ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Диссертация посвящена исследованию электрических и фотоэлектрических свойств пленок органических и гибридных композиционных полупроводниковых материалов. Указанные свойства определяются распределением плотности локализованных электронных состояний. Для его исследования был применён метод, который позволяет определить характер и параметры этого распределения. Этот метод основан на комплексном анализе спектральных зависимостей коэффициента поглощения, полученных методом постоянного фототока, и температурной зависимости фотопроводимости. В работе было установлено, что распределение плотности состояний в фотопроводящих пленках неупорядоченных органических полупроводников описывается гауссовыми функциями. При этом хвосты плотности состояний в глубине запрещенной зоны могут подчиняться экспоненциальному распределению. Представленная в работе методика была применена для характеризации гибридного композиционного материала, представляющего собой нанопластинки CdSe, внедрённые в фотопроводящую полимерную матрицу. Данные, полученные в результате применения этого метода, позволили определить влияние внедрения указанных наночастиц на плотность распределения электронных состояний в исходном фотопроводящем полимере в составе пленки полученного двухфазного композиционного материала. В результате измерений электрических и фотоэлектрических свойств полученного композиционного материала было установлено, что внедрение нанопластинок в объем полимерной пленки приводит к увеличению фотопроводимости за счет разделения носителей заряда на границе раздела фаз и создания канала переноса носителей заряда по нанопластинкам. Вклад механизма переноса носителей заряда по нанопластинкам определяется концентрацией этих носителей и объемной долей неорганической фазы в композиционном материале в целом.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Полный текст диссертации | 2_-_Диссертация_-Саитов-2024-07-11.pdf | 4,1 МБ | 12 сентября 2024 |