ИСТИНА

Изобретение относится к оптоэлектронике, электронике, солнечной энергетике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем. Сущность изобретения: способ выращивания слоев оксида цинка из сублимирующегося источника паров осуществляют зонной сублимационной перекристаллизацией в две стадии - на плоской подложке с оптически гладкой поверхностью формируют слой цинка толщиной от 1-10 мкм при давлении остаточных газов в рабочей камере 10-3 Па, скорости сублимации цинка V0=100-120 мкм/ч и температуре 620-650 К, а перепад температуры между источником цинка и подложкой составляет 140-160 К, при этом вакуумная микроячейка имеет максимальную толщину 500-600 мкм, затем заменой сублимирующегося источника паров цинка на источник паров кислорода выращенные слои подвергают окислению при температуре 570-600 К. Способ обеспечивает получение отделяемых от подложки слоев оксида цинка увеличенной толщины и площади.