Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Microelectronics and Reliability
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Microelectronics Reliability
Издательство:
Elsevier BV
Местоположение издательства:
Netherlands
ISSN:
0026-2714 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
2017
Single Event Upset rate determination for 65 nm SRAM bit-cell in LEO radiation environments
Muhammad Sajid
,
Chechenin N.G.
,
Frank Sill Torres
,
Usman Ali Gulzari
,
Muhammad Usman Butt
,
Zhu Ming
,
Khan E.U.
в журнале
Microelectronics and Reliability
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 78, с. 11-16
DOI
2003
Onefold coordinated oxygen atom: An electron trap in the silicon oxide
Gritsenko V.A., Shaposhnikov A.V., Novikov Yu N., Baraban A.P., Wong H.,
Zhidomirov G.M.
, Roger M.
в журнале
Microelectronics and Reliability
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 43, № 4, с. 665-669
DOI
2000
The relentless march of the MOSFET gate oxide thickness to zero
Timp G.
,
Bude J.
,
Baumann F.
,
Bourdelle K.K.
,
Boone T.
,
Garno J.
,
Ghetti A.
,
Green M.
,
Gossmann H.
,
Kim Y.
,
Kleiman R.
,
Kornblit A.
,
Klemens F.
,
Moccio S.
,
Muller D.
,
Rosamilia J.
,
Silverman P.
,
Sorsch T.
,
Timp W.
,
Tennant D.
,
Tung R.
, Weir B.
в журнале
Microelectronics and Reliability
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 40, № 4-5, с. 557-562
DOI
1989
Universal decoding for random design of screening experiments
Dyachkov A.G.
,
Rashad A.M.
в журнале
Microelectronics and Reliability
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 29, № 6, с. 965-971