ИСТИНА

Изобретение относится к области лазерной обработки материалов и касается способа формирования дефектов в объеме и на поверхности диэлектрика. Способ включает генерацию фемтосекундных лазерных импульсов в коротковолновом и длинноволновом диапазонах, определение пороговых энергий для каждого излучения, сведение двух сфокусированных импульсов, определение временной задержки длинноволнового импульса, воздействие на образец лазерными импульсами с найденными параметрами, контроль процесса создания дефектов. Сведение двух сфокусированных импульсов на первом этапе осуществляют посредством визуализации областей фотолюминесценции плазмы от обоих импульсов, а временную задержку между импульсами определяют по минимальному значению нелинейного пропускания длинноволнового импульса. На втором этапе сведение осуществляют путем регистрации максимального сигнала третьей гармоники от длинноволнового импульса. Контроль параметров дефектов осуществляют путем регистрации сигнала несинхронной третьей гармоники от длинноволнового импульса, генерирующегося на образованных дефектах.