|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
A method of growing KDP-type single crystals / with heating of the solution at 75-80 degrees C for 1-3 daysпатент
- Авторы: Zaitseva N.P., Ponomarev G.Yu, Rashkovich L.N.
- Номер: SU 1619750-A1
- Дата публикации патента: 8 сентября 1990 г.
- Добавил в систему: Рашкович Леонид Николаевич