ИСТИНА

Исследован циклотронный резонанс (ЦР) и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах Ge/GeSi и InAs/AlSb с квантовыми ямами. Использовались методы фурье-спектроскопии и магнитоспектроскопии с помощью ламп обратной волны. В структурах Ge/GeSi впервые обнаружены ЦР электронов и межподзонный ЦР дырок, выявлены два характерных времени релаксации сигнала магнитопоглощения, обнаружены переходы между состояниями мелких акцепторов и проведена идентификация этих переходов. В гетероструктурах InAs/AlSb детально исследовано явление остаточной фотопроводимости (ОФП). Обнаружено, что отрицательная ОФП связана с переносом заряда из квантовых ям InAs на глубокие уровни поверхностных доноров в покрывающем слое GaSb. Впервые исследованы спектры ЦР в легированных структурах InAs/AlSb, в сильных магнитных полях обнаружены линии ЦР в 1-й и 2-й подзонах размерного квантования. Полученные результаты могут быть использованы при создании электронных и оптоэлектронных приборов на основе квантоворазмерных гетероструктур Ge/GeSi и InAs/AlSb. Результаты диссертации использованы в ИФМ РАН и могут быть использованы в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, ФИАН, ИФТТ РАН, ИРЭ РАН, ИФМ УрО РАН, РФЯЦ – ВНИИЭФ, МПГУ, СПбГПУ.