ИСТИНА

Васильевский Иван Сергеевич пользователь

кандидат физико-математических наук

доктор физико-математических наук

доцент/с.н.с. по специальности № 05.27.01

НИЯУ МИФИ

Соавторы: Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Galiev G.B., Галиев Г.Б., Юзеева Н.А., Mokerov V.G., Klimov E.A., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Kaminskiǐ V.É., Khabibullin R.A., Derkach A.V., Климов Е.А. показать полностью..., Klochkov A., Rogozin V.A., Боков П.Ю., Гладков В.П., Жигунов Д.М., Каргин Н.И., Конникова М.Р., Кытин В.Г., Сибирмовский Ю.Д., Шкуринов А.П., Galiev G.B., Авакянц Л.П., Деркач А.В., Имамов Р.М., Климов Е.А., Стриханов М.Н., Червяков А.В., Prohorov D.Y., Климов Е.А., Манькова А.А., Розенблюм Г.В., Dizer E.S., Galistu G., Gurin P.V., Oiwa A., Tarucha S., Zvonkov B.N., de Visser A., Бутылин А.А., Глазков В.П., Голиков А.В., Климов Е.А., Коленцова О.С., Ломов А.А., Мартюк П.А., Матвеев Ю.А., Пушкарев С.С., Солянкин П.М., Черкасова О.П., Bychkov E.A., Carsey F., Chris, Danilov Y.A., Dettwiler S., Ernberg I., Garen C., Gromov D.V., Gurin P.S., Horikoshi Y., Horne T., Ingham C.J., Kacerovsky Р., Kenny E.M., Klimov E.A., Li C., Linding R., Lomov A.A., Ma R., Maltsev P.P., Mbamalu G., Metalnikov P., Nekorkin S.M., Onomitsu K., Paul O., Raaijmakers J.M., Shirokov S.S., Starostin A.N., Strikhanov M.N., Tony L., Tuchin V.V., Vikhrova O., Walter M., Winberg G., Yanish, hh h., Бережнев С.Ф., Бугаев А.С., Васильев А.Л., Виниченко А.Н., Винниченко А.Н., Гейнц Т.А., Гиш Р.А., Кванин А.Л., Кистенев Ю.В., Климов Е.В., Клочков А., Ковальчук М.В., Лялин И.И., Мальцев П.П., Машкова Л.П., Овешников Л.Н., Ожередов И.А., Паращук О.Д., Пушкин М.А., Роддатис В.В., Сеничкин А.П., Субботин И.А., Сутырин А.Г., Тверьянович Ю.С., Федоров Ю.В., Харси Л.Р., Хоменко М.Д., Чуев М.А.

56 статей, 2 книги, 12 докладов на конференциях, 33 тезисов докладов, 2 НИР, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 274, Scopus: 336
РИНЦ:

IstinaResearcherID (IRID): 62179494

ResearcherID: A-6636-2011

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2023 GeTe2 Phase Change Material for Terahertz Devices with Reconfigurable Functionalities Using Optical Activation
    • Konnikova Maria R., Khomenko Maxim D., Tverjanovich Andrey S., Bereznev Sergei, Mankova Anna A., Parashchuk Olga D., Vasilevsky Ivan S., Ozheredov Ilya A., Shkurinov Alexander P., Bychkov Eugene A.
    • в журнале ACS applied materials & interfaces, издательство American Chemical Society (United States) DOI
  • 
    • 2022 Study of adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy using terahertz metamaterials
    • Konnikova M.R., Cherkasova O.P., Geints T.A., Dizer E.S., Man’kova A.A., Vasilievskii I.S., Butylin A.A., Kistenev Yu V., Tuchin V.V., Shkurinov A.P.
    • в журнале Quantum Electronics, издательство Turpion - Moscow Ltd. (United Kingdom), том 52, № 1, с. 2-12 DOI
  • • 2020 THz Radiation of Photoconductive Antennas based on $\lbrace$LT-GaAa/GaAa:Si$\rbrace$ Superlattice Structures
    • Klochkov A.N., Klimov E.A., Solyankin P.M., Konnikova M.R., Vasil’evskii I.S., Vinichenko A.N., Shkurinov A.P., Galiev G.B.
    • в журнале Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya), издательство Optical Society of America (United States), том 128, № 7, с. 1010-1017 DOI
  • • 2020 Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур \LT-GaAs/GaAs:Si\
    • Клочков А.Н., Климов Е.А., Солянкин П.М., Конникова М.Р., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Шкуринов А.П., Галиев Г.Б.
    • в журнале Оптика и спектроскопия, том 128, № 7, с. 1004-1011
  • 
    • 2017 Electronic and optical properties of HEMT heterostructures with δ-Si doped GaAs/AlGaAs quantum rings — quantum well system
    • Sibirmovsky Y.D., Vasil'evskii I.S., Vinichenko A.N., Zhigunov D.M., Eremin I.S., Kolentsova O.S., Safonov D.A., Kargin N.I.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 917, с. 032041-032041 DOI
  • 
    • 2016 Toeplitz Operators Defined by Sesquilinear Forms: Bergman Space Case
    • Rozenblum G., Vasilevski N.
    • в журнале Journal of Mathematical Sciences, издательство Plenum Publishers (United States), том 213, № 4, с. 582-609 DOI
  • 
    • 2016 Toeplitz Operators in the Herglotz Space
    • Rozenblum Grigori, Vasilevski Nikolai
    • в журнале Integral Equations and Operator Theory, издательство Birkhauser Verlag (Switzerland), том 86, № 3, с. 409-438 DOI
  • 
    • 2015 Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays
    • Sibirmovskii Y.D., Vasil’evskii I.S., Vinichenko A.N., Eremin I.S., Zhigunov D.M., Kargin N.I., Kolentsova O.S., Martyuk P.A., Strikhanov M.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 5, с. 638-643 DOI
  • 
    • 2015 Quantum and Transport Scattering Times in AlGaAs/InGaAs nanoheterostructures With AlAs Inserts in The Spacer Layer
    • Galiev G.B., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Gromov D.V., Maltsev P.P.
    • в журнале Lithuanian Journal of Physics, издательство Lithuanian Physical Society (Lithuania), том 55, № 4, с. 249-254
  • • 2015 Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs
    • Сибирмовский Ю.Д., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Еремин И.С., Жигунов Д.М., Каргин Н.И., Коленцова О.С., Мартюк П.А., Стриханов М.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 49, № 5, с. 652-657
  • 
    • 2014 Toeplitz operators defined by sesquilinear forms: Fock space case
    • Rozenblum Grigori, Vasilevski Nikolai
    • в журнале Journal of Functional Analysis, издательство Academic Press (United States), том 267, № 11, с. 4399-4430 DOI
  • 
    • 2013 Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
    • Khabibullin RA, Galiev GB, Klimov EA, Ponomarev DS, Vasil'evskii IS, Kulbachinskii VA, Bokov PY, AVAKYANTS L., Chervyakov AV
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 9, с. 1203-1208 DOI
  • 
    • 2013 Electron mobilities in isomorphic In0.53Ga0.47As quantum wells on InP substrates
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 116, № 5, с. 755-759 DOI
  • 
    • 2013 Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в журнале Acta Physica Polonica A, издательство Polska Akademia Nauk (Poland), том 123, № 2, с. 345-348 DOI
  • 
    • 2013 Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structures
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 7, с. 935-942 DOI
  • • 2013 Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 7, с. 927-934
  • • 2013 Особенности формирования ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs методом капельной эпитаксии
    • Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Еремин И.С., Жигунов Д.М., Каргин Н.И., Сибирмовский Ю.Д., Стриханов М.Н.
    • в журнале Вестник Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», том 2, № 3, с. 267-272 DOI
  • • 2013 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53 Ga0.47 As на InP
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 143, № 5, с. 872-876
  • • 2013 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    • Хабибуллин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
  • 
    • 2012 Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 27, с. 035021-1-035021-5
  • 
    • 2012 Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
    • Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490 DOI
  • 
    • 2012 The built-in electric field in P-HEMT heterostructures with near-surface quantum wells Al xGa 1-xAs/In yGa 1-yAs/GaAs
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Ponomarev D.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Avakyanz L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 345, № 1, с. 012015 DOI
  • • 2012 Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
  • • 2012 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
  • 
    • 2011 Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
  • 
    • 2011 Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density
    • Khabibullin R.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 10, с. 1321-1326 DOI
  • • 2011 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
  • • 2011 Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галлиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Гладков В.П., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, № 1, с. 89-93
  • • 2011 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 12, с. 16-19
  • • 2011 Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах Al/GaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 12, с. 21-24
  • • 2011 Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 10, с. 1373-1378
  • • 2011 Структурные и электрофизические свойства квантовых ям с наноразмерными вставками InAs в гетероструктурах на основе InyAl1-yAs/InxGa1-xAs на подложках InP
    • Васильев А.Л., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Климов Е.А., Ковальчук М.В., Пономарев Д.С., Роддатис В.В., Субботин И.А.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 56, № 2, с. 324-335
  • 
    • 2009 Low temperature electron magnetotransport in InxGa1−xAs/In0.52Al0.48As quantum wells with high electron density
    • Vasil'evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Tarucha S., Oiwa A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 150, с. 022096-1-022096-4 DOI
  • 
    • 2007 Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrier
    • Kulbachinskii V.A., Vasil'evskii I.S., Lunin R.A., Galistu G., de Visser A., Galiev G.B., Shirokov S.S., Mokerov V.G.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 22, № 3, с. 222-228 DOI
  • 
    • 2007 Influence of state hybridization on low-temperature electron transport in shallow quantum wells
    • Vasilevskii I.S., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Galiev G.B., Mokerov V.G.
    • в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 105, № 1, с. 174-176 DOI
  • • 2007 Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный транспорт в неглубоких квантовых ямах
    • Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев В.Б., Мокеров В.Г.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, № 132, с. 197-199
  • 
    • 2005 WW Domains Provide a Platform for the Assembly of Multiprotein Networks
    • Ingham Robert J., Colwill Karen, Howard Caley, Dettwiler Sabine, Lim Caesar S.H., Yu Joanna, Hersi Kadija, Raaijmakers Judith, Gish Gerald, Mbamalu Geraldine, Taylor Lorne, Yeung Benny, Vassilovski Galina, Amin Manish, Chen Fu, Matskova Liudmila, Winberg Gösta, Ernberg Ingemar, Linding Rune, O'Donnell Paul, Starostine Andrei, Keller Walter, Metalnikov Pavel, Stark Chris, Pawson Tony
    • в журнале Molecular and Cellular Biology, издательство American Society for Microbiology (United States), том 25, № 16, с. 7092-7106 DOI
  • 
    • 2004 Electron magnetotransport in coupled quantum wells with double-sided doping
    • Galiev G.B., Kaminskii V.E., Vasil'evskii I.S., Kul'bachinskii V.A., Lunin R.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 38, № 11, с. 1326-1331 DOI
  • • 2004 Электронный магнетотранспорт в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием
    • Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 38, № 11, с. 1368-1373
  • 
    • 2003 Electron transport in coupled quantum wells with double-sided doping
    • Galiev G.B., Kaminskii V.E., Mokerov V.G., Kul'bachinskii V.A., Lunin R.A., Vasil'evskii I.S., Derkach A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 37, № 6, с. 686-691 DOI
  • 
    • 2003 Peculiarities of conductivity in structures delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate
    • Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasil'evskii I.S.
    • в журнале Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 17, № 1-4, с. 172-173 DOI
  • 
    • 2003 Peculiarities of electron transport in the coupled AlGaAs/GaAs quantum wells with thin central barrier
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G., Kaminskii V.E.
    • в журнале International Journal of Nanoscience, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), том 2, № 6, с. 565-573
  • • 2003 Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием
    • Галиев Г.Б., Каминский Виктор Эдуардович, Мокеров В.Г., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Васильевский И.С., Деркач А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 37, № 6, с. 711-716
  • 
    • 2002 Conductance anisotropy of delta-Si doped GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on (111)A GaAs substrates and misoriented in the [2(1)over-bar(1)over-bar] direction
    • Galiev G.B., Mokerov V.G., Kul'bachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Derkach A.V., Vasil'evskii I.S.
    • в журнале Doklady Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 47, № 6, с. 419-421 DOI
  • 
    • 2002 Анизотропия проводимости в дельта-легированных слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [2-1-1] подложках (111)A
    • Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Кытин В.Г., Деркач А.В., Васильевский И.С.
    • в журнале Доклады Академии наук, издательство Наука (М.), том 384, № 5, с. 611-614

• Статьи в сборниках

  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod, место издания Nizhny Novgorod, с. 199-200
  • • 2011 Спектроскопия фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания квантовой ямы
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Сборник материалов 1 Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для энергетики", место издания НИЯУ МИФИ, Москва, с. 85-93
  • • 2007 Ferromagnetism and anomalous magnetotransport in GaAs structures with InAs quantum dots or GaAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum well delta-doped with Mn and C
    • Kulbachinskii V.A., Gurin P.S., Lunin R.A., Vasilievskii I.S., Vikhrova O.V., Danilov Yu A., Zvonkov B.N., Horikoshi Y., Onomitsu K.
    • в сборнике 15th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia, June 25–29, 2007, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 218-219
  • • 2007 Influence of thin heterolayer insertion on the electron transport properties of GaAs/InGaAs/GaAs shallow quantum wells
    • Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Galistu G., de_Visser A.
    • в сборнике 15th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia, June 25–29, 2007, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 321-322
  • 
    • 2006 Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier
    • Vasilievskii I.S., Kulbachinskii V.A., Lomov A.A., Imamov R.M., Prokhorov D.Yu, Chuev M.A., Galiev G.B., Shirokov S.S.
    • в сборнике Proceedings of SPIE. Micro and Nanoelectronics. V. 6260, edited by K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky. 2006, том 6260, с. 62600-1-62600-8 DOI
  • • 2006 Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах
    • Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г.
    • в сборнике 34 Совещание по Физике Низких Температур, 26-30 сентября 2006, Ростов-на-Дону–Лоо, Труды, место издания Ростовский Государственный Университет Ростов-на-Дону, том 2, с. 23-24
  • • 2004 Magnetotransport in doped heterostructures with coupled quantum wells
    • Galiev G.B., Kaminskii V.E., Mokerov V.G., Vasil’evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A.
    • в сборнике 12th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg,, 21-25 June 2004, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 348-349
  • • 2003 Peculiarities of electron transport in the coupled AlGaAs/GaAs quantum wells with thin central barrier
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G., Kaminskii V.E.
    • в сборнике 11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings, место издания Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia St. Petersburg, с. 402-403
  • • 2003 Quasi-1D channels in Si delta-doped GaAs grown on vicinal (111)A GaAs substrate
    • Rogozin V.A., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Derkach A.V., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G.
    • в сборнике "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures", Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003, (ed. V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin), Minsk, Belarus, 20-23 May, место издания World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd Singapore, с. 503-506
  • • 2002 Анизотропия проводимости в -слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B
    • Рогозин В.А., Васильевский И.C., Деркач А.В., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Гурин П.В.
    • в сборнике Восьмая российская конференция «Арсенид галия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск, 1-4 октября 2002, Материалы конференции, место издания Томский Госуниверситет Томск, с. 183-185
  • • 2002 Электронный транспорт в слоях InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек
    • Лунин Р.А., Кульбачинский В.А., Голиков А.В., Рогозин В.А., Васильевский И.С., Деркач А.В., Мокеров В.Г., Федоров Ю.В.
    • в сборнике Физика электронных материалов: материалы Международной конференции (ФИЭМ'02). 1-4 октября 2002 г., Калуга, место издания Издательство КГПУ им. К.Э.Циолковского Калуга, с. 170-171

• Книги

  • • 2012 Advances in NANODEVICES AND NANOFABRICATION
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • место издания Pan Stanford Publishing Pte. Ltd Singapore Singapore, ISBN 978-981-4364-54-6, 10 с.
  • • 2010 Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
    • Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Сеничкин А.П., Бугаев А.С., Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Васильевский И.С.
    • место издания Техносфера Москва, ISBN 978-5-94836-255-7, 432 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2022 Полностью оптический модулятор на основе интегральных волноводных структур из арсенида галлия (Устный)
    • Авторы: Ситнянский В.А., Гулькин Д.Н., Шорохов А.С., Васильевский И.С., Федянин А.А.
    • 13-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва, Россия, 25-26 мая 2022
  • • 2018 Bioengineered analytical system to study potassium channel–ligand binding. (Стендовый)
    • Авторы: Nekrasova O., Kuzmenkov A., Vassilevski A., Korolkova Y., Volyntseva A., Novoseletsky V., Yakimov S., Kirpichnikov M., Feofanov A., Kudryashova K.
    • The 43rd FEBS Congress Prague 7-12 July, 2018, Prague, Чехия, 7-12 июля 2018
  • • 2014 Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
    • Авторы: Bokov P., Avalyants L., Chervyakov A., Galiev G., Klimov E., Lyalin I., Vasilevskii I.
    • 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP (Устный)
    • Авторы: Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
    • НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013, Москва, Россия, 1-6 февраля 2013
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • International Conference on Nanoscience and Technology, Paris, 2012
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой (Устный)
    • Авторы: Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., КульбачинскийВ А., Юзеева Н.А.
    • Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
  • • 2012 Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs (Устный)
    • Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Климов Е.А., Галиев Г.Б.
    • Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
  • • 2012 Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
    • Авторы: Хабибуллин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю., Васильевский И.С.
    • 2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Россия, 2012
  • • 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
    • Авторы: Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
    • 36-е Совещание по физике низких температур, Санкт-Петербург, Россия, Россия, 2012
  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • 20th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” NNovgorod, Нижний Новгород, Россия, 26 июня - 1 июля 2012
  • • 2009 Энергетический спектр и оптические свойства квантовых точек CdSe(Cu) (Стендовый)
    • Авторы: Дроздов К.А., Добровольский А.А., Тананаев П.Н., Дорофеев С.Г., Васильевский И.С.
    • IX Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2009", Новосибирск-Томск, 2009
  • • 2008 Исследование влияния примеси меди на энергетический спектр и оптические свойства квантовых точек CdSe(Cu) (Устный)
    • Авторы: Васильевский И.С., Хохлов Д.Р., Дроздов К.А.
    • Х Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Россия, 1-5 декабря 2008

• Тезисы докладов

  • • 2022 The use of THz metamaterials for studying the adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy
    • Konnikova M.R., Cherkasova O.P., Dizer E.S., Mankova A.A., Vasilievskii I.S., Butylin A.A., Shkurinov A.P.
    • в сборнике 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), место издания IEEE, тезисы DOI
  • • 2014 Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
    • Bokov P., Avalyants L., Chervyakov A., Galiev G., Klimov E., Lyalin I., Vasilevskii I.
    • в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
    • Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 183
    • редакторы Богданович Б.Ю., Голотюк Олег Николаевич, Диденко Андрей Николаевич, Стриханов М.Н.
  • • 2013 Механизм роста наноструктур А3В5 методом капельной эпитакции и управление их морфологией
    • Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Еремин И.С., Жигунов Д.М., Каргин Н.И., Сибирмовский Ю.Д., Стриханов М.Н.
    • в сборнике Сборник аннотаций 11-ой Курчатовской молодежной научной школы, место издания Москва, тезисы, с. 90
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Book of abstracts of International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T 2012), место издания Paris, France, тезисы, с. 73
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 202-202
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2012 Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., КульбачинскийВ А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 205
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2012 Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю.
    • в сборнике Сборник трудов 2-ой Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ – электроники «Мокеровские чтения», Москва, МИФИ, Россия, 2012, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы
  • • 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
    • в сборнике Тезисы докладов 36 Совещания по физики низких температур, 2-6 июля 2012 г., С. Петербург, место издания С. Петербург, тезисы, с. 184-185
  • • 2011 Electron mobility and persistent photoconductivity in quantum wells In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике International conference on materials for advanced technologies – ICMAT2011, 26 June – 1 July 2011, Singapore, Symposium H - Nanodevices and Nanofabrication, место издания Singapore, тезисы, с. 68
  • • 2011 Встроенное электрическое поле в приповерхностных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ IX Курчатовской молодежной научной школы, место издания Москва, тезисы, с. 136
  • • 2011 Гетероструктуры с комбинированно-легированным каналом и высокой концентрацией электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs/AlGaAs: моделирование и эксперимент
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 40-41
  • • 2011 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs
    • Васильевский И.С., Пономарев Д.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 50-51
  • • 2011 Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 124
  • • 2010 Influence of surface and doping on electron transport in PHEMT structures on GaAs substrate with quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Klochkov A.N., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Fundamentals of electronic nanosystems - NanoПитер2010, Program and abstracts, место издания Ioffe Physico-Technical Institute St. Petersburg, тезисы, с. 52-55
  • • 2010 Взаимосвязь морфологии поверхности, электрофизических свойств и конструкции эпитаксиальных метаморфных гетероструктур с содержанием InAs в активном слое 75-100%
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кванин А.Л., Кульбачинский В.А., Пушкарев С.С., Пушкин М.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, VIII Курчатовская Молодежная научная Школа, 22-25 ноября 2010 г., Москва, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 136
  • • 2010 Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
  • • 2010 Электронный транспорт в модулированно-легированных квантовых ямах и слоях InAs на основе метаморфных наногетероструктур
    • Пушкарев С.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 26-29
  • • 2009 Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Матвеев Ю.А., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Гладков В.П., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 215
  • • 2009 Особенности электронного транспорта в комбинированно-легированных квантовых ямах Al0.35Ga0.65As/InGaAs/Al0.35Ga0.65As с высокой концентрацией электронов Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Матвеев Ю.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 10-12
  • • 2008 Low Temperature Electron Magnetotransport in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As Quantum wells with high electron density
    • Vasil'evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Mokerov V.G., Galiev G.B., Tarucha S., Oiwa A.
    • в сборнике LT25 - 25th International Conference on Low Temperature Physics, August 6-13, 2008 Amsterdam, Netherlands, p.266-267, место издания Amsterdam, Netherlands, тезисы, с. 266-267
  • • 2007 Увеличение подвижности и концентрации электронов в PHEMT гетероструктурах с композитным спейсерным слоем, содержащим монослои AlAs
    • Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б.
    • в сборнике VIII Российская конференция по физике полупроводников, 30 сентября-5 октября 2007, Тезисы докладов, место издания Институт Физики Металлов УРО РАН Екатеринбург, тезисы, с. 219
  • • 2006 Influence of state coupling on the electron transport in shallow quantum well
    • Kulbachinskii V.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G.
    • в сборнике XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES'06), Program and Abstract, November 22-24, 2006, Puebla, Mexico, место издания Puebla, Mexico, тезисы, с. Tu09
  • • 2005 Magnetoresistance Of Coupled Quantum Wells In Quantizing Magnetic Field
    • Kaminskii V.E., Galiev G.B., Mokerov V.G., Vasil'evskii I.S., Lunin R.A., Kul'bachinskii V.A.
    • в сборнике Х International Conference "Micro- and Nanoelectronics", Zvenigorod, October 3th-7th, 2005, Book of Abstracts, место издания ФТИАН Zvenogorod, тезисы, с. O2-09
  • • 2005 Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier
    • Vasil’evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Imamov R.M., Lomov A.A., Prohorov D.Yu
    • в сборнике Х International Conference "Micro- and Nanoelectronics", Zvenigorod, October 3th-7th, 2005, Book of Abstracts, место издания ФТИАН Zvenogorod, тезисы, с. P2-23
  • • 2005 Возможности рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии в характеризации низкоразмерных внутренних слоев гетеросистем на основе А3В5
    • Прохоров Д.Ю., Сутырин А.Г., Ломов А.А., Kacerovsky Р., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б.
    • в сборнике Тезисы докл. "V Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов и наносистем". РСНЭ-НАНО, место издания ИК РАН М:, тезисы, с. 250
  • • 2005 Вычисление интерференционной квантовой поправки к проводимости в произвольном магнитном поле
    • Васильевский И.С., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Седьмая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, тезисы докладов, 5-9 декабря 2005 г., С.Петербург, Тезисы докладов, место издания Издательство Политехнического университета С. Петербург, тезисы, с. 47
  • • 2005 Гибридные состояния и электронный транспорт в двусторонне дельта-легированных квантовых ямах GaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Седьмая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, тезисы докладов, 5-9 декабря 2005 г., С.Петербург, Тезисы докладов, место издания Издательство Политехнического университета С. Петербург, тезисы, с. 48
  • • 2005 Транспортные и оптические свойства мелких псевдоморфных квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs с двусторонним дельта-легированием: влияние тонкого центрального барьера AlAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике VII Российская конференция по физике полупроводников, тезисы докладов, Звенигород, , 18-23 сентября 2005, место издания Звенигород, тезисы, с. 244
  • • 2003 Отрицательное магнетосопротивление в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs
    • Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Васильевский И.С.
    • в сборнике Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 301-302
  • • 2003 Подвижность электронов в связанных квантовых ямах AlGaAs/GaAs, разделенных барьером AlAs
    • Лунин Р.А., Кульбачинский В.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Гурин П.В.
    • в сборнике Тезисы докладов, XXXIII Совещание по физике низких температур, Секция N "Наноструктуры и низкоразмерные системы", Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 298-299
  • • 2002 Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structures
    • Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasilevskii I.S.
    • в сборнике Internation Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices, Toulouse-France, July 22-26, 2002, Abstracts, место издания Toulouse, France, том 1, тезисы, с. P062
  • • 2001 Замороженная фотопроводимость в слоях InAs/GaAs квантовых точек
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Голиков А.В., Кытин В.Г., Васильевски И.С., Деркач А.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М.
    • в сборнике V Всероссийская конференция по физике полупроводников, сентябрь 2001, Нижний Новгород, место издания Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 341-341

• НИРы

  • • 22 октября 2018 - 22 октября 2021 Нанофотонные полупроводниковые метаструктуры для высокочастотной интегральной оптики ИК диапазона
    • Физический факультет
    • Руководитель: Федянин А.А. Участники НИР: Васильевский И.С., Долгова Т.В., Зубюк В.В., Ибрагимов А.А., Кройчук М.К., Мусорин А.И., Сибирмовский Ю.Д., Снигирев В.С., Шорохов А.С.
  • • 1 января 2008 - 31 декабря 2010 Импеданс легированных твердых растворов и наноструктур на основе халькогенидов свинца
    • Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • Руководитель: Акимов Б.А. Участники НИР: Артамкин А.И., Белогорохов А.И., Богданов Е.В., Васильевский И.С., Добровольский А.А., Долженко Д.Е., Комиссарова Т.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.

• Диссертация

  • • 2006 Электронный транспорт в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs и GaAs/InyGa1-yAs/GaAs
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.09 - Физика низких температур (физ.-мат. науки)
    • Автор: Васильевский И.С., д.ф.-м.н., доц.
    • Научный руководитель: Кульбачинский В.А., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.70 при МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Организация, в которой выполнялась работа: кафедра физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета МГУ имнеи М.В. Ломоносова