ИСТИНА

В работе экспериментально получены зависимости интенсивностей радиоизлучения, вызывающих необратимые отказы микросхем, от длительности СВЧ импульсов (в диапазоне длительностей 0,1…1000 мкс). Для микросхем памяти с высокой степенью интеграции уровни отказов оказались значительно меньше, чем для цифровых микросхем с низким уровнем интеграции элементов на кристалле. Особенно заметно отличие в области коротких импульсов. Проведенные исследования показали, что в диапазоне частот повторения импульсов F=0,1…10 Гц уровни интенсивности СВЧ излучения, вызывающие отказы микросхем, меняются слабо. С увеличение частоты повторения СВЧ импульсов F уровни интенсивности, необходимые для отказа микросхем, уменьшаются. Это характерно, в том числе при частотах повторения F< Fкр~1 кГц, где повреждение связано с накоплением дефектов, а не с накоплением тепла от импульса к импульсу СВЧ излучения.