ФГБУН УдмФИЦ УрО РАН, Физико-технический институт УдмФИЦ УрО РАН

Отдел физики и химии поверхностиподразделение

Работы, добавленные за последние 2 недели версия для печати

03 Авг 2022 Characteristics of the growth and composition of AlxGa1-xN/AlN/Si heterostructures with the use of the buffer layer of porous silicon Lenshin A., Zolotukhin D., Beltyukov A., Seredin P., Mizerov A.
Перейти на страницу подразделения