|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ФГБУН УдмФИЦ УрО РАН, Физико-технический институт УдмФИЦ УрО РАН
Отдел физики и химии поверхностиподразделение
Работы, добавленные за последние 2 недели версия для печати
| 03 Авг | 2022 Characteristics of the growth and composition of AlxGa1-xN/AlN/Si heterostructures with the use of the buffer layer of porous silicon Lenshin A., Zolotukhin D., Beltyukov A., Seredin P., Mizerov A. |