, протекающие в растворах, при их нанесении на поверхность металлической ленты, при последующем высушивании и термолизе прекурсоров и, наконец, при образовании кристаллической оксидной фазы и ее текстурировании. В задачи входили получение и характеристика комплексных соединений гафния и лантана (методы элементного анализа, ИК спектроскопия, термогравиметрия). Их использовали при осаждении из раствора слоев La2Hf2O7, которые изучали методами рентгенофазового анализа, растровой электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа.