ИСТИНА

Изобретение относится к технике измерений постоянных магнитных полей и может быть использовано для создания на его основе магнитооптических приборов. Технический результат – расширение арсенала датчиков для измерения постоянного магнитного поля на локальных участках. Технический результат достигается в устройстве (магнитоплазмонном кристалле – МПлК), состоящем из одномерной дифракционной решетки с субволновым периодом и, нанесенных на нее тонкого слоя благородного металла с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости, тонкого слоя ферромагнитного металла, и диэлектрического пассивирующего слоя. Данный вид МПлК характеризуется возможностью возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов дифракционным методом, позволяющим усилить магнитооптические эффекты в узком спектральном диапазоне возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов.