ИСТИНА

В диссертационной работе представлены результаты исследования структурных, оптических и фотоэлектрических свойств систем множественных полупроводниковых квантовых ям GaAs/AlGaAs и микрочастиц карбида кремния (SiC), полученных оригинальным способом синтеза – пиролизом органосилана C12H36Si6 при высоком давлении и в интервале высоких температур, а также создания на основе таких гетероструктур и микрочастиц гибридных фотодетекторов среднего ИК-диапазона. В данной работе впервые показана возможность увеличения взаимодействия электромагнитного поля падающей волны с электронной подсистемой структуры с множественными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs за счет использования ближнего поля фонон-поляритонного резонанса микрочастиц SiC, нанесенных на поверхность структуры. Используемый подход является оригинальной альтернативой уже известным методам создания сложных металлических или диэлектрических резонаторов. В ходе работы, в частности, путем численного моделирования было показано, что за счет взаимодействия электромагнитного поля с микронной частицей полярного кристалла SiC на поверхности структуры с множественными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в ее ближней зоне происходит поворот направления напряженности электрического поля. В результате этого появляется компонента электрического поля, направленная вдоль оси роста квантовых ям, и это приводит к тому, что ближнее поле микрочастицы SiC эффективно взаимодействует с верхними квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. Установлено, что использование микрочастиц SiC позволяет приблизительно в 2 раза увеличить чувствительность фотоприемного устройства на основе квантовых ям GaAs/AlGaAs к электромагнитному излучению. Полученные экспериментальные результаты закладывают основу для создания гибридных фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона, в которых реализована резонансная ближнепольная связь между локализованным фонон-поляритоном и электронной подсистемой полупроводниковых квантовых ям.