ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследовано спонтанное и когерентное излучение в p-n- переходах из арсенида галлия, полученных диффузией бериллия, GaAs:Be. Показано, что Be ведет себя как мелкий акцептор. Вероятность излучательной рекомбинации в р-GaAs:Be велика, сравнима с вероятностью рекомбинации в р- GaAs:Zn. Определены параметры диффузии Be, необходимые для создания p-n- переходов. Исследованы их электрические свойства и люминесцентные свойства. Показана существенная роль туннельной рекомбинации при малых токах. Созданы инжекционные лазеры на основе p-n- переходов в GaAs:Be.