Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Scopus (1 января 1970 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
1998
Distinctive features of the far-infrared reflection spectra of the semimagnetic semiconductors Hg1-xMnxTe1-ySey
Belogorokhov A.I.
,
Kul’bachinski V.A.
,
Mar’yanchuk P.D.
,
Churilov I.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 5, с. 488-490
1998
Effect of selenium on the galvanomagnetic properties of the diluted magnetic semiconductor Hg1-xMnxTe1-ySey
Kulbachinskii V.A.
, Churilov I.A.,
Maryanchuk P.D.
,
Lunin R.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 1, с. 49-51
DOI
1998
Investigation of the photovoltage in por-Si/p-Si structures by the pulsed-photovoltage method
Timoshenko V.Y.
,
Konstantinova E.A.
,
Dittrich T.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 5, с. 549-554
DOI
1998
Ion implantation of porous gallium phosphide
Ushakov V.V., Dravin V.A., Mel'nik N.N., Zavaritskaya T.V., Loiko N.N.,
Karavanskii V.A.
,
Konstantinova E.A.
,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 8, с. 886-890
DOI
1998
Kinetics of the accumulation of radiation defects during the high-dose electron irradiation of Pb1-xSnxSe alloys
Skipetrov E.P.
,
Kovalev B.B.
,
Skipetrova L.A.
,
Zvereva E.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 12, с. 1257-1260
DOI
1998
Light absorption and photoluminescence of porous silicon
Obraztsov A.N.
, Karavanskii V.A., Okushi H., Watanabe I.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 8, с. 896-900
DOI
1998
Pressure-induced insulator-metal transition in electron-irradiated Pb1-xSnxSe (x <= 0.03) alloys
Skipetrov E.P.
,
Zvereva E.A.
,
Kovalev B.B.
,
Skipetrova L.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 6, с. 594-598
DOI
1998
Relaxation of light-induced metastable state of boron-doped p-type a-Si : H
Kazanskii A.G.
, Larina E.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 1, с. 105-108
DOI
1998
Relaxation of photoinduced metastable states in a-Si:H films deposited at high temperatures Kurova I
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Golikova O.A.
,
Kazanin M.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 10, с. 1134-1136
1998
Structure of DX-like centers in narrow-band IV-VI semiconductors doped with group-III elements
Ivanchik I.I.
,
Khokhlov D.R.
,
Belogorokhov A.I.
,
Popovic Z.
,
Romcevic N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 6, с. 608-612
DOI
1998
The effect of a strong electric field on the conductivity of a MnGaInS4 : Eu single crystal
Tagiev O.B.
,
Gashimova T.S.
,
Askerov I.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 6, с. 629-630
1997
Effect of electron irradiation on the electrical properties of n-type Pb1-xSnxTe (x similar or equal to 2) alloys
Skipetrov E.P.
, Nekrasova A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 3, с. 214-217
DOI
1997
Effect of illumination time on the annealing of optically created metastable defects in p-type a-Si:H
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 3, с. 287-289
DOI
1997
Effect of pulsed laser irradiation on the optical characteristics and photoconductivity of the solid solutions CdHgTe
Golovan L.A.
,
Kashkarov P.K.
,
Timoshenko V.Y.
,
Lakeenkov V.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 8, с. 793-796
DOI
1997
Electrical conductivity of polycrystalline SnO2(Cu) films and their sensitivity to hydrogen sulfide
Akimov B.A.
,
Albul A.V.
,
Gaskov A.M.
, Ilin V.Y.,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
,
Labeau M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 4, с. 335-339
DOI
1997
Electrothermal instabilities induced by a metastable electronic state in PbTe(Ga)
Akimov B.A.
,
Brandt N.B.
,
Albul A.V.
,
Ryabova L.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 2, с. 100-102
DOI
1997
Energy spectrum of n-type Pb1-xSnxTe (x=0.22) bombarded by neutrons
Skipetrov E.P.
, Nekrasova A.N., Ryazanov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 8, с. 872-874
DOI
1997
Light-induced processes in a-Si:H films at elevated temperatures
Kurova I.A.
,
Larina E.´.V
,
Ormont N.N.
,
and Senashenko D.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 12, с. 1257-1260
1997
On the relaxational characteristics and stability of a-Si:H films grown at high temperatures
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Golikova O.A.
,
Kudoyarova V.Kh
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 5, с. 452-454
1997
Photoacoustic spectroscopy of porous silicon
Obraztsov A.N.
,
Timoshenko V.Y.
,
Okushi H.
, Watanabe H.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 5, с. 534-536
DOI
1997
Properties of p-PbTe (Ga) based diode structures
Akimov B.A.
,
Bogdanov E.V.
,
Bogoyavlenskii V.A.
,
Ryabova L.I.
,
Shtanov V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 12, с. 1237-1240
1997
Radiation hardness of porous silicon
Ushakov V.V., Dravin V.A.,
Melnik N.N.
,
Karavanskii V.A.
,
Konstantinova E.A.
,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 9, с. 966-969
DOI
1997
Temperature dependence of the photoluminescence of porous silicon
Kashkarov P.K.
,
Konstantinova E.A.
, Petrova S.A.,
Timoshenko V.Y.
,
Yunovich A.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 6, с. 639-641
DOI
1997
Threshold effect of local pulsed laser irradiation on the surface state of oxide layers deposited on real germanium surfaces
Vintsents, SV; Dmitriev,
SG; Zakharov
,
RA; PLOTNIKOV GS
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 5, с. 433-434
1996
Characteristic features of the magnetoresistance of Pb1-xSnxTe(In) and Pb1-xMnxTe(In) alloys in ultrastrong magnetic fields
deVisser A.
,
Ivanchik I.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 8, с. 737-742
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>