Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Modern Electronic Materials
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 2019 г.-), Список РИНЦ (1 января 2015 г.-), Журналы РФ в RSCI WoS (1 января 2015 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Сайт журнала:
https://moem.pensoft.net/
Издательство:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Местоположение издательства:
Москва
Добавил в систему:
Козлов Владимир Валентинович
ISSN:
2452-2449 (Print), 2452-1779 (Electronic)
Статьи, опубликованные в журнале
2022
Thermal conductivity of single crystals zirconia stabilized by scandium, yttrium, gadolinium, and ytterbium oxides
Agarkov Dmitrii A.
,
Borik Mikhail A.
, Korableva Galina M.,
Kulebyakin Aleksej V.
,
Lomonova Elena E.
,
Milovich Filipp O.
,
Myzina Valentina A.
,
Popov Pavel A.
,
Tabachkova Nataliya Yu
в журнале
Modern Electronic Materials
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 8, № 1, с. 1-6
2020
Mathematical modeling of thermal processes during "cassette" crystallization of chalcogenides
Prostomolotov A.I.
,
Verezub N.A.
в журнале
Modern Electronic Materials
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 6, № 1, с. 9-16
DOI
2020
Photonic and Terahertz applications as the next gallium arsenide market driver
Kulchitsky Nikolay A.
, Naumov Arkady V.,
Startsev Vadim V.
в журнале
Modern Electronic Materials
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 6, № 3, с. 77-84
2017
Influence of plastic formation parameters on structural characteristics of thermoelectric material during hot extrusion
Prostomolotov A.I.
,
Mezhennyi M.V.
,
Verezub N.A.
,
Lavrentev M.G.
,
Osvenskii V.B.
в журнале
Modern Electronic Materials
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 3, с. 148-153
DOI
2017
Separate determination of the photoelectric parameters of p+-n(p)-n+ silicon structure base region by noncontact method based on measurements of quantum efficiency relationships at two wavelengths
Koshelev O.G.
, Vasiljev N.G.
в журнале
Modern Electronic Materials
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 3, № 3, с. 127-130
DOI
2016
The Simulation of Carbon Material Structure Based on Polyacrylonitrile Obtained under IR Heating
Kozhitov L.V.
,
V'et N.Kh
,
Kostikova A.V.
,
Zaporotskova I.V.
,
Kozlov V.V.
в журнале
Modern Electronic Materials
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 2, № 1, с. 13-17