|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Фотолюминесценция твердых растворов Pb1-xSnxTe, легированных различными примесями, при различных уровнях возбуждениядиссертация
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Айтикеева Токтобубу Джекшеновна
- Дата защиты: 27 сентября 1982 года
- Шифр диссертационного совета: К 053.05.20 при МГУ им. М.В. Ломоносова
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Область знаний: Физика и математика
- Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
- Тип диссертации: Кандидатская
- Ведущая организация: Ленинградский Политехнический Институт им. М.И.Калинина
- Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Оппоненты: Зарифьянц Ю.А., Сороко-Новицкий Н.В.
-
Аннотация:
Исследовано влияние легирования различными примесями (In, Ga, Cd, Zn, Bi, S) на фотолюминесценцию монокристаллов и эпитаксиальных пленок PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe (х<0.25) в широком интервале температур (20-270 K) при высоких уровнях возбуждения (до 200 кВт/см2). Спектры вынужденного излучения в узкозонном сильно вырожденном (Fn/Eg<0.6) Pb1-xSnxTe сравнены с теоретическими расчетами; показана необходимость учета температурной зависимости коэффициента потерь для объяснения высоких значений температурного коэффициента положения максимума спектра. Обнаруженная коротковолновая полоса в спектрах Pb1-xSnxTe объяснена распадом твердого раствора Pb1-xSnxTe при сильном легировании. Возрастание интенсивности фотолюминесценции при легировании S связано с улучшением структурного совершенства эпитаксиальных пленок.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович