ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследовано влияние примеси Zn на излучательную рекомбинацию в фосфиде галлия, сильно легированного азотом, GaP:N. Взаимодействие атомов Zn и N приводит к появлению широкоих спектральных полос люминесценции, обусловленных трехчастичными комплексами Zn - N2. Исследованы спектры излучения электронно-дырочных капель в GaP:N при высоких уровнях возбуждения, вплоть до Т порядка 200 К. Исследована зависимость спектров люминесценции GaAs1-xPx:N от температуры и уровня возбуждения.