ИСТИНА

Бюллетень "Изобретения. Полезные модели" №31, 10.11.2016. Технический результат изобретения состоит в увеличении изменения амплитуды критического тока перехода под действием малого магнитного потока по сравнению с предыдущими геометриями, что открывает возможности для миниатюризации сверхпроводящих элементов памяти. Дополнительный технический результат состоит в возможности использовать только один магнитный слой для реализации элемента памяти с двумя устойчивыми состояниями, что существенно упрощает технологию его изготовления. Дополнительный технический результат изобретения состоит в возможности обеспечить достаточно высокую характерную частоту джозефсоновской гетероструктуры, и, как следствие, достаточно высокое быстродействие элемента памяти на её основе. Джозефсоновский магнитный поворотный вентиль включает два расположенных друг под другом электрода из сверхпроводящего материала с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей: слой сверхпроводящего материала, отделенный от нижнего сверхпроводящего электрода слоем диэлектрика; нанесенный на часть сверхпроводящего слоя слой нормального материала в виде ступени; слой магнитного материала, нанесенный как на слой нормального материала, так и на оставшуюся не закрытой последним поверхность сверхпроводящего слоя. Отличие от известных ранее джозефсоновских SFS структур состоит в том, что при изменении направления намагниченности единственного магнитного слоя по отношению к границе ступени из нормального металла происходит резкое увеличение или уменьшение общего критического тока. 3 с.п., 16 з.п., 6 ил.