ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В работе в рамках единого кооперативного Дефектно-Деформационного (ДД) механизма проводится теоретическое рассмотрение двух физических процессов микро и наноструктурирования поверхности: образования макропор при травлении полупроводников и образования ансамбля наночастиц Ga при лазерно-контролируемом осаждении. Также в рамках ДД механизма в работе проведено описание двух других эффектов, наблюдаемых при лазерно-индуцированном структурировании поверхности: лазерно индуцированного образования одномерных и двумерных решеток рельефа поверхности при УФ импульсной лазерной абляции растянутых полимерных пленок и образования двумерных кристаллографически ориентированных решеток рельефа с периодами 30-100 мкм при облучении поверхности Si (100) импульсным лазерным излучением различной длительности в режиме до порога плавления