ИСТИНА

Изобретение относится к области материаловедения, а именно, к технологии получения плёнок кристаллических материалов на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой, которые могут быть использованы для производства полупроводниковых (солнечные элементы) и оптоэлектронных (светоизлучающих) устройств. Способ включает следующие стадии: I) формирование слоя реагента B или B' на подложке-носителе, имеющей верхний слой, выполненный из материала, инертного по отношению к реагентам B или B', AX и X2; II) нанесение реагентов AX и X2 на поверхность слоя реагента B или B'; III) обеспечение протекания реакционной конверсии нанесённых реагентов с получением органо-неорганического комплексного галогенида (ОНКГ), при этом В представляет собой металл Pb, Sn, Bi, Cu или их смесь, B' представляет собой галогенид, халькогенид, нитрат, карбонат или оксид В, AX – представляет собой органический или неорганический галогенид, где в качестве компонента А используют неорганические, органические катионы, а также их смеси, а Х2 представляет собой один из молекулярных галогенов I2, Br2, Сl2 или их смесь, при этом на стадии III) подложку с нанесенными на стадиях I) и II) реагентами помещают в реакционную камеру для управления скоростью удаления реагентов на время, обеспечивающее протекание полной, более 90% химической конверсии реагента B или B', при этом максимальное расстояние h от подложки до верхней границы камеры не превышает 0,8 мм. Технический результат, достигаемый при использовании данного изобретения, заключается в обеспечении возможности протекания полной реакции между прекурсорами без использования дополнительной стадии подачи реагента (галогена) за счет контроля скорости удаления реагентов из системы в ходе синтеза, благодаря чему заявляемое техническое решение позволяет получить плёнки с оптимальной морфологией (сниженное количество сквозных отверстий в пленке) и оптимальным фазовым составом (отсутствие примесей), а также в увеличении среднего размера кристаллитов в пленке и времени жизни фотоиндуцированных носителей заряда, что способствует увеличению КПД фотовольтаических устройств на основе таких пленок. 19 з.п. ф-лы, 3 табл., 4 пр., 5 ил.