|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Cпособ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Pb(1-х)Sn(x)Seпатент
- Авторы: Пашаев А.М., Алиев В.А., Даварашвили О.И., Енукашвили М.И., Зломанов В.П.
- Номер: 009720
- Дата публикации патента: 28 февраля 2008 г.
-
Реферат (описание изобретения):
Cпособ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Pb(1-х)Sn(x)Se.
- Добавил в систему: Зломанов Владимир Павлович