ИСТИНА

Резванов Аскар Анварович пользователь

Соавторы: Baklanov M.R., Bates D., Chanson R., Foretova L., Holcatova I., Janout V., Scelo G., de Marneffe J., Заридзе Д.Г., Мукерия А.Ф., Мяконьких А.В., Abedi-Ardekani B., Armini S. показать полностью..., Banks R.E., Brennan P., Deleuze J., Durand G., LATHROP M., Le Calvez-Kelm F., Lin Z., McKay J.D., Muller D., Navratilova M., Nigel H., Robinot N., Vorotilov K.A., Зотович А.И., Зырянов С.М., Ли П., Лопаев Д.В., Матюшкин И.В., Руденко К.В., Серегин Д.С., Albanes D., Anderson G., Anema J.G., Arseneault M., Attallah A.G., Bacq-Daian D., Beane F.L., Benhamou S., Black A.A., Blanche H., Bourque G., Brazma A., Brennan P., Brisuda A., Brown E., Burdett L., Butterling M., Cancel-tassin G., Chanock S.J., Chanudet E., Choi W.K., Choueiri T., Clark E.A., Clemente I., Cussenot O., Cybulski C., Dzamic Z., Easton D.F., Ecsedi S., Edwards T.W., Egevad L., Fabianova E., Fiona B., Fletcher T., Foll M., Friedman M., Friedman N., Gaborieau V., Gabriela M., Halle A., Harnden P., Hirschmann E., Hofmann J., Huang W., Hubert J.N., JIN Y., Jandaghi P., Johansson M., Johnson L.M., Kahnoski R., Kollarova H., Koppova K., Koutros S., Kraft P., Krishtab M.B., Lane B., Liedke M.O., Liping Z., Lipworth L., Lissowska J., Ljungberg B., Lubinski J., Machiela M.J., Marneffe J.F., Michael G., Milosavljevic S., Monlong J., Moore A.L., Naumov S., Nourbehesht N., Nozawa S., Olaso R., Overvad K., Panichnantakul P., Panico S., Petillo D., Pharoah P.D., Pomerantz M., Purdue M.P., Radojevic-Skodric S., Rasch, Reston, Riazalhosseini Y., Riboli E., Rothman N., Rudnai P., Safisamghabadi M., Sampson O., Sato M., Savić S., Selby P.J., Sesso H., Sitaram R.T., Swiatkowska B., Teh B., Tokei Z., Toland A.R., Trichopoulou A., Ulrike S., Vasudev N.S., Verdonck P., Vishnevskiy A.S., Vorotyntsev D.A., Wagner A., Weinstein S.J., White E., Wilke R.H., Wilmes G., Wilson K.S., Wood C.G., Wu X.F., Ye Y.Y., Yeager M., Świątkowska B., Анна Б.С., Богданова М.А., Гущин О.П., Корнев В.К., Кост Н.А., Курчиков К.А., Луо Д., Маслаков К.И., Палов А.П., Прохорчук Е.Б., Рахимов А.Т., Рахимова Т.В., Скрябин К.Г.

13 статей, 1 доклад на конференции, 2 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 75, Scopus: 77
РИНЦ:

IstinaResearcherID (IRID): 10146040

ResearcherID: R-8029-2016

Scopus Author ID: 57193202312

ORCID: 0000-0002-1677-9122

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2022 Modification of Porous Ultralow-k Film by Vacuum Ultraviolet Emission
    • Zotovich Alexey I., Zyryanov Sergey M., Lopaev Dmitry V., Rezvanov Askar A., Attallah Ahmed G., Liedke Maciej O., Butterling Maik, Bogdanova Maria A., Vishnevskiy Alexey S., Seregin Dmitry S., Vorotyntsev Dmitry A., Palov Alexander P., Hirschmann Eric, Wagner Andreas, Naumov Sergej, Vorotilov Konstantin A., Rakhimova Tatyana V., Rakhimov Alexander T., Baklanov Mikhail R.
    • в журнале ACS Applied Electronic Materials, издательство American Chemical Society (United States), том 4, № 6, с. 2760-2776 DOI
  • 
    • 2021 Sexual dimorphism in cancer: insights from transcriptional signatures in kidney tissue and renal cell carcinoma
    • Laskar R.S., Li P, Ecsedi S., Abedi-Ardekani B., Durand G., Robinot N., Hubert J.N., Janout V., Zaridze D., Mukeria A., Mates D., Holcatova I., Foretova L., Swiatkowska B., Dzamic Z., Milosavljevic S., Olaso R., Boland A., Deleuze J.F., Muller D.C., McKay J.D., Brennan P., Le Calvez-Kelm F., Scelo G., Chanudet E.
    • в журнале Human Molecular Genetics, издательство Oxford University Press (United Kingdom), том 30, № 5, с. 343-355
  • 
    • 2020 Effect of terminal methyl group concentration on critical properties and plasma resistance of organosilicate low-k dielectrics
    • Rezvanov Askar A., Miakonkikh Andrey V., Seregin Dmitry S., Vishnevskiy Alexey S., Vorotilov Konstantin A., Rudenko Konstantin V., Baklanov Mikhail R.
    • в журнале Journal of Vacuum Science and Technology A, издательство AIP Publishing (United States), том 38, № 3, с. 033005 DOI
  • 
    • 2020 Evaluation of Mechanical Properties of Porous OSG Films by PFQNM AFM and Benchmarking with Traditional Instrumentation
    • Ovchinnikov I.S., Vishnevskiy A.S., Seregin D.S., Rezvanov A.A., Schneider D., Sigov A.S., Vorotilov K.A., Baklanov M.R.
    • в журнале Langmuir, издательство American Chemical Society (United States), том 36, № 32, с. 9377-9387 DOI
  • • 2020 ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНИЙ В ПОРИСТЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ ДЛЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ С ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ 28 НМ И НИЖЕ
    • Орлов А.А., Резванов А.А., Мяконьких А.В.
    • в журнале Наноиндустрия, издательство АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера" (Москва), том 96, № 3s, с. 684-687 DOI
  • 
    • 2019 Area selective grafting of siloxane molecules on low-k dielectric with respect to copper surface
    • Rezvanov A., Gornev E.S., de Marneffe J.F., Armini S.
    • в журнале Applied Surface Science, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 476, с. 317-324 DOI
  • 
    • 2019 Sex specific associations in genome wide association analysis of renal cell carcinoma
    • Laskar R.S., Muller D.C., Li P, Machiela M.J., Ye Y., Gaborieau V., Foll M., Hofmann J.N., Colli L., Sampson J.N., Wang Z., Bacq-Daian D., Boland A., Abedi-Ardekani B., Durand G., Le Calvez-Kelm F., Robinot N., Blanche H., Prokhortchouk E., Skryabin K.G., Burdett L., Yeager M., Radojevic-Skodric S., Savic S., Foretova L., Holcatova I., Janout V., Mates D., Rascu S., Mukeria A., Zaridze D., Bencko V., Cybulski C., Fabianova E., Jinga V., Lissowska J., Lubinski J., Navratilova M., Rudnai P., Świątkowska B., Benhamou S., Cancel-Tassin G., Cussenot O., Trichopoulou A., Riboli E., Overvad K., Panico S., Ljungberg B., Sitaram R.T., Giles G.G., Milne R.L., Severi G., Bruinsma F., Fletcher T., Koppova K., Larsson S.C., Wolk A., Banks R.E., Selby P.J., Easton D.F., Pharoah P., Andreotti G., Beane Freeman L.E., Koutros S., Albanes D., Männistö S., Weinstein S., Clark P.E., Edwards T.L., Lipworth L., Carol H., Freedman M.L., Pomerantz M.M., Cho E., Kraft P., Preston M.A., Wilson K.M., Michael Gaziano J., Sesso H.D., Black A., Freedman N.D., Huang W.Y., Anema J.G., Kahnoski R.J., Lane B.R., Noyes S.L., Petillo D., Teh B.T., Peters U., White E., Anderson G.L., Johnson L., Luo J., Chow W.H., Moore L.E., Choueiri T.K., Wood C., Johansson M., McKay J.D., Brown K.M., Rothman N., Lathrop M.G., Deleuze J.F., Wu X., Brennan P., Chanock S.J., Purdue M.P., Scelo G.
    • в журнале European Journal of Human Genetics, издательство Nature Publishing Group (United Kingdom), том 27, № 10, с. 1589-1598
  • 
    • 2018 Low-k protection from F radicals and VUV photons by multilayer pore grafting approach
    • Zotovich Alexey, Rezvanov Askar, Chanson Romain, Zhang Lin, Hacker Nigel, Kurchikov Konstantin Alekseevich, Klimin Sergey, Zyryanov S.M., Lopaev D., Gornev Evgeny, Clemente Iosif, Miakonkikh Andrew, Maslakov K.I.
    • в журнале Journal of Physics D - Applied Physics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 51, № 32, с. 325202 DOI
  • 
    • 2018 Modeling the Dynamics of the Integral Dielectric Permittivity of a Porous Low-K Organosilicate Film during the Dry Etching of a Photoresist in O2 Plasma
    • Rezvanov A.A., Matyushkin I.V., Gushchin O.P., Gornev E.S.
    • в журнале Russian Microelectronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 47, № 6, с. 415-426 DOI
  • 
    • 2017 Cryogenic etching of porous low-k dielectrics in CF3Br and CF4 plasmas
    • Rezvanov Askar, Miakonkikh Andrey V., Vishnevskiy Alexey S., Rudenko Konstantin V., Baklanov Mikhail R.
    • в журнале Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, том 35, № 2, с. 021204 DOI
  • 
    • 2017 Loss of chromosome Y leads to down regulation of KDM5D and KDM6C epigenetic modifiers in clear cell renal cell carcinoma
    • Arseneault M., Monlong J., Vasudev N.S., Laskar R.S., Safisamghabadi M., Harnden P., Egevad L., Nourbehesht N., Panichnantakul P., Holcatova I., Brisuda A., Janout V., Kollarova H., Foretova L., Navratilova M., Mates D., Jinga V., Zaridze D., Mukeria A., Jandaghi P., Brennan P., Brazma A., Tost J., Scelo G., Banks R.E., Lathrop M., Bourque G., Riazalhosseini Y.
    • в журнале Scientific reports, издательство Nature Publishing Group (United Kingdom), том 7, с. 44876
  • 
    • 2017 Pore surface grafting of porous low-k dielectrics by selective polymers
    • Rezvanov Askar, Zhang Liping, Watanabe Mitsuhiro, Krishtab Mikhail B., Zhang Lin, Hacker Nigel, Verdonck Patrick, Armini Silvia, de Marneffe Jean-François G.N.G
    • в журнале Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, издательство AIP Publishing (United States), том 35, № 2, с. 021211-021211 DOI

• Статьи в сборниках

  • • 2016 Cellular-automata model of oxygen plasma impact on porous low-K dielectric
    • Rezvanov Askar, Matyushkin Igor V., Gutshin Oleg P., Gornev Evgeny S.
    • в сборнике Proc. SPIE 10224, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016, том 10224 DOI

• Доклады на конференциях

  • • 2017 Pore Surface Grafting of Porous Low-K Dielectrics by Selective Polymers (Устный)
    • Авторы: Askar Rezvanov, Liping Zhang, Mitsuhiro Watanabe, Mikhail Krishtab, Lin Zhang, Alexey Zotovich, de Marneffe Jean-Francois, Dmitriy Lopaev, Nigel Hacker, Patrick Verdonck, Silvia Armini, Evgeny Gornev, Sergey Zyryanov
    • 2017 MRS Spring Meeting, Phoenix, Arizona, США, 17-21 апреля 2017

• Тезисы докладов

  • • 2018 Gas Phase Pore Stuffing for Damage Mitigation during Plasma Etching
    • Yamaguchi T., Nozawa S., Fujikawa M., Marneffe J.F de, Chanson R., Gavan K.B., Rezvanov A., Lazzarino Fr
    • в сборнике Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials, издательство Japan Soc of Applied Physics (Japan), тезисы DOI
  • • 2018 Gas Phase Pore Stuffing for the protection of organo-silicate glass dielectric materials
    • Fujikawa M., Sato N., de Marneffe J.F., Chanson R., Gavan K.Babaei, Rezvanov A., Lazzarino F., Tokei Z., Yamaguchi T., Nozawa S.
    • в сборнике 2018 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), место издания IEEE, тезисы DOI