|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereofпатент
- Авторы: Lee S.W., Kang T.W., Panin G.N., Kapitanova O.O.
- Номер: 13/280818
- Дата публикации патента: 16 августа 2012 г.
- Добавил в систему: Капитанова Олеся Олеговна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | GO_memory_USA_patent.pdf | 352,2 КБ | 10 июля 2015 [olesya] |