ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследована излучательная рекомбинация в p-n- переходах в фосфиде индия, InP. Изучены спектры излучения в условиях, когда максимум спектра сдвигается в соответствии с прямым напряжением на p-n- переходе. Рассмотрена теория туннельной излучательной рекомбинации и показано, что экспериментально наблюдаемые спектры описываются этой теорией количественно. В вольтамперных характеристиках p-n- переходов выделены инжекционный и туннельный механизмы протеканя тока, учтено влияние горячих носителей тока.