ИСТИНА

Захарова Анна Александровна пользователь

доктор физико-математических наук

Физико-технологический институт Российской Академии Наук

Соавторы: Chao K.A., Ryzhii V.I., Yen S.T., Лапушкин И.Ю., Балкарей Ю.И., Семенихин И.А., Gergel V.A., Бугаев А.С., Nilsson K., Gulyaev Y.V., Vasko F.T., Goronkin H., Khrenov G. показать полностью..., Tehrani S., Ершов М.Ю., Лукшин А.В., Пищалко В.Д., Федирко В.А., Grigoryants A.V., Petrov I., Елинсон М.И., Панасов С.Н., Pesotzkii V., Shchamkhalova B.S., Песоцкий В.И., Семенихин И.А.

108 статей, 33 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 312, Scopus: 313
РИНЦ:

IstinaResearcherID (IRID): 305124622

ResearcherID: AAL-3580-2020

Scopus Author ID: 7005223534

ORCID: 0000-0001-8824-5237

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2012 Optical Anisotropy of InAs/GaSb Broken-Gap Quantum Wells
    • Zakharova A.A., Semenikhin I.A., Chao K.A.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 141, № 5, с. 840-847
  • 
    • 2012 Optical anisotropy of InAs/GaSb broken-gap quantum wells
    • Zakharova A.A., Semenikhin I.A., Chao K.A.
    • в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 114, № 5, с. 731-737 DOI
  • • 2011 Spin-Related Phenomena in InAs/GaSb Quantum Wells
    • Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
    • в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 94, № 8, с. 704-709
  • 
    • 2011 Spin-related phenomena in InAs/GaSb quantum wells
    • Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 94, № 8, с. 660-664 DOI
  • 
    • 2010 Electron optical spin polarization in broken-gap heterostructures
    • Zakharova A., Chao K.A., Semenikhin I.
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7521 DOI
  • 
    • 2010 Intersubband Optical Transitions in InAs/GaSb Quantum Wells
    • Semenikhin I.A., Zakharova A.A., Chao K.A.
    • в журнале Russian Microelectronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 39, № 1, с. 63-72 DOI
  • 
    • 2010 Laser generation in broken-gap heterostructures
    • Semenikhin I., Chao K.A., Zakharova A.
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7521 DOI
  • • 2010 Межподзонные оптические переходы в квантовых ямах типа InAs/GaSb
    • Семенихин И.А., Захарова А.А., Chao K.A.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 39, № 1, с. 68-77
  • • 2009 Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны
    • Семенихин И.А., Захарова А.А., Chao K.A.
    • в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 20, с. 57-65
  • 
    • 2008 Effect of nonrelativistic interface Hamiltonian on optical transitions in broken-gap heterostructures
    • Semenikhin I., Zakharova A., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 77, № 11 DOI
  • 
    • 2008 Intersubband optical transitions in InAs/GaSb broken-gap quantum wells
    • Semenikhin I., Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A.
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7025 DOI
  • 
    • 2008 Optical absorption of polarized light in InAs/GaSb quantum wells
    • Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 23, № 12 DOI
  • 
    • 2007 Carrier transport in broken-gap heterostructures tuned by a magnetic field
    • Nilsson K., Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 75, № 20 DOI
  • 
    • 2007 Effects of bulk inversion asymmetry and low interface symmetry on the optical properties of broken-gap heterostructures
    • Semenikhin I., Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 76, № 3 DOI
  • 
    • 2006 Cyclotron masses and g-factors of hybridized electron-hole states in InAs/GaSb quantum wells
    • Nilsson K., Zakharova A., Lapushkin I., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 74 DOI
  • 
    • 2006 Spin polarization of an electron-hole gas in InAs/GaSb quantum wells under a dc current
    • Zakharova A., Lapushkin I., Nilsson K., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 73, № 12 DOI
  • 
    • 2005 Effects of Lattice Mismatch and Bulk Anisotropy on Interband Tunneling in Broken-Gap Heterostructures
    • Zakharova A., Yen S.T., Nilsson K., Chao K.A.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 97, № 6 DOI
  • 
    • 2005 Six-band k·p calculation of spin-dependent interband tunneling in strained broken-gap heterostructures under a quantizing magnetic field
    • Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A., Yen S.T.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 72, № 11 DOI
  • 
    • 2004 A self-consistent investigation of the semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fields
    • Lapushkin I., Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 16, № 26, с. 4677-4684 DOI
  • 
    • 2004 Electronic band structure and semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells
    • Lapushkin I., Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 5401, с. 472-481 DOI
  • 
    • 2004 Landau level structures and semimetal-semiconductor transition in strained InAs/GaSb quantum wells
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 69, № 11 DOI
  • 
    • 2004 New peculiarities of interband tunneling in broken-gap heterostructures
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 5401, с. 392-401 DOI
  • 
    • 2003 Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wells
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале International Journal of Nanoscience, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), том 2, № 6, с. 437-444 DOI
  • 
    • 2003 Quantum computer on InAs/GaSb heterostructures
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 5128, с. 201-212 DOI
  • 
    • 2002 Influence of band state mixing on interband magnetotunnelling in broken-gap heterostructures
    • Zakharova A., Chao K.A.
    • в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 14, № 19, с. 5003-5016 DOI
  • 
    • 2002 Strain-induced semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb broken-gap quantum wells
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 66, № 8 DOI
  • 
    • 2001 Hybridization of electron, light-hole, and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 64, № 23 DOI
  • 
    • 2000 Interband resonant tunnelling in quantizing magnetic field
    • Zakharova A.
    • в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 113, № 10, с. 599-602 DOI
  • 
    • 1999 Interband resonant magnetotunnelling in semiconductor heterostructures
    • Zakharova A.
    • в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 11, № 24, с. 4675-4688 DOI
  • 
    • 1999 Modeling of the current––voltage charateristics of InAs/AlGaSb/GaSb double barrier diodes with interband resonant tunnelling
    • Lapushkin I., Zakharova A., Gergel V.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 14, № 8, с. 731-735 DOI
  • • 1999 Theoretical investigation of interband magnetotunnelling in semiconductor heterostructures
    • Zakharova A.
    • в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 14, с. 68-75
  • 
    • 1998 Interband resonant tunneling in superconductor heterostructures in a quantizing magnetic field
    • Zakharova A.A.
    • в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 40, № 11, с. 1923-1928 DOI
  • 
    • 1998 Interband tunnelling in semiconductor heterostructures
    • Zakharova A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 13, № 6, с. 569-575 DOI
  • • 1998 Межзонное резонансное туннелирование в полупроводниковых гетероструктурах в квантующем магнитном поле
    • Захарова А.А.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 40, № 11, с. 2121-2126
  • • 1997 Modeling of the current—voltage characteristics of the resonant tunneling structures
    • Gergel V.A., Khrenov G.Yu, Lapushkin I.Yu, Shchamkhalova B.S., Zakharova A.A.
    • в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 13, с. 16-25
  • 
    • 1997 Phonon-assisted interband tunnelling in single-barrier structures with type II heterojunctions
    • Zakharova A.
    • в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 9, № 22, с. 4635-4642 DOI
  • 
    • 1997 Self–consistent modeling of the current—voltage characteristics of resonant tunneling structures with type II heterojunctions
    • Lapushkin I., Gergel V., Zakharova A., Goronkin H., Tehrani S.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 82, № 5, с. 2421-2426 DOI
  • 
    • 1996 Population inversion in narrow gap heterostructures due to the interband tunnelling
    • Zakharova A.A., Vasko F.T.
    • в журнале Superlattices and Microstructures, издательство ELSEVIER SCIENCE BV (PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE), том 19, № 4, с. 273-278 DOI
  • • 1996 Quasistationary charge transport by a surface acoustic wave
    • Bugaev A.S., Zakharova A.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 30, № 1, с. 77-81
  • • 1996 Self–consistent I—V characteristic calculation of RTS with type II heterojunctions
    • Gergel V.A., Lapushkin I., Zakharova A.A.
    • в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 11, с. 56-60
  • 
    • 1996 Self–consistent calculation of current—voltage characteristics of resonant tunnelling structures with type II heterojunctions
    • Gergel V., Lapushkin I., Zakharova A.
    • в журнале Solid State Electronics, том 39, № 10, с. 1445-1448 DOI
  • • 1996 Квазистационарный перенос заряда поверхностной акустической волной
    • Бугаев А.С., Захарова А.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 30, № 1, с. 133-141
  • 
    • 1995 Resonant tunnelling in type II heterojunctures
    • Zakharova A.A., Gergel V.A.
    • в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 96, № 4, с. 209-213 DOI
  • 
    • 1994 Semiclassical interband tunnelling probability in semiconductor heterostructures
    • Zhakharova A., Ryzhii V., Pesotzkii V.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 9, № 1, с. 41-48 DOI
  • 
    • 1994 Spin orientation due to longotudinal current and interband tunnelling in narrow–gap heterostructures
    • Zakharova A., Vasko F.T., Ryzhii V.
    • в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 6, № 37, с. 7537-7546 DOI
  • 
    • 1993 Acoustic instability in narrow-gap semiconductors with a nonequilibrium plasma under auger recombination conditions
    • Zakharova A.A.
    • в журнале Acoustical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 39, № 4, с. 336-339
  • 
    • 1993 Negative differential resistance of single barrier interband tunnelling diodes
    • Khrenov G., Ryzhii V., Zhakharova A.
    • в журнале Solid State Electronics, том 36, № 9, с. 1325-1333 DOI
  • 
    • 1993 Semiclassical theory of interband tunnelling in semiconductor heterostructures
    • Ryzhii V., Zakharova A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 8, с. 377-382 DOI
  • 
    • 1993 Акустическая неустойчивость в узкощелевых полупроводниках с неравновесной плазмой в условиях Оже–рекомбинации
    • Захарова А.А.
    • в журнале Акустический журнал, издательство Наука (М.), том 39, № 4, с. 639-645
  • 
    • 1992 Quasi-paticle tunneling effects in structures based on type II heterojunctions
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 26, № 7, с. 660-664
  • 
    • 1992 Tunnelling processes in broken-gap heterostructures
    • Ryzhii V.I., Zakharova A.A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 7, № 7, с. 980-984 DOI
  • • 1992 Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 26, № 7, с. 1182-1190
  • 
    • 1991 Hot-electron relaxation due to equibrium density fluctuations in a hole plasma
    • Fedirko V.A., Zakharova A.A.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 25, № 9, с. 970-973
  • 
    • 1991 Oscillations of the current-voltage characteristics of unipolar quantum-well transistor structures
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 25, № 3, с. 244-248
  • • 1991 Осцилляции вольт–амперных характеристик монополярных транзисторных структур с квантовой ямой
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 25, № 3, с. 402-408
  • • 1991 Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы
    • Федирко В.А., Захарова А.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 25, № 9, с. 1607-1612
  • • 1990 Mathematical modeling of unsteady-state processes in bipolar heterojunction transistors based on a quasi-hydrodynamic model
    • Zakharova A.A., Lukshin An V., Pishchalko V.D.
    • в журнале Moscow University Computational Mathematics and Cybernetics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 1, № 1, с. 56-60
  • 
    • 1990 Theory of hot-electron transport in heterostructure transistors
    • Ershov M.Yu, Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 7, с. 796-800
  • • 1990 К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
    • Ершов М.Ю., Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 24, № 7, с. 1265-1271
  • • 1990 Математическое моделирование нестационарных процессов в биполярных гетеротранзисторах на основе квазигидродинамической модели
    • Захарова А.А., Лукшин А.В., Пищалко В.Д.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 15: Вычислительная математика и кибернетика, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 15, № 1, с. 59-64
  • 
    • 1989 Generation of sound as a result of interaction of laser radiation with the surface of a semiconductor
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 11, с. 1223-1226
  • 
    • 1989 High-frequency characteristics for bipolar heterotransistors with the base intervalley nonequilibrium redistribution
    • Zakharova A.A.
    • в журнале Soviet Microelectronics, том 18, № 2, с. 94-97
  • 
    • 1989 Mechanism of formation of spatially inhomogeneous structures in semiconductors under the influence of high laser radiation
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 10, с. 1175-1176
  • • 1989 Высокочастотные характеристики биполярных гетеротранзисторов в условиях междудолинного перераспределения неравновесных носителей в базе
    • Захарова А.А.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 18, № 2, с. 158-161
  • • 1989 О генерации звука при воздействии на поверхность полупроводника лазерного излучения
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 23, № 11, с. 1986-1980
  • • 1989 О механизме образования пространственно–неоднородных структур в полупроводниках под действием мощного лазерного излучения
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 23, № 10, с. 1898-1900
  • 
    • 1987 Some details of the characteristics of n-p-n double heterostructure bipolar-transistors under conditions of heating and cooling of the electrons and holes in the base
    • Zakharoa A.A.
    • в журнале Soviet Microelectronics, том 16, № 2, с. 82-86
  • • 1987 Особенности характеристик двойных гетероструктурных биполярных транзисторов типа n-p-n в условиях разогрева и охлаждения электронов и дырок в базе
    • Захарова А.А.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 16, № 2, с. 140-144
  • • 1986 Properties of bipolar heterotransistor with two heterojunctions with full maxwellization nonequilibrium carriers in the base
    • Zakharova A.A.
    • в журнале Soviet Microelectronics, том 15, № 5, с. 460-462
  • • 1986 Расчет высокочастотных характеристик биполярных n-p-n гетеротранзисторов при консервативном переносе горячих электронов в базе
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), том 118, № 2, с. 3-9
  • • 1986 Свойства биполярных гетеротранзисторов с двумя гетеропереходами при полной максвеллизации неравновесных носителей в базе
    • Захарова А.А.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 15, № 5, с. 460-462
  • 
    • 1985 High-frequency characteristics of bipolar heterotransistors under conditions of coservative transport of hot electrons in the base
    • Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Microelectronics, том 14, № 6, с. 269-272
  • 
    • 1985 High-frequency properties of bipolar hetrotransistors under conditions of diffesion transport of hot electrons in the base
    • Ryzhii V.I., Zakhaova A.A., Panasov S.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 19, № 3, с. 298-300
  • • 1985 Высокочастотные свойства биполярных гетеротранзисторов при диффузионном переносе горячих электронов в базе
    • Рыжий В.И., Захарова А.А., Панасов С.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 19, № 3, с. 480-485
  • • 1985 Высокочастотные характеристики биполярных гетеротранзисторов в условиях консервативного переноса горячих электронов в базе
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 14, № 6, с. 521-524
  • 
    • 1984 Acoustic instability in semiconductor with a noniquilibrium electron-hole plasma
    • Bugaev A.S., Gulyev Yu V., Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 18, № 12, с. 1344-1346
  • • 1984 Акустическая неустойчивость в полупроводниках с неравновесной электронно–дырочной плазмой
    • Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 18, № 12, с. 2155-2159
  • • 1983 Instability and spontaneous oscillations of the temperature in a polystable semiconductor Fabry–Perot interferometer with a thermal load
    • Zakharova A.A., Balkareĭ Yu I., Grigoryants A.V.
    • в журнале Soviet Journal of Quantum Electronics, том 13, № 11, с. 1538-1540 DOI
  • 
    • 1983 Resonant amplification of sound near the spontaneous oscillation threshould of a semiconductors under impurity and interband breakdown conditions
    • Zakharova A.A., Balkarei Yu I., Bugaev A.S., Gulyaev Y.V.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 17, № 3, с. 256-258
  • 
    • 1983 Slowing of sound in a nonlinear, periodically modulated medium
    • Balkarei Yu I., Bugaev A.S., Gulyaev Yu V., Zakharova A.A.
    • в журнале Soviet Physics Acoustics-Ussr, том 29, № 5, с. 350-351
  • 
    • 1983 Неустойчивость и температурные автоколебания в полистабильном полупроводниковом интерферометре Фабри–Перо
    • Захарова А.А., Балкарей Ю.И., Григорьянц А.В.
    • в журнале Квантовая электроника, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва), том 10, № 11, с. 2361-2363
  • • 1983 О замедлении звука в нелинейной, периодически модулированной среде
    • Балкарей Ю.И., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Захарова А.А.
    • в журнале Акустический журнал, издательство Наука (М.), том 29, № 5, с. 590-592
  • • 1983 Резонансное усиление звука вблизи порога автоколебаний в полупроводниках при примесном и межзонном пробое
    • Захарова А.А., Балкарей Ю.И., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 17, № 3, с. 413-417
  • • 1982 Some peculiarities of ultrasound propagation in layerd structure of photoconductor-ferroelectric Fabri-Perot interferometer
    • Balkareĭ Yu I., Zakharova A.A., Bugaev A.S., Gulyaev Yu V.
    • в журнале Soviet Physics, Solid State (English translation of Fizika Tverdogo Tela), том 24, с. 907-908
  • • 1982 Stability of a front of switching in the active trigger medium with diffusion
    • Balkarei Yu I., Zakharova A.A.
    • в журнале Soviet Physics-Technical Physics, том 52, № 3, с. 551-553
  • • 1982 Stratification instability of switching front in an active trigger diffusive medium
    • Balkareĭ Yu I., Zakharova A.A.
    • в журнале Soviet Physics-Technical Physics, том 27, № 9, с. 1148-1150
  • • 1982 Неустойчивость фронта переключения в активной триггерной диффузионной среде относительно расслоения
    • Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
    • в журнале Журнал технической физики, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 9, с. 1871-1873
  • • 1982 Об устойчивости фронта переключения в активной триггерной среде с диффузией
    • Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
    • в журнале Журнал технической физики, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 3, с. 551-553
  • 
    • 1982 Особенности распространения ультразвука в слоистой структуре фотопроводник–сегнетоэлектрический интерферометр Фабри–Перо
    • Балкарей Ю.И., Захарова А.А., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 24, № 6, с. 1585-1588
  • • 1981 On the possibility of creating polystable active distributed environments
    • Balkarei Yu I., Zakharova A.A., Elinson M.I.
    • в журнале Soviet Microelectronics, том 10, № 3, с. 260-263
  • • 1981 О возможности создания полистабильных активных распределенных систем
    • Балкарей Ю.И., Захарова А.А., Елинсон М.И.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 10, № 3, с. 260-263
  • 
    • 1980 Spontaneouse thermal oscillations of the carrier density in the case of optical excitation of a semiconductor near the fundamental absorption edge
    • Balkarei Yu I., Zakharova A.A.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 13, № 9, с. 1065-1066
  • • 1980 Термоконцентрационные автоколебания при оптическом возбуждении полупроводника вблизи края собственного поглощения
    • Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 14, № 9, с. 1791-1793

• Статьи в сборниках

  • • 2007 Effects of bulk inversion asymmetry on infrared optical transitions in InAs/GaSb quantum wells
    • Semenikhin I., Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A.
    • в сборнике Proceedings of 15th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology”, Novosibirsk, место издания Academic University Publishing Saint-Petersburg, с. 244-245
  • • 2004 Electronic Structures and Transport Properties of Broken-Gap Heterostructures
    • Zakharova A., Lapushkin I., Yen S.T., Nilsson K., Chao K.A.
    • в сборнике Recent Research Developments in Science & Technology of Semiconductors Transworld Research Network, место издания Kerala, том 2, с. 37-72
  • • 2004 Semimetal–semiconductor transition in broken–gap quantum wells under hydrostatic pressure
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.
    • в сборнике Proceedings of 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, место издания St. Peterburg, с. 295-296
  • • 2003 Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wells
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в сборнике Proceedings of 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, место издания St. Petersburg, с. 96-98
  • 
    • 1999 Investigation of the characteristics of interband resonant tunnelling diodes with modified barriers
    • Lapushkin I., Zakharova A., Gergel V.
    • в сборнике Proceedings of 7th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, место издания St. Petersburg, с. 276-279
  • • 1998 Interband magnetotunneling in RTS with type II heterojunctions
    • Zakharova A.
    • в сборнике Proceedings of International Symposium “Nanostructures : Physics and Technology”, June 22-26, 1998, место издания Ioffe Physico-Technical Institute RAS St Petersburg, Russia, с. 348-351
  • 
    • 1997 Carrier transport processes in RTS with type II heterojunctions
    • Gergel V., Lapushkin I., Zakharova A., Goronkin H., Tehrani S.
    • в сборнике Compound Semiconductors 1996, ed. by Shur M.S. and Suris R.A, серия Institute of Physics Conference Series, место издания Institute of Physics Publishing Ltd Bristol, United Kingdom,, том 155, с. 77-80
  • • 1997 Interband tunnelling in RTS with type II heterojunctions
    • Zakharova A.
    • в сборнике Proceedings of International Symposium “Nanostructures : Physics and Technology”, место издания St. Peterburg, с. 516-519
  • • 1996 Phonon assisted interband tunnelling in single barrier structures with type II heterojunctions
    • Zakharova A.
    • в сборнике Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology, место издания Ioffe Institute St.Petersburg, Russia, 24-28 June, с. 227-230
  • • 1995 Quasi–stationary charge transfer by a surface acoustic wave in gallium arsenide structures
    • Bugaev A.S., Zakharova A.A.
    • в сборнике Proceedings of International Semenar “Lavistors and devices using acoustic charge carrier transfer”, место издания Wien, с. 14-19
  • • 1995 Tunnelling, quasi-bound states and non-equilibrium processes in RTS with type II heterojunctions
    • Zakharova A., Gergel V.
    • в сборнике Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology, место издания Ioffe St.Petersburg, Russia, 26-30 June, с. 265-268
  • • 1994 Non–equilibrium processes in a quantum well of the resonant interband tunnelling heterostructures
    • Zakharova A.A., Gergel V.A., Petrov Igor
    • в сборнике Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology, место издания St. Peterburg, с. 289-291
  • 
    • 1994 Quasi-stationary acoustic charge transport in GaAs structures
    • Bugaev A.S., Zakharova A.A.
    • в сборнике Proceedings of the IEEE Ultrasonics Symposium. 1 Oct.-3 Nov. 1994, Cannes, France, с. 301-304 DOI
  • • 1983 Самофокусировка плоских волн в нелинейной, периодически модулированной среде
    • Захарова А.А., Балкарей Ю.И.
    • в сборнике Физические явления в приборах электронной и лазерной техники, место издания МФТИ Москва, МФТИ, с. 46-49
  • • 1981 Исследование некоторых неоднородных стационарных решений уравнений Фитц–Хью–Нагумо
    • Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
    • в сборнике Физические явления в приборах электронной и лазерной техники, место издания МФТИ Москва, МФТИ, с. 84-87

• Тезисы докладов

  • • 2009 Electron optical spin polarization in broken-gap heterostructures
    • Zakharova A., Chao K.A., Seminikhin I.
    • в сборнике Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics–2009”, место издания Zvenigorod, тезисы, с. O3-11
  • • 2009 Laser generation in broken-gap heterostructures
    • Semenikhin I., Chao K.A., Zakharova A.
    • в сборнике Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics–2009”, место издания Zvenigorod, тезисы, с. P2-11
  • • 2007 Effects of bulk inversion asymmetry on infrared optical transitions in InAs/GaSb quantum wells
    • Semenikhin I., Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A.
    • в сборнике International Conference "Micro-and nanoelectronics-2007" (ICMNE-2007), место издания Zvenigorod, тезисы, с. P1-15
  • • 2007 Межподзонные оптические переходы в квантовых ямах InAs/GaSb
    • Семенихин И., Захарова А., Nilsson K., Chao K.A.
    • в сборнике Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007", место издания г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН, тезисы, с. 153
  • • 2005 Modelling of spin polarization in InAs/GaSb quantum wells under a longitudinal current
    • Zakharova A., Lapushkin I., Yen S.T., Nilsson K., Chao K.A.
    • в сборнике Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics–2005”, место издания Zvenigorod, тезисы, с. O2-23
  • • 2005 Спиновая поляризация в квантовых ямах типа InAs/GaSb при пропускании тока вдоль оси структуры
    • Захарова А.А., Лапушкин И.Ю., Yen S.T., Nilsson K., Chao K.A.
    • в сборнике Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, место издания Звенигород, тезисы, с. 194
  • • 2004 Modeling of interband tunneling in broken-gap quantum devices under a quantizing magnetic field
    • Zakharova A., Nilsson K., Yen S.T., Chao K.A.
    • в сборнике Abstracts of International Symposium “Quantum Informatics–2004”, место издания Moscow, тезисы, с. 6-3
  • • 2003 Electronic band structure and semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells
    • Lapushkin I., Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в сборнике Proceedings of the International conference “Micro- and nanoelectronics-2003”, место издания Moscow-Zvenigorod, тезисы, с. P2-104
  • • 2003 New pecularities of interband tunneling in broken–gap heterostructures
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в сборнике Proceedings of the International conference “Micro- and nanoelectronics-2003”, место издания Moscow-Zvenigorod, тезисы, с. O3-71
  • • 2003 Структура подзон размерного квантования и фазовый переход полуметалл–полупроводник в квантовых ямах InAs/GaSb
    • Лапушкин И., Захарова А., Yen S.T., Chao K.A.
    • в сборнике Тезисы VI Российской конференции по физике полупроводников, место издания Санкт–Петербург, 2003 Санкт–Петербург, тезисы, с. 360-361
  • • 2002 Quantum computer on InAs/GaSb heterostructures
    • Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
    • в сборнике Abstracts of International Symposium “Quantum Informatics–2002”, место издания Zvenigorod, 2002, тезисы, с. 6
  • • 2001 Hybridization of electron, heavy–hole and light–hole states in InAs/AlGaSb heterostructures
    • Yen S.T., Zakharova A.A., Chao K.A.
    • в сборнике Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников, место издания Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 287
  • • 2000 Влияние напряжений на частоты межзонных оптических переходов в низкоразмерных гетероструктурах
    • Захарова А.А.
    • в сборнике Материалы III Международной конференции “Квантовая электроника”, место издания БГУ Минск, тезисы, с. 10-11
  • • 2000 Спектр квазичастиц и оптические переходы в напряженных квантовых ямах
    • Захарова А.А.
    • в сборнике Труды Международной конференции “Оптика полупроводников”, место издания УГУ, Ульяновск, тезисы, с. 103
  • • 1998 Моделирование вольт–амперных характеристик перспективных диодных наноструктур InAs/AlGaSb/GaSb с межзонным резонансным туннелированием
    • Лапушкин И.Ю., Захарова А.А., Гергель В.А.
    • в сборнике Тезисы докладов Российской конференции “Микроэлектроника–98”, тезисы, с. 63-64
  • • 1997 Особенности межзонного транспорта в туннельно–резонансных структурах типа InAs/AlSb/GaSb/AlSb/InAs
    • Лапушкин И.Ю., Гергель В.А., Захарова А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов III Российской конференции по физике полупроводников,, место издания Москва, тезисы, с. 185
  • • 1996 Межзонное туннелирование с рассеянием на оптических фононах в гетероструктурах второго типа
    • Захарова А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов II Российской конференции по физике полупроводников, место издания Зеленогорск, тезисы, с. 94
  • • 1996 Процессы переноса носителей в туннельно–резонансных гетероструктурах второго типа
    • Гергель В., Лапушкин И., Захарова А., Горонкин Х., Техрани С.
    • в сборнике Тезисы докладов II Российской конференции по физике полупроводников, место издания Зеленогорск, тезисы, с. 86
  • • 1995 Self–consistent I—V characteristic calculation of real RTS with type II heterojunctions
    • Gergel V., Lapushkin I., Zakharova A.
    • в сборнике Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology, место издания Ioffe St.Petersburg, Russia, 26-30 June, тезисы, с. 253-255
  • • 1994 Acoustic charge transport in semiconductor structures
    • Bugaev A.S., Zakharova A.A.
    • в сборнике Abstracts International Symposium on Surface Waves in Solids and Layered Structures, Moscow—St. Peterburg, тезисы, с. 66
  • • 1994 Interband tunnelling in single barrier structures: generation of electron–hole pairs and population inversion
    • Zakharova A.A., Vasko F.T.
    • в сборнике Abstracts of Russiаn Conference “Microelectronic’s 94”, место издания Zvenigorod, тезисы, с. 137-138
  • • 1994 New peculiarities of quasi–boundary state spectrum in the heterojunctions
    • Petrov I., Zakharova A.
    • в сборнике Abstracts 16 Pekar International Conference on Theory of Semiconductors, Donetsk—Odessa, 1994, тезисы, с. 21
  • • 1994 Non–equilibrium effects in the resonant interband tunnelling heterostructures
    • Zakharova A.A., Gergel V.A.
    • в сборнике Abstracts of Russiаn Conference “Microelectronic’s 94”, место издания Zvenigorod, тезисы, с. 467-468
  • • 1994 Quasi–stationary acoustic charge transport in GaAs structures
    • Bugaev A.S., Zakharova A.A.
    • в сборнике 1994 IEEE Ultrason. Symp, место издания Cannes, тезисы, с. 301-301
  • • 1993 Междузонное туннелирование в узкощелевых гетероструктурах: N-образие ВАХ, генерация электронно–дырочных пар и ориентация спина
    • Захарова А.А., Васько Ф.Т., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов II Украинской конференции “Материаловед. и физика полупроводниковых фаз переменного состава” (Нежин, 1993), место издания Нежин, тезисы, с. 52
  • • 1993 Прозрачность полупроводниковых гетероструктур с межзонным туннелированием квазичастиц
    • Захарова А.А., Песоцкий В.И., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993), с. 293, место издания Нижний Новгород, тезисы, с. 293
  • • 1992 Межзонное туннелирование квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
    • Захарова А.А., Рыжий В.И., Хренов Г.Ю.
    • в сборнике Тезисы докладов 15 Пекаровского совещания по теории полупроводников, место издания Донецк, тезисы, с. 56
  • • 1990 К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
    • Ершов М.Ю., Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов V Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, место издания Калуга, том 1, тезисы, с. 107
  • • 1990 Рассеяние горячих электронов на равновесных колебаниях дырочной плазмы
    • Федирко В.А., Захарова А.А.
    • в сборнике Математическое моделелирование физических процессов в полупроводниках и полупроводковых приборах, тезисы докладов IV Всесоюзного совещания, место издания Ярославль, тезисы, с. 103
  • • 1989 О расслоении электронно–дырочной плазмы полупроводников под действием мощного лазерного излучения
    • Захарова А.А., Рыжий В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов XIV Всесоюзного совещания по теории полупроводников, место издания Донецк, тезисы, с. 120
  • • 1989 Особенности высокочастотных характеристик биполярных гетеротранзисторов в условиях междолинного перераспределения неравновесных носителей в базе
    • Захарова А.А.
    • в сборнике Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и и полупроводниковых приборах, III Всесоюзное совещание, место издания Вильнюс, 1989 Паланга, тезисы, с. 81
  • • 1987 Математическое моделирование нестационарных процессов в биполярных гетеротранзисрах на основе квазигидродинамической модели
    • Захарова А.А., Лукшин А.В., Пищалко В.Д.
    • в сборнике Тезисы докладов I Всесоюзной конференции “Физические и физико-химические основы микроэлектроники”, место издания Вильнюс, тезисы, с. 415
  • • 1985 Неустойчивость неравновесной электрон–фононной системы с деформационным взаимодействием
    • Бугаев А.С., Захарова А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XII совещания по теории подупродников (Ташкент, 1985), место издания Ташкент, тезисы, с. 123