ИСТИНА

Кононина Анастасия Владимировна пользователь

Прежние места работы (Нажмите для отображения)

Соавторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Евсеев А.П., Назаров А.В., Миннебаев Д.К., Муратова Е.Н., Спивак Ю.М., Воробьева Е.А., Иешкин А.Е., Мерзук Б., Elsehly E.M., Erich M. показать полностью..., Kanyukov E., Petrovic S., Бабаин В.А., Бундюкова В.Д., Данилов А.В., Егоркин В.И., Калмыков С.Н., Костылев А.И., Магомедбеков Э.П., Меркушкин А.О., Пригодич В.В., Смирнов А.М., Тишкевич Д.И., Федотов Ю.С., Харитонов И.Д., Якимчук Д.В., Kutuza B.G., Mazgunova V.A., Божьев И.В., Гонгальский М.Б., Гончар К.А., Зверева Е.А., Каргина Ю.В., Кутузов М.Д., Мазгунова В.А.

27 статей, 32 доклада на конференциях, 1 тезисы доклада, 9 НИР, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 32, Scopus: 38

IstinaResearcherID (IRID): 58006463

ResearcherID: T-3522-2018

Деятельность

---

• Статьи в журналах

  • • 2022 Аморфизация кремниевых нанонитей при облучении ионами аргона
    • Кононина А.В., Балакшин Ю.В., Гончар К.А., Божьев И.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • в журнале Письма в "Журнал технической физики", издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 48, № 2, с. 11-14 DOI
  • • 2021 Influence of the implantation energy with Ar+ ions on the photoluminescence of porous silicon
    • Kozhemiako A.V., Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Spivak Yu M., Muratova E.N., Chernysh V.V.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), № 6, с. 590-595 DOI
  • 
    • 2020 Modification of SiO2(Au)/Si surfaces due to irradiation by argon ions
    • Bundyukova V.D., Yakimchuk D.V., Kaniukov E.Yu, Tishkevich D.I., Kutuzau M.D., Prigodich V.V., Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Nazarov A.V., Kozemyako A.V., Evseev A.P., Ieshkin A.E.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), № 3, с. 225-229 DOI
  • • 2020 Radiation-induced paramagnetic defects in porous silicon under He and Ar ion irradiation
    • Evseev A.P., Kozhemiako A.V., Kargina Yu V., Balakshin Yu V., Zvereva E.A., Chernysh V.S., Gongalsky M.B., Shemukhin A.A.
    • в журнале Radiation Physics and Chemistry, издательство Elsevier (United States), том 176 DOI
  • 
    • 2020 Recrystallization of the structure of silicon carbide under ion irradiation
    • Shemukhin A.A., Smirnov A.M., Evseev A.P., Vorobyeva E.A., Kozemyako A.V., Minnebaev D.K., Balakshin Yu V., Nazarov A.V., Chernysh V.S.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 75, № 2, с. 133-136 DOI
  • 
    • 2020 The Effect of Argon Ion Irradiation Parameters on the Photoluminescence Spectrum of Porous Silicon
    • Kozhemiako A.V., Evseev A.P., Spivak Yu M., Muratova E.N., Balakshin Yu V., Nazarov A.V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 75, № 5, с. 465-468 DOI
  • 
    • 2020 The Influence of Xenon and Argon Ion Irradiation Parameters on Defect Formation in Silicon
    • Balakshin Yu V., Kozhemiako A.V., Evseev A.P., Minnebaev D.K., Elsehly E.M.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 75, № 3, с. 218-224 DOI
  • • 2020 Влияние параметров облучения ионами аргона на спектр фотолюминесценции пористого кремния
    • Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Спивак Ю.М., Муратова Е.Н., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 5, с. 76-79
  • • 2020 Влияние параметров облучения ионами ксенона и аргона на дефектообразование в кремнии
    • Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Миннебаев Д.К., Elsehly E.M.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 3, с. 23-29
  • • 2020 Влияние энергии имплантации ионов Ar+ на фотолюминесценцию пористого кремния
    • Кожемяко А.В., Шемухин А.А., Назаров А.В., Спивак Ю.М., Муратова Е.Н., Черныш В.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 6, с. 69-74
  • • 2020 Модификация поверхности SiO2(Au)/Si при облучении ионами аргона
    • Бундюкова В.Д., Якимчук Д.В., Канюков Е.Ю., Тишкевич Д.И., Кутузов М.Д., Пригодич В.В., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Иешкин А.Е.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 3, с. 30-34
  • • 2020 Рекристаллизация структуры карбида кремния при ионном облучении
    • Шемухин А.А., Смирнов А.М., Евсеев А.П., Воробьева Е.А., Кожемяко А.В., Миннебаев Д.К., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Черныш В.С.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 2, с. 21-24
  • 
    • 2019 Effect of 4H-SiC Target Temperature under Ion Irradiation on the Distribution Profile of Al+ Ions
    • Shemukhin A.A., Evseev A.P., Kozhemiako A.V., Merzuk B., Egorkin V.I., Fedotov Yu S., Danilov A.V., Chernysh V.S.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 74, № 6, с. 47-51 DOI
  • 
    • 2019 Features of defect formation in nanostructured silicon under ion irradiation
    • Kozhemiako A.V., Evseev A.P., Balakshin Yu V., Shemukhin A.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 6, с. 800-805 DOI
  • 
    • 2019 Influence of the Charge State of Xenon Ions on the Depth Distribution Profile Upon Implantation into Silicon
    • Balakshin Yu V., Kozhemiako A.V., Petrovic S., Erich M., Shemukhin A.A., Chernysh V.S.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 8, с. 1011-1017 DOI
  • • 2019 Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний
    • Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Petrovic S., Erich M., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 53, № 8, с. 1030-1036 DOI
  • • 2019 Влияние температуры мишени 4H-SiC на профиль распределения ионов Al+ при ионном облучении
    • Шемухин А.А., Евсеев А.П., Кожемяко А.В., Мерзук Б., Егоркин В.И., Федотов Ю.С., Данилов А.В., Черныш В.С.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 6, с. 47-51
  • • 2019 Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении
    • Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 53, № 6, с. 810-815 DOI
  • 
    • 2018 A CVD Process for Producing Atomic Current Sources Based on 63Ni
    • Kharitonov I.D., Mazgunova V.A., Babain V.A., Kostylev A.I., Merkushkin A.O., Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Kozhemyako A.V., Kalmykov S.N., Magomedbekov E.P.
    • в журнале Radiochemistry, издательство Pleiades Publishing, Inc. (New York, USA), том 60, № 2, с. 158-163 DOI
  • 
    • 2018 CVD-технология производства атомных источников тока на основе 63Ni
    • Харитонов И.Д., Мазгунова В.А., Бабаин В.А., Костылев А.И., Меркушкин А.О., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Калмыков С.Н., Магомедбеков Э.П.
    • в журнале Радиохимия, издательство ИКЦ «Академкнига» (Москва), том 60, № 2, с. 143-147
  • 
    • 2018 In situ modification and analysis of the composition and crystal structure of a silicon target by Ion-beam methods
    • Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Kozhemiako A.V., Chernysh V.S.
    • в журнале Technical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 63, № 12, с. 1861-1867 DOI
  • • 2018 In situ модификация и анализ состава и кристаллической структуры кремниевой мишени с помощью ионно-пучковых методик
    • Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Назаров А.В., Кожемяко А.В., Черныш В.С.
    • в журнале Журнал технической физики, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 88, № 12, с. 1900-1907 DOI
  • • 2018 Исследования воздействия локализованного с помощью диэлектрических матриц ионизирующего излучения на живые системы
    • Мерзук Б., Миннебаев Д.К., Кожемяко А.В., Муратова Е.Н., Шемухин А.А.
    • в журнале Ученые записки физического факультета Московского Университета, № 2, с. 1820217–1-1820217–4
  • 
    • 2017 Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystal
    • Shemukhin A.A., Kozhemiako A.V., Balakshin Yu V., Chernysh V.S.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 917, с. 1-5 DOI
  • 
    • 2017 Study of the distribution profile of iron ions Implanted into silicon
    • Kozhemyako A.V., Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 51, № 6, с. 745-750 DOI
  • • 2017 Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний
    • Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 6, с. 778-782 DOI
  • • 2015 Влияние энергии ионов пучка Si+ на образование дефектов и твердофазную рекристаллизацию вблизи границы раздела кремний-сапфир
    • Шемухин А.А., Назаров А.В., Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 3, № 6, с. 537-541

• Доклады на конференциях

  • • 2021 Влияние флюенса ионного облучения на структуру многостенных углеродных нанотрубок (Стендовый)
    • Авторы: Евсеев А.П., Воробьева Е.А., Степанов А.В., Кононина А.В., Назаров А.В., Балакшин Ю.В., Иешкин А.Е., Шемухин А.А.
    • 50-я Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 25-27 мая 2021
  • • 2020 Исследование влияния ионно-индуцированных дефектов на фотолюминесценцию пористого кремния при имплантации ионов аргона (Стендовый)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Шемухин А.А., Муратова Е.Н.
    • VIII НАУЧНО- ПРАКТИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ «НАУКА НАСТОЯЩЕГО И БУДУЩЕГО» ДЛЯ СТУДЕНТОВ, АСПИРАНТОВ И МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ, Санкт-Петербург, Россия, 14-16 мая 2020
  • • 2019 Влияние дозы и энергии ионного облучения на спектр фотолюминесценции пористого кремния (Устный)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Шемухин А.А., Спивак Ю.М., Муратова Е.Н.
    • XX Межвузовская научная школа молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине» (Москва, Россия, 25-26 ноября 2019), Москва, Россия, 25-26 ноября 2019
  • • 2019 Radiation-induced defects in silicon nanomaterials (Стендовый)
    • Авторы: Evseev A.P., Kozhemiako A.V., Chernysh V.S., Shemukhin A.A., Balakshin Yu V.
    • 24th International Conference on Ion-Surface Interactions (ISI-2019), Москва, Россия, 19-23 августа 2019
  • • 2019 Сравнение комбинационного рассеяния света и резерфордовского обратного рассеяния на примере дефектообразования в кремнии (Стендовый)
    • Авторы: Бабайцев Г.В., Назаров А.В., Шемухин А.А., Черныш В.С., Евсеев А.П., Миннебаев Д.К., Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В.
    • 49-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, Россия, 28-30 мая 2019
  • • 2019 Сравнение потенциалов ион-атомного взаимодействия на примере рассеяния легких ионов от тонких пленок тантала (Стендовый)
    • Авторы: Бабайцев Г.В., Назаров А.В., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Миннебаев Д.К., Балакшин Ю.В., Черныш В.С.
    • 49-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, Россия, 28-30 мая 2019
  • • 2019 Особенности дефектообразования в кремниевых и углеродных наноструктурах под действием ионного облучения (Устный)
    • Авторы: Евсеев А.П., Кожемяко А.В., Миннебаев Д.К.
    • Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019», Москва, Россия, 11 апреля 2019
  • • 2018 Анализ структуры наноразмерного кремния с помощью ионных пучков (Стендовый)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Осминкина Л.А., Гонгальский М.Б., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Влияние зарядового состояния ионов ксенона на распределение по глубине в кремнии (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Назаров А.В., Бабайцев Г.В., Erich M., Черныш В.С., Никифорова П.М., Завильгельский А.Д., Petrovic S., Шемухин А.А.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Влияние параметров ионной имплантации на структурные и магнитные свойства наноразмерных кремния и углерода (Стендовый)
    • Авторы: Евсеев А.П., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Каргина Ю.В., Гонгальский М.Б.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Модификация и исследование кремниевых наноматериалов с помощью ионных пучков (Устный)
    • Авторы: Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Шемухин А.А., Миннебаев Д.К.
    • XV Международная научная конференция "Молодежь в науке – 2.0’18", Минск, Беларусь, 29 октября - 1 ноября 2018
  • • 2018 Исследование структуры пористого кремния с помощью ионных пучков (Устный)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Чуев В.М., Осминкина Л.А., Гонгальский М.Б., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • X Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых учёных «Диагностика наноматериалов и наноструктур», Рязань, Россия, 1-6 октября 2018
  • • 2018 Influence of xenon ions charge state on depth distribution during implantation in silicon (Стендовый)
    • Авторы: Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S., Erich M., Kozheimiako A.V., Petrovic S.
    • 28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-28), Кан, Франция, 2-6 июля 2018
  • • 2018 Ion beam modification of nano-dimensional silicon structures (Стендовый)
    • Авторы: Evseev A., Balakshin Yu, Osminkina L., Gongalsky M., Shemukhin A., Chernysh V., Kozhemiako A.
    • 28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-28), Кан, Франция, 2-6 июля 2018
  • • 2018 Irradiated porous silicon as a paramagnetic material for MRI imaging (Стендовый)
    • Авторы: Evseev A., Kargina Yu, Balakshin Yu, Shemukhin A., Kozheimiako A., Zvereva E., Pavlikov A., Minnenkhanov A., Gongalsky M., Chernysh V.
    • 28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-28), Кан, Франция, 2-6 июля 2018
  • • 2018 Влияние зарядового состояния ионов ксенона на проникновение и дефектообразование при имплантации в кремний (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Erich M., Черныш В.С., Petrovic S., Кожемяко А.В.
    • XLVIII Международная Тулиновская Конференция по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами, МГУ им. Ломоносова, Россия, 29-31 мая 2018
  • • 2018 Модификация свойств наноразмерного кремния с помощью ионных пучков (Устный)
    • Авторы: Шемухин А.А., Евсеев А.П., Кожемяко А.В.
    • XLVIII Международная Тулиновская Конференция по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами, МГУ им. Ломоносова, Россия, 29-31 мая 2018
  • • 2017 Изучение свойств модифицированных ионным облучением ультратонких слоев кремния на сапфире. (Устный)
    • Авторы: Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Кушкина К.Д., Миннебаев Д.К., Бурикова С.В., Евсеев А.П.
    • XVIII Межвузовская научная школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине", , Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, Москва, Россия, 4-5 декабря 2017
  • • 2017 Исследования воздействия локализованного с помощью диэлектрических матриц ионизирующего излучения на живые системы (Устный)
    • Авторы: Шемухин А.А., Муратова Е.Н., Бурикова С.В., Кожемяко А.В.
    • XVIII Межвузовская научная школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине", , Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, Москва, Россия, 4-5 декабря 2017
  • • 2017 Влияние параметров имплантации на удельное сопротивление пленок кремния на сапфировой подложке (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Евсеев А.П., Кожемяко А.В., Кушкина К.Д., Назаров А.В.
    • 47-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, Россия, 30 мая - 1 июня 2017
  • • 2017 Профиль распределения внедренной примеси при облучении монокристалла кремния ионами железа (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • 47-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, Россия, 30 мая - 1 июня 2017
  • • 2017 Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystal (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В.
    • 4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures "Saint-Petersburg OPEN 2017", Санкт-Петербург, Россия, 3-6 апреля 2017
  • • 2016 Изучение профилей имплантированного в кремний железа при энергиях 90 и 250 кэВ (Устный)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Черныш В.С., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В.
    • XVII Межвузовская научная школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине", Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, Россия, 28-29 ноября 2016
  • • 2016 Исследование профиля распределения внедренной примеси при облучении монокристалла кремния ионами железа при энергиях 90 И 250 кэВ (Устный)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Черныш В.С., Балакшин Ю.Б., Шемухин А.А.
    • XIV Курчатовская междисциплинарная молодежная научная школа, НИЦ "Курчатовский институт" Москва, Россия, 8-11 ноября 2016
  • • 2016 Influence of channeling under heavy ions implantation in silicon single crystal (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Petrovic S., Черныш В.С., Кожемяко А.В.
    • 27th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-27), Ланьчжоу, Китай, 24-29 июля 2016
  • • 2016 Influence of channeling under heavy ions implantation in silicon single crystal (Стендовый)
    • Авторы: Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Petrovic S., Chernysh V.S., Kozhemiako A.V., Balakshin Yu V.
    • 27th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-27), Ланьчжоу, Китай, 24-29 июля 2016
  • • 2016 ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССОВ КАНАЛИРОВАНИЯ И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ НА ПРОФИЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КСЕНОНА ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЯ (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Черныш В.С., Шемухин А.А.
    • XLVI международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 31 мая - 2 июня 2016
  • • 2016 Имплантация ионов ксенона в режиме каналирования в монокристалл кремния (110) (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Черныш В.С., Назаров А.В.
    • Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
  • • 2015 Влияние эффекта каналирования на профиль распределения внедренных частиц при облучении монокристалла Si (110) ионами Xe+ (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Шемухин А.А., Кожемяко А.В.
    • XVI межвузовская научная школа молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине», Москва, Россия, 24-25 ноября 2015
  • • 2015 Влияние ориентационных эффектов на профиль распределения примеси при облучении монокристалла Si (110) ионами Xe+" (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С., Кожемяко А.В.
    • XIII Курчатовская молодежная научная школа, НИЦ "Курчатовский институт", Россия, 27-30 октября 2015
  • • 2015 ВЛИЯНИЕ КАНАЛИРОВАНИЯ НА ПРОФИЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ И РАДИАЦИОННО­СТИМУЛИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЯ (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Srdjan Petrovic, Кожемяко А.В., Назаров А.В., Шемухин А.А.
    • XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 26-30 мая 2015
  • • 2015 Влияние параметров ионной имплантации на разупорядочение границы раздела в пленках кремния на сапфире (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Воробьева Е.А., Кожемяко А.В., Медведев В.А.
    • XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 26-30 мая 2015

• Тезисы докладов

  • • 2021 Влияние флюенса ионного облучения на структуру многостенных углеродных нанотрубок
    • Евсеев А.П., Воробьева Е.А., Степанов А.В., Кононина А.В., Назаров А.В., Балакшин Ю.В., Иешкин А.Е., Шемухин А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов 50-й Международной Тулиновской конференции "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, 25–27 мая 2021, место издания Москва: КДУ, Университетская книга, тезисы, с. 166

• НИРы

  • • 12 октября 2021 - 31 декабря 2023 Развитие синхротронных и нейтронных исследований и инфраструктуры для материалов энергетики нового поколения и безопасного захоронения радиоактивных отходов (НИИЯФ МГУ)
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Назаров А.В., Новиков Н.В. Участники НИР: Андрианов В.А., Бакурский С.В., Бибиков А.В., Васильев А.Н., Грум-Гржимайло А.Н., Грызлова Е.В., Джунь И.О., Евсеев А.П., Ермаков А.Н., Ермаков Ю.А., Жильченко К.С., Завильгельский А.Д., Заворотный Ю.С., Иванова Н.В., Кабачник Н.М., Киселев М.Д., Кононина А.В., Кузнецов А.А., Куприянов М.Ю., Лексина Е.Г., Макунин А.В., Марченко О.М., Машкова Е.С., Миннебаев Д.К., Мичурин С.В., Никитин С.М., Николаев А.В., Овчинников М.А., Попов Ю.В., Попова М.М., Рыбалтовский А.О., Спасский Д.А., Хайдуков Ю.Н., Ханкин В.В., Черныш В.С., Чеченин Н.Г., Широкова А.А., Шпорин А.Д., Юдин С.Н., Юров Д.С.
  • • 24 сентября 2021 - 10 ноября 2021 Облучение образцов керамических и цементных матриц электронами и альфа-частицами
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственный исполнитель: Балакшин Ю.В. Участники НИР: Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Ермаков А.Н., Кононина А.В., Назаров А.В., Ханкин В.В., Шведунов В.И., Юров Д.С.
  • • 10 августа 2021 - 27 августа 2021 Создание заглублённого дефектного слоя в алмазных пластинах методом ионной имплантации для отделения тонких пластин
    • Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Назаров А.В. Участники НИР: Евсеев А.П., Кононина А.В., Марченко О.М.
  • • 26 ноября 2020 - 14 декабря 2020 Облучение керамических и цементных матриц электронами и альфа-частицами
    • Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
    • Руководители: Шведунов В.И., Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Юров Д.С. Участники НИР: Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Ермаков А.Н., Кононина А.В., Назаров А.В., Ханкин В.В.
  • • 27 июля 2020 - 27 июля 2023 Ионное облучение как метод модифицирования электрических и оптических свойств углеродных наноструктур
    • Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Назаров А.В. Участники НИР: Иешкин А.Е., Кононина А.В., Миннебаев Д.К., Степанов А.В.
  • • 1 октября 2019 - 31 декабря 2021 Влияние ионно-индуцированных дефектов на оптические и магнитные свойства наноразмерного кремния
    • Физический факультет
    • Руководитель: Черныш В.С. Ответственный исполнитель: Кононина А.В.
  • • 22 марта 2018 - 19 марта 2020 Влияние ионного облучения на свойства наноразмерных частиц кремния
    • Физический факультет
    • Руководитель: Кононина А.В. Ответственный исполнитель: Евсеев А.П.
  • • 1 января 2016 - 31 декабря 2025 Модификация и анализ поверхности ионным облучением и электронная микроскопия
    • Физический факультет
    • Руководитель: Черныш В.С. Участники НИР: Гайнуллин И.К., Завидовский И.А., Зайцев С.В., Зыкова Е.Ю., Иваненко И.П., Иешкин А.Е., Киреев Д.С., Кононина А.В., Коробова О.П., Лукьянов А. ., Миннебаев Д.К., Миннебаев К.Ф., Нищак О.Ю., Озерова К.Е., Потапкина И.Ю., Рау Э.И., Савченко Н.Ф., Стрелецкий О.А., Татаринцев А.А., Третьяков Н.Е., Третьяков Н.Е., Хайдаров А.А., Хвостов В.В., Юрасова В.Е.
  • • 1 января 2015 - 31 декабря 2017 Влияние свойств границы раздела кремний-сапфир на характеристики ультратонких пленок кремния на сапфире
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Назаров А.В. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Кононина А.В., Назаров А.В.

• Диссертация

  • • 2022 Модификация свойств пористого кремния при помощи ионных пучков
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.04 - Физическая электроника (физ.-мат. науки)
    • Автор: Кононина Анастасия Владимировна
    • Научные руководители: Черныш Владимир Савельевич, д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова, Шемухин Андрей Александрович, к.ф.-м.н., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете МГУ.013.7(01.12) МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • Организация, в которой выполнялась работа: кафедра физической электроники физического факультета МГУ
    • Оппоненты: Крупенин Владимир Александрович, Борисов Анатолий Михайлович, Леньшин Александр Сергеевич
    • Объявление о защите

---