Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Soviet Microelectronics
журнал
Индексирование: нет
Период активности журнала: не указан
Добавил в систему:
Куприянов Михаил Юрьевич
Статьи, опубликованные в журнале
1989
Effect of avalanche electron injection in the Si-SiO2 system on recombination of nonequilibrium charge carriers
Kozlov S.N.
, Potapov A.Yu
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 17, № 5, с. 262-266
1989
Flaw formation in an oxide layer on a silicon surface during ion implantation and laser irradiation
Kashkarov P.K.
, Kolesnikov A.V.,
Petrov A.V.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 17, № 6, с. 301-304
1989
High-frequency characteristics for bipolar heterotransistors with the base intervalley nonequilibrium-carrier redistribution
Zakharova A.A.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 18, № 2, с. 94-97
1989
Mechanism for the formation of a potential relief at the Si-SiO2 interface under irradiation with low-energy electrons
Kozlov S.N.
,
Shcheblykin Yu V.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 17, № 4, с. 186-192
1989
Radiation-stimulated generation of thermostable electrically active defects in SiO2
Kozlov S.N.
,
Shcheblykin Yu V.
,
Kausumov Yu N.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 17, № 6, с. 314-319
1989
Radiation-stimulated generation of thermostable electrically active defects in SiO2
Kozlov S.N.,
Shcheblykin Yu V.
, Kausumov Yu N.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 17, № 6, с. 314-319
1987
Some details of the characteristics of n-p-n double heterostructure bipolar-transistors under conditions of heating and cooling of the electrons and holes in the base
Zakharova A.A.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 16, № 2, с. 82-86
1986
Stationary properties of quasi-two-dimensional josephson weak links
Kupriyanov M.Yu
,
Lukichev V.F.
,
Orlikovskii A.A.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 15, № 4, с. 185-189
1985
Determination of superconductive film parameters in tunnel nsin-structures
Golubov A.A.
,
Kupryanov M.Yu
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 14, № 5, с. 213-216
1985
High-frequency characteristics of bipolar heterotransistors under conditions of coservative transport of hot electrons in the base
Zakharova A.A.
,
Ryzhii V.I.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 14, № 6, с. 269-272
1985
Preparation and properties of oxide-films on the surface of gap
Kashkarov P.K.
,
Obraztsov A.N.
, Sorokin I.N.,
Sosnovskikh Y.N.
,
Syagailo A.I.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 14, № 1, с. 27-30
1985
STRUCTURAL TRANSFORMATIONS IN SEMICONDUCTORS DURING OPTICAL-PUMPING
KOPAEV YV
,
MENYAILENKO VV
,
MOLOTKOV SN
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 14, № 2, с. 73-80
1983
A NONTHERMAL MECHANISM FOR LASER ANNEALING OF SEMICONDUCTORS AND FORMATION OF SUPERSTRUCTURES
KAPAEV VV
,
KOPAEV YV
,
MOLOTKOV SN
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 12, № 6, с. 255-266
1983
CRITICAL-TEMPERATURE OF A SN SANDWICH
GOLUBOV AA
,
KUPRIYANOV MY
,
LUKICHEV VF
,
ORLIKOVSKII AA
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 12, № 4, с. 191-197
1983
Influence of the proximity effect in the electrodes on the stationary properties of sn-n-ns variable-thickness bridges
Golubov A.A.
,
Kupriyanov M.Yu
,
Lukichev V.F.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 12, № 4, с. 180-191
1983
Methods for logical design and estimation of the circuit complexity for CMOS circuits
Lozhkin S.A.
,
Sapozenko A.A.
в журнале
Soviet Microelectronics
, том 12, № 1, с. 29-34