Аннотация:Приведено описание методов создания макроэлектродов наноэлектронных элементов атомарно-молекулярного масштаба, в процессе изготовления таких структур проведено исследование влияния времени проявления фоторезиста на качество электродов с целью найти оптимальное значение этого параметра процесса. Показано, что время проявления фоторезиста должно превышать 30 с (т.е. определено пороговое значение), а оптимальное значение лежит в диапазоне 40-45 с.