ИСТИНА

Изобретение относится к технологии локализованного нанесения металлических слоев либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. В предложенном способе лазерного осаждения меди на поверхность диэлектрика проводят подготовку раствора электролита, промывку подложки, фокусирование лазера на границу подложка-электролит и сканирование излучения по вышеуказанной поверхности, при этом раствор электролита содержит 0.02 М CuCl2, 0.2 М NaOH, 0.15М сорбита и в качестве лиганда 0,022 М Трилона Б, который затем упаривают при температуре 60-80 градусов до гелеобразного состояния и наносят на поверхность диэлектрика, выбирают мощность лазерного излучения 500-600 мВт и скорость его перемещения относительно точки фокуса 1-2,5 мкм/с. Улучшение свойств осажденной медной структуры при непрерывном сканировании лазерным лучом является техническим результатом предложенного способа. 3 ил.