|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
"Структура гетерогенного p-n перехода на основе наностержней оксида цинка и полупроводниковой пленки",патент
- Авторы: Кононенко О.В., Панин Г.Н., Редькин А.Н., Баранов А.Н., Канг Т.В.
- Номер: N2323872
- Дата публикации патента: 15 мая 2008 г.
- Добавил в систему: Баранов Андрей Николаевич