ИСТИНА

Асланян Артём Эдуардович пользователь

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики, аспирант, с 2 марта 2015

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики, младший научный сотрудник, с 1 сентября 2015

Соавторы: Авакянц Л.П., Червяков А.В., Боков П.Ю., Туркин А.Н., Polozhentsev K., Юнович А.Э., Волков В.В., Сабитов Д.Р., Коган Л.М., Матешев И.С., Положенцев К.Ю., Mirza S.S., Свяховский С.Е. показать полностью..., Kurashov V.N., Волков В.В., Курешов В.Р., Мазалов А.В., Митин И.В., Салецкий А.М.

13 статей, 2 книги, 16 докладов на конференциях, 12 тезисов докладов, 2 НИР, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 14, Scopus: 8

IstinaResearcherID (IRID): 27546618

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2020 Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantumwells by electrotransmission spectroscopy
    • Aslanyan A.E., Avakyants L.P., Chervyakov A.V., Turkin A.N., Mirzai S.S., Kureshov V.A., Sabitov D.R., Marmalyuk A.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 4, с. 495-500
  • 
    • 2020 Photoreflectance in monolayer mesoporous silicon structures
    • Avakyants L.P., Svyakhovskiy S.E., Aslanyan A.E., Chervyakov A.V.
    • в журнале Journal of Russian Laser Research, издательство Kluwer Academic/Plenum Publishers (United States), том 41, № 3, с. 207-214
  • 
    • 2020 Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED hetterostructures with different numbers of QWS
    • Aslanyan A.E., Avakyants L.P., Chervyakov A.V., Turkin A.N., Kureshov V.A., Sabitov D.R., Marmalyuk A.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 3, с. 362-365
  • • 2020 Исследование напряженности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе INGаN/GаN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
    • Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Туркин А.Н., Мирзаи С.С., Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 54, № 4, с. 420-425
  • • 2020 Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе INGаN/GaN с разным количеством квантовых ям
    • Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Туркин А.Н., Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 54, № 3, с. 292-295
  • 
    • 2019 Investigation into the distribution of built-in electric fields in led heterostructures with multiple GAN/INGAN quantum wells by electroreflectance spectoscopy
    • Aslanyan A.E., Avakyants L.P., Bokov P.Y., Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 4, с. 477-483
  • • 2019 Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
    • Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 53, № 4, с. 493-499
  • 
    • 2017 Electroreflectance spectra from multiple InGaN/GaN quantum wells in the nonuniform electric field of a p–n junction
    • Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Yu, Polozhentsev K.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 51, № 2, с. 189-192 DOI
  • 
    • 2017 Study of built-in electric field in active region of GaN/InGaN/AlGaNLEDs by electroreflectance spectroscopy
    • Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Polozhentsev K.Yu
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 130, № 4, с. 45-48 DOI
  • • 2017 Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p_n-перехода
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 2, с. 198-201
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в журнале Ученые записки физического факультета Московского Университета, № 3, с. 163401-1-163401-7
  • 
    • 2013 Linear Electro-Optic Effect in Electroreflectance Spectra of AlGaN/InGaN/GaN Light Emitting Diodes Structures
    • Avakyants Lev P., Aslanyan Artem E., Bokov Pavel Yu, Chervyakov Anatoly V., Polozhentsev Kirill Yu
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 52, с.  08JK11 DOI
  • 
    • 2012 The difference between reflectance and electroreflectance spectra of AlGaN/GaN/InGaN LED structures
    • Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 9, № 3-4, с. 818-821 DOI

• Книги

  • • 2019 Дифракция монохроматического излучения на периодических структурах. Лабораторный практикум по физике (оптика)
    • Митин И.В., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Асланян А.Э.
    • место издания Отдел оперативной печати физического факультета МГУ Москва, 14 с.
  • • 2017 Общий физический практикум (механика), задача №118 "Изучение свободных и вынужденных колебаний пружинного маятника"
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова Москва, 22 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2020 Photoreflectance spectroscopy of the mesoporous silicon structures (Устный)
    • Авторы: Svyakhovskiy S.E., Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Chervyakov A.V.
    • Saratov Fall Meeting 2020, Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия, 28 сентября - 2 октября 2020
  • • 2019 Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области (Устный)
    • Авторы: Червяков А.В., Туркин А.Н., Мазалов А.В., Курешов В.Р., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А., Асланян А.Э., Авакянц Л.П.
    • 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва, Россия, 15-16 мая 2019
  • • 2018 Photoreflectance Spectroscopy of Nonlinear Photonic Crystals (Стендовый)
    • Авторы: Свяховский С.Е., Асланян А.Е., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Боков П.Ю.
    • 18th International Conference on Laser Optics "ICLO 2018" (Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018 г.), г. Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018
  • • 2017 Electroreflectance study of built-in electric field distribution in GaN/InGaN multiple quantum wells (Устный)
    • Авторы: Avakyants L.P., Chervyakov A.V., Bokov P.Yu, Aslanyan A.E.
    • EMRS Fall Meeting 2017, Group III-Nitrides: fundamental research, optoelectronic devices and sensors, Варшава, Польша, 18-22 сентября 2017
  • • 2017 Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия (Устный)
    • Авторы: АВАКЯНЦ Л.П., АСЛАНЯН А.Э., БОКОВ П.Ю., ЮНОВИЧ А.Э., КОГАН Л.М., ТУРКИН А.Н., ЧЕРВЯКОВ А.В., ВОЛКОВ В.В.
    • 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", Москва, Россия, 24 мая 2017
  • • 2017 Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра (Стендовый)
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Юнович А.Э., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Коган Л.М.
    • 11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
  • • 2017 Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра (Устный)
    • Авторы: Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Юнович А.Э., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Авакянц Л.П.
    • 11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
  • • 2016 Особенности спектров электролюминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов. (Устный)
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • 7-я международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", Россия, 25 мая 2016
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия. (Устный)
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
  • • 2015 Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes (Стендовый)
    • Авторы: Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Polozhentsev K.Y., Chervyakov A.V., Bokov P.Y.
    • 2nd International conference on enhances spectroscopies, Мессина, Италия, 12-15 октября 2015
  • • 2015 Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражения
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Червяков А.В., Положенцев К.Ю., Боков П.Ю.
    • 10-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы», Санкт-Петербург, Россия, 23-25 марта 2015
  • • 2014 Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
    • Авторы: Avakyants L., Aslanyan A., Polozhentsev K., Chervyakov A., Bokov P.
    • 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
  • • 2014 Evaluation of the Internal Electric Field Inhomogeneities in Multiple InGaN/GaN Quantum Wells Structures Using Electroreflectance Spectroscopy
    • Авторы: Avakyants L., Aslanyan A., Polozhentsev K., Charvyakov A., Bokov P.
    • International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2014, Wroclaw, Poland, 24-29 August 2014, Польша, 2014
  • • 2013 Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Червяков А.В., Положенцев К.Ю., Боков П.Ю.
    • 9-я Всероссийская конференция НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ, Москва, физический факультет МГУ, Россия, 2013
  • • 2013 Электроотражение от множественных квантовых ям InGaN, помещенных в неоднородное электрическое поле pn перехода
    • Авторы: Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю.
    • 15-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 25-29 ноября 2013 года, Россия, 2013
  • • 2012 Electrooptical effect in electroreflectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Polozhentsev K., Червяков А.В., Боков П.Ю.
    • International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012, Sapporo, Japan, Япония, 2012

• Тезисы докладов

  • • 2019 Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
    • Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Туркин А.Н., Мазалов А.В., Курешов В.Р., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, серия Сборник трудов, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва, тезисы, с. 196-197
  • • 2018 Photoreflectance Spectroscopy of Nonlinear Photonic Crystals
    • Свяховский С.Е., Асланян А.Е., Боков П.Ю., Червяков А.В., Авакянц Л.П.
    • в сборнике 2018 International Conference Laser Optics (ICLO), серия IEEE, место издания IEEE, тезисы
  • • 2017 Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017), место издания Москва, тезисы, с. 88-89
  • • 2017 Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения". Сборник трудов, место издания НИЯУ "МИФИ" Москва, тезисы, с. 144-145
  • • 2017 Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра 90
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017), место издания Москва, тезисы, с. 90-91
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ – 2016. СЕКЦИЯ ФИЗИКИ. Сборник тезисов докладов, место издания М., Физический факультет МГУ, тезисы, с. 7-8
  • • 2016 Особенности спектров электро-люминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 7-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 25 мая 2016 года, Москва, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 129-130
  • • 2015 Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes
    • Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Y., Chervyakov A.V., Polozhentsev K.Y.
    • в сборнике Сборник тезисов 2nd International conference on enhances spectroscopies, Мессина, Италия, место издания Мессина, Италия, тезисы
  • • 2015 Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражения
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015), место издания Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, тезисы
  • • 2014 Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
    • Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
    • в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
  • • 2013 Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2013), место издания МГУ Москва, тезисы
  • • 2012 Electrooptical effect in electroreflectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
    • Авакянц Л.П., Aslanyan A., Боков П.Ю., Червяков А.В., Polozhentsev K.
    • в сборнике Тезисы докладов International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012, Sapporo, Japan, Япония, 2012, место издания Саппоро, Япония, тезисы

• НИРы

  • • 1 декабря 2014 - 31 декабря 2015 Время жизни фотовозбужденных носителей и фазочувствительный анализ спектров фотоотражения
    • Физический факультет
    • Руководитель: Боков П.Ю. Участники НИР: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Лялин И.И., Мещанкин А.В., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
  • • 1 января 2013 - 31 декабря 2014 Исследование встроенных пьезоэлектрических полей в квантовых структурах на основе соединений А3N методами модуляционной спектроскопии
    • Физический факультет
    • Руководитель: Авакянц Л.П. Участники НИР: Асланян А.Э., Боков П.Ю., Лялин И.И., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.

• Диссертация

  • • 2019 Модуляционная спектроскопия светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Асланян Артём Эдуардович, МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научный руководитель: Авакянц Лев Павлович, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете МГУ.013.6(МГУ.01.08) МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Оппоненты: Образцова Елена Дмитриевна, Горелик Владимир Семёнович, Снигирёв Олег Васильевич