Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
отправить сообщение
Казанский Андрей Георгиевич
пользователь
доктор физико-математических наук с 1994 года
профессор по специальности № 01.04.10 с 13 апреля 2007 г.
Прежние места работы
(Нажмите для отображения)
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
, ведущий научный сотрудник, 1 апреля 1970 - 31 мая 2008
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
, главный научный сотрудник, 1 июня 2008 - 6 ноября 2016
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
, профессор, 7 ноября 2016 - 15 июля 2021
Соавторы:
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
,
Амасев Д.В.
,
Кашкаров П.К.
,
Емельянов А.В.
,
Kazansky P.
,
Тамеев А.Р.
,
Кошелев О.Г.
,
Beresna M.
,
Малов В.В.
,
Курова И.А.
,
Gecevicius M.
,
Drevinskas R.
показать полностью...
,
Заботнов С.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
,
Саитов Ш.Р.
,
Преснов Д.Е.
,
Михалевич В.Г.
,
Козюхин С.А.
,
Савин К.А.
,
Шулейко Д.В.
,
Konkov O.I.
,
Ванников А.В.
,
Павликов А.В.
,
KONG G.
,
Вавилов В.С.
,
Мартышов М.Н.
,
Чукичев М.В.
,
Мацукатова А.Н.
,
Новиков С.В.
,
Теруков Е.И.
,
Forsh E.A.
,
MILICHEVICH E.P.
,
Жигунов Д.М.
,
Константинова Е.А.
,
Орлов Д.В.
,
Тедорадзе М.Г.
,
Khomich A.A.
,
Kukin A.V.
,
Svirko y.
,
Ильин А.С.
,
Кульбачинский В.А.
,
Кутузов Н.П.
,
Форш Е.А.
,
Altanzog P.A.
,
Berkovits V.L.
,
Bert N.A.
,
Chadraabal C.
,
DRYZEK A.
,
Esmaelli-Rad M.R.
,
Fenukhin А.V.
,
Forsh P.
,
Hueschen M.R.
,
KATS E.
,
Konnikov S.G.
,
Korol A.S.
,
Kougiya K.V.
,
Laskovskii V.L.
,
Martynas B.
,
Matulaitienė I.
,
Mindaugas G.
,
Modu B.
,
Myagkova L.A.
,
Niaura G.
,
Orekhov D.L.
,
Pavlikov А.
,
Petrova N.N.
,
Ramsh S.M.
,
Rybalko P.D.
,
Sazonov A.Y.
,
Svetlichnyi V.M.
,
Vanniov A.
,
Zabolotskaya А.V.
,
Zhang G.
,
Александров А.Е.
,
Баранов А.А.
,
Васильев Р.Б.
,
Вихров С.П.
,
Воронцов А.С.
,
Головань Л.А.
,
Дудник А.О.
,
Жиленко М.П.
,
Зарифьянц Ю.А.
,
Иванов В.К.
,
Козлов С.Н.
,
Король А.С.
,
Ларина Э.В.
,
Ларкин С.Ю.
,
Либина Н.В.
,
Любин Е.В.
,
Лясковский В.Л.
,
Мatsukatova A.N.
,
Малов М.Ю.
,
Манцевич В.Н.
,
Мелл Х.
,
Мельников А.Е.
,
Новиков Е.И.
,
Орехов Д.Л.
,
Пархоменко И.Н.
,
Перминов П.А.
,
Перченко Е.М.
,
Попов С.В.
,
Потёмкин Ф.В.
,
Романов И.А.
,
Рыбалко П.Д.
,
Садовников А.А.
,
Саиджонов Б.М.
,
Свяховский С.Е.
,
Смирнов А.М.
,
Текшина Е.B.
,
Теруков Е.И.
,
Чернега Н.В.
,
Чжан Ц.
178 статей
,
1 книга
,
86 докладов на конференциях
,
132 тезисов докладов
,
6 НИР
,
5 патентов
,
3 научного отчёта
,
1 награда
,
3 членства в редколлегиях журналов
,
45 членств в программных комитетах
,
5 членств в диссертационных советах
,
8 диссертаций
,
36 дипломных работ
,
21 курсовая работа
,
12 учебных курсов
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 548, Scopus: 506
РИНЦ:
IstinaResearcherID (IRID): 584908
ResearcherID:
D-2422-2013
Scopus Author ID:
7006235616
Деятельность
Статьи в журналах
2023
Photoconductivity and electronic processes in PCDTBT polymer composite with embedded CdSe nanoplatelets
Saitov Shamil R.
,
Amasev Dmitriy V.
,
Aleksandrov Alexey E.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Saidzhonov Bedil M.
,
Melnikov Aleksandr E.
,
Zhang Guihang
,
Tameev Alexey R.
,
Vasiliev Roman B.
,
Smirnov Aleksandr M.
,
Mantsevich Vladimir N.
в журнале
Organic Electronics
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 112, с. 106693
DOI
2021
Effect of the heat treatment of CH3NH3PbI3 perovskite on its electrical and photoelectric properties
Amasev Dmitriy V.
,
Saitov Shamil R.
,
Mikhalevich Vladislav G.
,
Tameev Alexey R.
,
Kazanskii Andrey G.
в журнале
Mendeleev Communications
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 31, № 4, с. 469-470
DOI
2021
Electronic processes in organic–inorganic composite P3HT with silicon nanocrystals
Savin Konstantin
,
Forsh Pavel
,
Forsh Ekaterina
,
Kazanskii Andrey
в журнале
Applied Physics Letters
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 118, с. 183302-1-183302-5
DOI
2021
Fabricating Femtosecond Laser-Induced Periodic Surface Structures with Electrophysical Anisotropy on Amorphous Silicon
Shuleiko Dmitrii
,
Martyshov Mikhail
,
Amasev Dmitrii
,
Presnov Denis
,
Zabotnov Stanislav
,
Golovan Leonid
,
Kazanskii Andrei
,
Kashkarov Pavel
в журнале
Nanomaterials
, издательство
MDPI
(Basel, Switzerland)
, том 11, № 1, с. 1-16
DOI
2020
A simple approach for determination of density of states distribution in an organic photoconductor
Saitov Shamil R.
,
Amasev Dmitriy V.
,
Tameev Alexey R.
,
Kazanskii Andrei G.
в журнале
Organic Electronics
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 86, с. 105889-1-105889-5
DOI
2020
Electrophysical and Photoelectric Properties of Poly-3-Hexylthiophene Modified with Silicon Nanoparticles
Savin K.
,
Forsh P.
,
Kazanskiy A.
,
Amasev D.
,
Tameev A.
,
Tedoradze M.
,
Presnov D.
,
Forsh E.
,
Kulbachinskii V.
,
Kaskarov P.
в журнале
Nanotechnologies in Russia
, том 15, № 11-12, с. 770-777
DOI
2020
Fabrication of Anisotropic Structures on the Surface of Amorphous Silicon by Femtosecond Laser Pulses
Shuleiko Dmitrii V.
,
Martyshov Mikhail N.
,
Orlov Danila V.
,
Presnov Denis E.
,
Zabotnov Stanislav V.
,
Kazanskii Andrei G.
,
Kashkarov Pavel K.
в журнале
Solid State Phenomena
, том 312, с. 192-199
DOI
2020
Formation of a Two-Phase Structure in CH3NH3PbI3 Organometallic Perovskite
Amasev D.V.
,
Mikhalevich V.G.
,
Tameev A.R.
,
Saitov Sh R.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 6, с. 543-546
DOI
2020
Humidity Sensing Properties of Organometallic Perovskite CH3NH3PbI3
Ilin A.S.
,
Forsh P.A.
,
Martyshov M.N.
,
Kazanskii A.G.
,
Forsh E.A.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
ChemistrySelect
, том 5, № 22, с. 6705-6708
DOI
2020
The effect of the air environment and prolonged illumination on conductivity and photoconductivity of organic-inorganic perovskite CH3NH3PbI3 films
Amasev D.V.
, Krivogina E.V., Khalipova O.S.,
Zabolotskaya А.V.
, Kozik V.V., Ivonin I.V., Kozyukhin S.A.,
Kazanskii A.G.
в журнале
Journal of Physics: Conference Series
, издательство
IOP Publishing
([Bristol, UK], England)
, том 1611, с. 012043-1-012043-6
DOI
2020
Формирование двухфазной структуры в металлоорганическом перовските CH3NH3PbI3
Амасев Д.В.
, Михалевич В.Г.,
Тамеев А.Р.
,
Саитов Ш.Р.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 54, № 6, с. 543-546.
DOI
2020
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛИ-3-ГЕКСИЛТИОФЕНА, МОДИФИЦИРОВАННОГО НАНОЧАСТИЦАМИ КРЕМНИЯ
Савин К.А.
,
Форш П.А.
,
Казанский А.Г.
,
Амасев Д.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Тедорадзе М.Г.
,
Преснов Д.Е.
,
Форш Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Кашкаров П.К.
в журнале
Российские нанотехнологии
, издательство
Парк-медиа
(М.)
, том 15, № 6, с. 794-802
DOI
2019
Conductivity and Density of States of New Polyphenylquinoline
Saitov Shamil R.
,
Amasev Dmitriy V.
,
Tameev Alexey R.
,
Malov Vladimir V.
,
Tedoradze Marine G.
, Svetlichnyi Valentin M., Myagkova Lyudmila A., Popova Elena N.,
Kazanskii Andrey G.
в журнале
Polymers
, издательство
MDPI
(Basel, Switzerland)
, том 11, № 6, с. 934
DOI
2019
Features of the Temperature Dependences of the Photoconductivity of Organometallic CH3NH3PbI3 Perovskite Films
Amasev D.V.
,
Tameev A.R.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 12, с. 1597-1602
DOI
2019
Особенности температурных зависимостей фотопроводимости пленок металлоорганического перовскита CH3NH3PbI3
Амасев Д.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 53, № 12, с. 1625-1630
DOI
2018
Femtosecond laser pulse modification of amorphous silicon films: control of surface anisotropy
Shuleiko D.V.
,
Potemkin F.V.
,
Romanov I.A.
,
Parhomenko I.N.
,
Pavlikov A.V.
,
Presnov D.E.
,
Zabotnov S.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Laser Physics Letters
, издательство
Wiley - VCH Verlag GmbH & CO. KGaA
(Germany)
, том 15, с. 056001-1-056001-8
DOI
2018
Giant enhancement of free charge carrier concentration in boron-doped amorphous hydrogenated silicon under femtosecond laser crystallization
Pavlikov A.V.
,
Forsh P.A.
,
Sviakhovskiy S.E.
,
Matsukatova A.N.
,
Forsh E.A.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Applied Physics Letters
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 113, с. 203103-1-203103-4
DOI
2018
Влияние окружающей среды и длительного освещения на проводимость и фотопроводимость пленок металлоорганического перовскита CH3NH3PbI3
Амасев Д.В.
,
Козюхин С.А.
,
Текшина Е.B.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Ученые записки физического факультета Московского Университета
, № 3, с. 1830501-1-1830501-5
2018
Электрические и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полимера — производного полифенилхинолина
Саитов Ш.Р.
,
Амасев Д.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Малов В.В.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Ученые записки физического факультета Московского Университета
, № 3, с. 1830502-1-1830502-5
2017
Anisotropy of Optical, Electrical and Photoelectrical Properties of Amorphous Hydrogenated Silicon Films Modified by Femtosecond Laser Irradiation
Amasev D.V.
,
Khenkin M.V.
,
Drevinskas R.
,
Kazansky P.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Technical Physics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 62, № 6, с. 925-929
2017
Temperature and spectral dependence of CH3NH3PbI3 films photoconductivity
Khenkin M.V.
,
Amasev D.V.
,
Kozyukhin S.A.
,
Sadovnikov A.V.
,
Katz E.A.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Applied Physics Letters
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 110, с. 222107-1-222107-5
DOI
2017
Ultrafast Laser-Induced Metasurfaces for Geometric Phase Manipulation
Drevinskas R., Beresna M.,
Zhang J.
,
Kazanskii A.G.
,
Kazansky P.G.
в журнале
Advanced Optical Materials
, том 5, № 1, с. 1600575-1-1600575-7
DOI
2017
Unravelling a simple method for the low temperature synthesis of silicon nanocrystals and monolithic nanocrystalline thin film
Kim K.H., Johnson E.V.,
Kazanskii A.G.
,
Khenkin M.V.
, Roca i.Cabarrocas P
в журнале
Scientific reports
, издательство
Nature Publishing Group
(United Kingdom)
, том 7, № 1, с. 40553-1-40553-11
DOI
2017
Анизотропия оптических, электрических и фотоэлектрических свойств модифицированных фемтосекундным лазерным облучением пленок аморфного гидрогенизированного кремния
Амасев Д.В.
,
Хенкин М.В.
,
Drevinskas R.
,
Kazansky P.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Журнал технической физики
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 87, № 6, с. 909-913
2017
Анизотропное микро– и наноструктурирование пленок аморфного кремния фемтосекундными лазерными импульсами
Заботнов С.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
,
Павликов А.В.
,
Преснов Д.Е.
, Романов И.А.,
Шулейко Д.В.
в журнале
Ученые записки физического факультета Московского Университета
, № 4, с. 1740601-1-1740601-8
2016
Femtosecond laser crystallization of boron-doped amorphous hydrogenated silicon films
Rybalko P.D.,
Khenkin M.V.
,
Forsh P.A.
,
Drevinskas R.
,
Мatsukatova A.N.
,
Kazansky P.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Journal of Nano- and Electronic Physics
, том 8, № 3, с. 03038-1-03038-3
2016
Gaussian approximation of the spectral dependence of the absorption spectrum in polymer semiconductors
Malov V.V.
,
Tameev A.R.
,
Novikov S.V.
, Khenkin M.V.,
Kazanskii A.G.
,
Vannikov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 4, с. 482-486
2016
Laser material processing with tightly focused cylindrical vector beams
Drevinskas R., Zhang J., Beresna M., Gecevičius M.,
Kazanskii A.G.
,
Svirko Y.P.
, Kazansky P.G.
в журнале
Applied Physics Letters
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 108, № 22, с. 221107-1-221107-5
DOI
2016
Study of the correlation properties of the surface structure of nc-Si/a-Si:H films with different fractions of the crystalline phase
Alpatov A.V., Vikhrov S.P.,
Kazanskii A.G.
, Lyaskovskii V.L., Rybin N.B., Rybina N.V., Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 5, с. 590-595
2016
Гауссова аппроксимация спектральной зависимости коэффициента поглощения в полимерном полупроводнике
Малов В.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Новиков С.В.
,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Ванников А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 50, с. 489-493
2016
Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок nc-Si/a-Si:H с различной долей кристаллической фазы
Алпатов А.В.,
Вихров С.П.
,
Казанский А.Г.
,
Лясковский В.Л.
, Рыбин Н.Б.,
Рыбина Н.В.
,
Форш П.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 50, № 5, с. 600-606
2015
Giant birefringence and dichroism induced by femto- and picosecond light pulses in hydrogenated amorphous silicon
Drevinskas R.
,
Beresna M.
, Gecevičius M.,
Khenkin M.
,
Kazanskii A.G.
,
Matulaitienė I.
,
Niaura G.
,
Konkov O.I.
,
Terukov E.I.
,
Kazansky P.G.
в журнале
Applied Physics Letters
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 106, с. 171106-1-171106-5
DOI
2015
Hydrogenation of Laser-crystallized a-Si:H Films
Khenkin M.V.
,
Amasev D.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
в журнале
Journal of Nano- and Electronic Physics
, том 7, № 9, с. 03041-1-02041-6
2015
Photoconductivity of Low-Bandgap Polymer and Polymer:Fullerene Bulk Heterojunction Studied by Constant Photocurrent Method
Malov V.V.
,
Tameev A.R.
,
Novikov S.V.
,
Khenkin M.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Vannikov A.V.
в журнале
Organic Photonics and Photovoltaics
, том 3, № 1, с. 156-160
DOI
2015
Photoluminescence Features of Hydrogenated Silicon Films with Amorphous/Nanocrystalline Mixed Phase
Emelyanov A.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
,
Zhigunov D.M.
,
Khenkin M.V.
,
Petrova N.N.
,
Kukin A.V.
,
Terukov E.I.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
, издательство
American Scientific Publishers
(United States)
, том 10, № 5, с. 649-652
DOI
2015
The influence of an air atmosphere on the electrical properties of two-phase films of hydrogenated silicon
Khenkin M.V.
,
Amasev D.V.
,
Vorontsov A.S.
,
Forsh P.A.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 70, № 4, с. 277-281
2015
Влияние атмосферы воздуха на электрические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния
Хенкин М.В., Амасев Д.В., Воронцов А.С.,
Форш П.А.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 4, с. 60-65
2015
Тонкопленочные кремниевые солнечные элементы на гибких подложках
Казанский А.Г.
в журнале
Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии
, издательство
Общероссийская общественная организация Российская академия естественных наук
(Москва)
, том 7, № 1, с. 15-24
DOI
2014
Determining the optical absorption edge in organic semiconductor composites with a bulk heterojunction by the constant photocurrent method
Malov V.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Khenkin M.V.
,
Tameev A.R.
в журнале
Technical Physics Letters
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 40, № 9, с. 735-738
2014
Effect of Laser Wavelength on Structure and Photoelectric Properties of a-Si:H Films Crystallized by Femtosecond Laser Pulses
Khenkin M.V.
,
Amasev D.V.
,
Dudnik A.O.
,
Emelyanov A.V.
,
Forsh P.A.
,
Kazanskii A.G.
,
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в журнале
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
, издательство
American Scientific Publishers
(United States)
, том 9, № 6, с. 728-733
DOI
2014
Effect of hydrogen concentration on structure and photoelectric properties of a-Si:H films modified by femtosecond laser pulses
Khenkin M.
,
Kazanskii A.
,
Emelyanov A.
,
Forsh P.
,
Beresna M.
,
Gecevicius M.
,
Kazansky P.
в журнале
Canadian Journal of Physics
, издательство
NRC Research Press
(Canada)
, том 92, № 7/8, с. 883-887
2014
Femtosecond laser induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon for photovoltaic applications
Emelyanov Andrey V.
,
Khenkin Mark V.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Forsh Pavel A.
,
Kashkarov Pavel K.
,
Gecevicius Mindaugas
,
Beresna Martynas
,
Kazansky Peter G.
в журнале
Thin Solid Films
, издательство
Elsevier Sequoia
(Switzerland)
, том 556, с. 410-413
DOI
2014
Modification of the structure and hydrogen content of amorphous hydrogenated silicon films under conditions of femtosecond laser-induced crystallization
Emelyanov A.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
, Konkov O.I.,
Kutuzov N.P.
,
Laskovskii V.L.
,
Forsh P.A.
,
Khenkin M.V.
в журнале
Technical Physics Letters
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 40, № 2, с. 141-144
2014
Изменение структуры пленок аморфного гидрогенизированного кремния и концентрации водорода в них при фемтосекундной лазерной кристаллизации
Емельянов А.В.,
Кашкаров П.К.
,
Коньков О.И.
,
Кутузов Н.П.
, Лясковский В.Л., Форш П.А.,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Письма в "Журнал технической физики"
, издательство
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
(Москва)
, том 40, № 4, с. 1-8
2014
Определение края оптического поглощения в органических полупроводниковых композитах с объемным гетеропереходом методом постоянного фототока
Малов В.В.
,
Хенкин М.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Письма в "Журнал технической физики"
, издательство
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
(Москва)
, том 40, № 17, с. 22-29
2013
Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films
Emelyanov A.V.
,
Konstantinova E.A.
, Forsh P.A.,
Kazanskii A.G.
,
Khenkin M.V.
, Petrova N.N., Terukov E.I., Kirilenko D.A.,
Bert N.A.
,
Konnikov S.G.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
JETP Letters
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 97, № 8, с. 466-469
2013
Influence of the fabrication conditions of polymorphous silicon films on their structural, electrical and optical properties
Khenkin M.V.
,
Emelyanov A.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
,
Kashkarov P.K.
, Terukov E.I.,
Orekhov D.L.
, Roca i.Cabarrocas P
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 9, с. 1271-1274
2013
Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства
Хенкин М.В., Емельянов А.В.,
Форш П.А.
,
Кашкаров П.К.
, Теруков Е.И.,
Орехов Д.Л.
,
Казанский А.Г.
, Cabarrocas P.Roca i
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 47, № 9, с. 1283-1286
2013
Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния
Емельянов А.В.,
Константинова Е.А.
,
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
, Петрова Н.Н., Теруков Е.И., Кириленко Д.А., Берт Н.А., Конников С.Г.,
Кашкаров П.К.
в журнале
Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
, том 97, № 8, с. 536-540
2013
Тонкопленочные солнечные элементы в прошлом и будущем
Кашкаров П.К.
,
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Емельянов А.В.
в журнале
Природа
, издательство
ФГБУ "Издательство "Наука"
(Москва)
, № 12, с. 56-64
2012
Effect of the femtosecond laser treatment of hydrogenated amorphous silicon films on their structural, optical, and photoelectric properties
Emelyanov A.
,
Kazanskii A.
,
Kashkarov P.
, Konkov O.,
Terukov E.
,
Forsh P.
,
Khenkin M.
, Kukin A.,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 46, № 6, с. 749-754
DOI
2012
Structural and electrophysical properties of femtosecond laser exposed hydrogenated amorphous silicon films
Emelyanov Andrey V.
,
Khenkin Mark V.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Forsh Pavel A.
, Kashkarov Pavel K.,
Lyubin Evgeny V.
,
Khomich Andrey A.
,
Mindaugas Gecevicius
,
Martynas Beresna
,
Kazansky Peter G.
в журнале
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
, издательство
SPIE, the International Society for Optical Engineering
(Bellingham, WA, United States)
, том 8438, с. 84381I-1-84381I-8
DOI
2012
Visible luminescence from hydrogenated amorphous silicon modified by femtosecond laser radiation
Emelyanov Andrey V.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Khenkin Mark V.
,
Forsh Pavel A.
,
Kashkarov Pavel K.
,
Gecevicius Mindaugas
,
Beresna Martynas
,
Kazansky Peter G.
в журнале
Applied Physics Letters
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 101, № 8, с. 081902
DOI
2012
Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства
Емельянов А.В.,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
,
Коньков О.И.
, Теруков Е.И.,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
,
Кукин А.В.
,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 46, № 6, с. 769-774
2012
Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в тонких пленках гидрированного кремния методом постоянного фототока с модулированным возбуждением
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
,
Ларкин С.Ю.
,
Новиков Е.И.
,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
в журнале
Электроника и связь
, том 67, № 2, с. 5-9
2012
Фемтосекундная лазерная кристаллизация пленок гидрогенезированного аморфного кремния
Емельянов А.В.
, Перминов П.А.,
Форш П.А.
,
Заботнов С.В.
,
Казанский А.Г.
,
Хенкин М.В.
,
Кашкаров П.К.
в журнале
Наноматериалы и нанотехнологии
, № 1, с. 40-46
2012
Фотоэлектрические и оптические свойства пленок полиморфного кремния, полученных при различных температурах
Хенкин М.В.
,
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
,
Форш П.А.
в журнале
Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета
, том 42, № 4, часть 2, с. 47-51
2011
Specific features of photoelectric and optical properties of amorphous hydrogenated silicon films produced by plasmochemical deposition from monosilane-hydrogen mixture
Kazanskii A.G.
,
Terukov E.I.
,
Forsh P.A.
,
Khenkin M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 45, № 4, с. 510-514
2011
Особенности фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом
Теруков Е.И.,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 45, № 4, с. 518-523
2010
Effect of light soaking on CPM absorption spectra in silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
Kazanskii A.G.
, Kong G., X Zeng X., Hao H.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, том 7, № 3-4, с. 666-669
DOI
2010
Photoconductivity of two-phase hydrogenated silicon films
Kazanskii A.G.
, Terukov E.I.,
Forsh P.A.
, Kleider J.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 44, № 4, с. 494-497
DOI
2009
Фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния
Казанский А.Г.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 1, с. 12-21
2008
Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
Kazanskii A.G.
, Kong G., Zeng X., Hao H., Liu F.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 354, с. 2282-2285
2008
Photoconductivity of thin a-Si : H films
Kazanskii A.G.
,
Koshelev O.G.
,
Sazonov A.Yu
,
Khomich A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 2, с. 192-194
DOI
2007
Influence of the Molecular Structure of Copper Phthalocyanines on Their Ordering in Thin Films and Photoluminescence and Absorption Spectra
Berkovits V.L.
, Ziminov A.V.,
Kazanskii A.G.
, Kolos'ko A.G.,
Ramsh S.M.
, Terukov E.I., Fenukhin A.V., Ulin V.P., Yurre T.A., Kleider J.P.
в журнале
Physics of the Solid State
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 49, № 2, с. 272-277
DOI
2007
Optical properties of nanocrystalline silicon deposited by PECVD
Kazanskii A.G.
,
Esmaelli-Rad M.R.
, Sazonov A., Kchomich A.A., Nathan N.
в журнале
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
, издательство
Springer Nature
(Switzerland)
, том 18, с. S405-S409
2007
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок гидрированного кремния в области перехода от аморфной к нанокристаллической структуре
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
, Kong G., Zeng X.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 3, с. 41-47
2006
Absorption spectra of organic semiconductors in IR-range measured by constant photocurrent method
Fenukhin А.V.
,
Kazanskii A.G.
, Kolosko A.G., Terukov E.I., Ziminov A.V.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 352, с. 1668-1670
2006
Electron field emission from nano-crystalline Si films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature
He D.Y., Wang X.Q., Chen Q., Li J.S., Yin M., Karabutov A.V.,
Kazanskii A.G.
в журнале
Chinese Science Bulletin
, издательство
Zhongguo Kexue Zazhishe/Science in China Press
(China)
, том 51, № 5, с. 510-514
DOI
2006
Modulated photoconductivity method for investigation of band gap state distribution in silicon-based thin films
Kazanskii A.G.
, Khabarova K.Yu, Terukov E.I.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 352, с. 1176-1179
2006
Фотоиндуцированные изменения плотности электронных состояний в щели подвижности компенсированного a-Si:H
Казанский А.Г.
, Хабарова К.Ю.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 1, с. 63-66
2005
The density of states in the mobility gap of amorphous hydrogenated silicon doped with erbium
Biryukov A.V.,
Kazanskii A.G.
, Terukov E.I., Khabarova K.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 3, с. 351-353
DOI
2005
The influence of molecular structure modification on the photoluminescence and optical absorption of thin copper phthalocyanine films in the near-IR range
Kazanskii A.G.
, Terukov E.I., Ziminov A.V., Gusev O.B., Fenukhin A.V., Kolosko A.G., Trapeznikova I.N., Nikolaev Y.A.,
Modu B.
в журнале
Technical Physics Letters
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 31, № 9, с. 782-784
2004
Creation of metastable defects in microcrystalline silicon films by keV-electron irradiation
Chukichev M.V.
, Forsh P.A., Fuhs W.,
Kazanskii A.G.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 338, с. 378-381
2004
Distribution of the density of electronic states in the energy gap of microcrystalline hydrogenated silicon
Kazanskii A.G.
, Khabarova K.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 10, с. 1221-1224
DOI
2003
Effect of electron irradiation on optical and photoelectric properties of microcrystalline hydrogenated silicon
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
, Khabarova K.Y., Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 9, с. 1076-1079
DOI
2003
Effect of thermal annealing on optical and photoelectric properties of microcrystalline hydrogenated silicon films
Kazanskii A.G.
, Mell H.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 2, с. 224-226
DOI
2003
Light-induced effects in a-Si : H(Er)
Birukov A.V., Fenuchin A.V.,
Kazanskii A.G.
, Terukov E.I.
в журнале
Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 105, № 1-3, с. 153-156
DOI
2003
Photoinduced conductivity change in erbium-doped amorphous hydrogenated silicon films
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I., Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 7, с. 766-768
DOI
2003
Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния, компенсированного бором
Казанский А.Г.
,
Мелл Х.
, Теруков Е.И.,
Форш П.А.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 2, с. 56-58
2002
Donor formation in plasma-deposited amorphous silicon (a-Si : H) by erbium incorporation
Kazanskii A.G.
, Mell H., Weiser G., Terukov E.I.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 299, с. 704-708
DOI
2002
Effect of boron dopant on the photoconductivity of microcrystalline hydrogenated silicon films
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 1, с. 38-40
DOI
2001
Effect of temperature on photoconductivity and its decay in microcrystalline silicon
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 8, с. 953-955
DOI
2001
Photoelectrical properties of microcrystalline silicon films
Forsh P.A.
,
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.
в журнале
Thin Solid Films
, издательство
Elsevier Sequoia
(Switzerland)
, том 383, № 1-2, с. 251-253
DOI
2001
Влияние освещения на параметры пленок микрокристаллического гидрированного кремния с различным уровнем легирования бором
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 6, с. 55-58
2000
Absorption and photoconductivity of boron-compensated mu c-Si : H
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 3, с. 367-369
DOI
2000
The effect of illumination on the electric and photoelectric properties of mu c-Si : H films weakly doped with boron
Kazanskii A.G.
,
Kozlov S.N.
, Mell H.,
Forsh P.A.
в журнале
Technical Physics Letters
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 26, № 5, с. 410-411
DOI
2000
The influence of erbium on electrical and photoelectric properties of amorphous silicon produced by radio-frequency silane decomposition
Terukov E.I., Kazanin M.M., Kon'kov O.I., Kudoyarova V.K.,
Kougiya K.V.
, Nikulin Y.A.,
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 34, № 7, с. 829-834
DOI
1999
Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации
Казанский А.Г.
, Петрушко С.М., Рыжкова Н.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 33, № 3, с. 332-334
1998
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 227, с. 306-310
1998
Relaxation of light-induced metastable state of boron-doped p-type a-Si : H
Kazanskii A.G.
, Larina E.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 1, с. 105-108
DOI
1998
Аморфный гидрированный кремний – материал электронной техники больших площадей
Казанский А.Г.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 4, с. 4-7
1997
Effect of illumination time on the annealing of optically created metastable defects in p-type a-Si:H
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 3, с. 287-289
DOI
1996
Effect of prolonged illumination on the properties of compensated hydrogenated silicon a-Si:H
Kazanskii A.G.
, Yarkin D.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 4, с. 397-399
1996
Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Zvyagin I.P.
, Yarkin D.G.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 200, с. 470-473
1995
Влияние концентрации легирующей примеси на проводимость, фотопроводимость и коэффициент поглощения в компенсированном a-Si:H
Казанский А.Г.
, Мельников Д.Г., Яркин А.В.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 36, № 1, с. 56-60
1994
DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN PHOSPHORUS-DOPED A-SIH
KAZANSKII A.G.
, YARKIN D.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 5, с. 519-521
1994
ON THE DANGLING-BOND RELAXATION PROBLEM IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII AG
, MAO Y.,
KONG GL
в журнале
Solid State Communications
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 91, № 6, с. 447-449
DOI
1993
INFLUENCE OF DOPING ON THE PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H
KAZANSKII A.G.
, SHAMONINA E.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 10, с. 932-934
1993
INFLUENCE OF THE DOPANT CONCENTRATION AND TEMPERATURE ON THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN PHOSPHORUS-DOPED A-SI-H FILMS
KAZANSKII A.G.
, YARKIN D.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 10, с. 935-937
1992
STAEBLER-WRONSKII EFFECT IN P-TYPE AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON FILMS
KAZANSKII AG
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 33, № 4, с. 70-77
1991
STATISTICAL SHIFT OF THE FERMI-LEVEL POSITION IN P-TYPE HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII A.G.
, KUZNETSOV S.V.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 167, № 1, с. K39-K42
DOI
1991
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY IN P-TYPE A-SI-H
KAZANSKII A.G.
, KUZNETSOV S.V.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 168, № 1, с. K19-K21
DOI
1991
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF P-TYPE A-SI-H
KAZANSKII A.G.
, KUZNETSOV S.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 25, № 8, с. 878-879
1990
CHARACTERISTICS OF THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI - H DOPED LIGHTLY WITH BORON
KAZANSKII A.G.
, KLIMASHIN I.V., KUZNETSOV S.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 9, с. 1016-1018
1990
ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON FILMS PRODUCED AT HIGH-TEMPERATURE
KAZANSKII A.G.
, KONKOV O.I., TERUKOV E.I.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 26, № 7, с. 1161-1163
1990
ON THE FERMI-LEVEL POSITION IN A-SI-H(P)
KAZANSKII A.G.
, FUHS W., MELL H.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 160, № 1, с. K25-K28
DOI
1990
STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN PHOSPHORUS-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 8, с. 915-917
1990
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE FERMI LEVEL POSITION IN HYDROGENATED AMORPHOUS N-TYPE SILICON
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 3, с. 349-350
1990
THE THERMAL QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON SAMPLES PREPARED AT VARIOUS SUBSTRATE TEMPERATURES
KAZANSKII A.G.
, KLIMASHIN I.V., KONKOV O.I., TERUKOV E.I.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 31, № 5, с. 102-104
1990
THERMAL QUENCHING OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON WHICH IS LIGHTLY DOPED WITH BORON
KAZANSKII A.G.
,
MILICHEVICH E.P.
, URAZBAEVA R.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 6, с. 724-725
1990
Электрофизические свойства пленок аморфного гидрированного кремния, полученных при высоких температурах
Казанский А.Г.
, Коньков О.И., Теруков Е.И.
в журнале
Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы
, том 26, № 7, с. 1458-1460
1989
FORMATION OF DEFECTS IN A-SI-H DURING DEHYDROGENATION AND OPTICAL DEGRADATION
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 23, № 11, с. 1253-1255
1989
THE INFLUENCE OF TEMPERATURE ON RECOMBINATION OF CARRIERS IN UNDOPED A-SI-H
KAZANSKII A.G.
, KLIMASHIN I.V.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 114, с. 313-315
DOI
1989
Temperature dependence of dark conductivity and steady-state photoconductivity of a-Si:H samples
Altanzog P.A.
, Batsuur D., Bold S., Burmaa B.,
Chadraabal Ch
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Physica status solidi (A): Applied research
, издательство
Academic Press
(United States)
, том 112, № 1, с. 23-27
1988
INFLUENCE OF THE EXCITATION-ENERGY ON THERMAL QUENCHING OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
BOLD Z.,
KAZANSKII A.G.
, KLIMASHIN I.V., MILICHEVICH E.P., TERUKOV E.I.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 22, № 12, с. 1372-1374
1988
INVESTIGATION OF THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON BY THE TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY METHOD
BUTORIN O.V.,
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 22, № 1, с. 52-53
1987
ABSORPTION IN THE DEFECTIVE REGION AND PHOTOCONDUCTIVITY OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII A.G.
, KOROBOV O.E., LUPACHEVA A.N., MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 3, с. 256-258
1987
DYNAMICS OF STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH EP,
VAVILOV V.S.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 97, с. 787-790
DOI
1987
DYNAMICS OF THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 7, с. 759-761
1987
NONEQUILIBRIUM DEFECTS IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P., AIDAROVA R.K.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 12, с. 1354-1355
1985
INFLUENCE OF BACKGROUND INTERBAND ILLUMINATION ON THE PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 3, с. 323-324
1984
INFLUENCE OF THE EXCITATION-ENERGY ON THE MECHANISM OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 10, с. 1137-1139
1984
POSSIBLE MECHANISM OF PHOTOINDUCED RADIATION CONCLUSION WITH POLARIZATION SURFACE ROTATION FROM TI-LINBO3-WAVE GUIDES
ZOLOTOV E.M.,
KAZANSKII A.G.
, KAZANSKII P.G., CHERNYKH V.A.
в журнале
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
, том 10, № 12, с. 721-725
1984
О проводимости поверхностных слоев аморфного гидрированного кремния
Зарифьянц Ю.А.
, Абрамов В.О., Дементьев А.П., Запорожченко В.И.,
Казанский А.Г.
в журнале
Поверхность. Физика, химия, механика
, № 11, с. 63-67
1983
INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF A-SI-H
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
KAZANSKII A.G.
,
VAVILOV V.S.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 8, с. 971-972
1983
ON THE ROLE OF SURFACE PHENOMENA IN THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT
KAZANSKII A.G.
, KISELEV V.F., SILAEV E.A., VAVILOV V.S.
в журнале
Physica status solidi (A): Applied research
, издательство
Academic Press
(United States)
, том 76, № 1, с. 337-343
DOI
1983
PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H IN THE INFRARED RANGE
VAVILOV V.S.
,
KAZANSKII A.G.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR Volume: 17 Issue: 7 Pages: 829-830 Published: 1983
, том 17, № 7, с. 829-830
1983
TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 12, с. 1415-1416
1983
Фотоиндуцированный вывод излучения из Ti:LiNbO3 – волноводов с поворотом плоскости поляризации
Золотов Е.М.,
Казанский А.Г.
, Казанский П.Г., Черных В.А.
в журнале
Письма в "Журнал технической физики"
, издательство
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
(Москва)
, том 9, № 23, с. 1409-1413
1982
ABSORPTION IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON AT ENERGIES LESS THAN THE OPTICAL BAND-GAP
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 16, № 11, с. 1324-1325
1982
CHANGES IN THE ABSORPTION AT ENERGIES SMALLER THAN THE OPTICAL BAND-GAP OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON IN THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 16, № 12, с. 1417-1418
1982
INFLUENCE OF TEMPERATURE ON THE PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRUM OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
DRYZEK A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 16, № 2, с. 225-226
1982
INVESTIGATION OF THE ENERGY-DISTRIBUTION OF TRAPS IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON BY THE TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY METHOD
GORDEEV S.N., ZARIFYANTS Y.A.,
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 16, № 9, с. 1075-1076
1982
PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRUM OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
GORDEEV S.N., ZARIFYANTS Y.A.,
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 16, № 1, с. 112-113
1981
INFLUENCE OF ELECTRON-IRRADIATION ON THE PHOTOCONDUCTIVITY OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
KAZANSKII A.G.
,
KOROL A.S.
,
MILICHEVICH E.P.
,
CHUKICHEV M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 9, с. 1000-1002
1981
Влияние облучения электронами на фотопроводимость аморфного гидрогенизированного кремния
Казанский А.Г.
,
Король А.С.
,
Миличевич Е.П.
,
Чукичев М.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 20, № 9, с. 1594-1597
1980
KRAMERS-KRONIG RELATIONSHIP BETWEEN THE REAL AND IMAGINARY PARTS OF THE HIGH-FREQUENCY CONDUCTIVITY CONSIDERED AS FUNCTIONS OF A MAGNETIC-FIELD
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, SAPTSIN V.M.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 14, № 10, с. 1211-1212
1979
ABSORPTION OF SUBMILLIMETER RADIATION BY BERYLLIUM-DOPED GERMANIUM
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, PLESKACHEVA T.B., SAPTSIN V.M., TYAPKINA N.D.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 10, с. 1198-1199
1979
PHOTO-IONIZATION OF DONORS IN UNIAXIALLY COMPRESSED GERMANIUM
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 8, с. 939-941
1979
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE ABSORPTION OF SUBMILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED GERMANIUM
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, PLESKACHEVA T.B., SAPTSIN V.M., TSIKUNOV A.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 10, с. 1122-1124
1978
ABSORPTION ANISOTROPY OF SUB-MILLIMETER AND MILLIMETER RADIATIONS IN COMPENSATED P-GERMANIUM DURING MONOAXIAL COMPRESSION
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, SAPTSIN V.M., RADCHENKO V.E.
в журнале
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
, том 42, № 6, с. 1202-1205
1977
ANISOTROPY OF ABSORPTION OF SUBMILLIMETER AND MILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED N-TYPE GERMANIUM SUBJECTED TO UNIAXIAL COMPRESSION
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, SAPTSIN V.M., RADCHENKO V.E.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 6, с. 703-704
1977
Far infrared photoconductivity of uniaxially stressed germanium
Kazanskii A.G.
, Richards P.L., Haller E.E.
в журнале
Applied Physics Letters
, издательство
AIP Publishing
(United States)
, том 31, № 8, с. 496-498
1977
Photoionization of acceptors in uniaxially stressed germanium
Kazanskii A.G.
, Richards P.L., Haller E.E.
в журнале
Solid State Communications
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 24, с. 603-606
1976
ABSORPTION OF SUBMILLIMETER AND MILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED P-TYPE GERMANIUM
VAVILOV VS
,
KAZANSKII AG
,
KOSHELEV OG
, REZNIKOV PV
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 10, № 8, с. 947-948
1975
CYCLOTRON-RESONANCE OF HOLES GENERATED IN UNIAXIALLY COMPRESSED SILICON BY IMPURITY-ABSORBED CO2-LASER RADIATION
KAZANSKII AG
,
KOSHELEV OG
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 9, с. 1105-1107
1975
INFLUENCE OF UNIAXIAL DEFORMATION ON CONDUCTIVITY OF COMPRESSED P-TYPE GE AND ON CHANGE IN CONDUCTIVITY DUE TO MICROWAVE RADIATION
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 12, с. 1557-1558
1975
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF CHANGE IN CONDUCTIVITY DUE TO ABSORPTION OF MICROWAVE RADIATION IN COMPENSATED P-TYPE GE
VAVILOV VS
,
KAZANSKII AG
,
KOSHELEV OG
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 9, с. 1182-1183
1974
CYCLOTRON-RESONANCE INVESTIGATION OF HEATING OF HOLES IN P-TYPE SI BY IMPURITY-ABSORBED CO2-LASER RADIATION
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 2, с. 277-278
1973
INFLUENCE OF MICROWAVE RADIATION ON CONDUCTIVITY OF COMPENSATED P-TYPE GE AT LIQUID-HELIUM TEMPERATURES
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, ABATUROV M.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 7, № 5, с. 688-689
1973
Анизотропия рассеяния электронов в кремнии
Кошелев О.Г.
,
Казнский А.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 6, с. 953-956
1972
ANISOTROPY OF ELECTRON-SCATTERING IN N-TYPE SI
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 6, № 5, с. 826-830
1972
CYCLOTRON-RESONANCE OF ELECTRONS GENERATED BY IMPURITY EXCITATION OF SILICON WITH A CO2-LASER
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 6, № 2, с. 218-221
1971
CYCLOTRON RESONANCE OF HOLES IN UNIAXIALLY COMPRESSED SILICON
KLYAVA Y.G.,
KOSHELEV O.G.
, LISOVSKAYT Y.,
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 5, № 3, с. 375-379
Статьи в сборниках
2020
Влияние температуры отжига на электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок перовскита CH3NH3PbI3
Амасев Д.В.
,
Саитов Ш.Р.
,
Михалевич В.Г.
,
Тамеев А.Р.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
II Московская осенняя международная конференция по перовскитной фотовольтаике (MAPPIC-2020): сборник тезисов, [электронное издание сетевого распространения] – М.: «КДУ», «Добросвет», 2020. – 87 с
, место издания
KDU Moscow
, с. 11-11
DOI
2019
PHOTOCONDUCTIVITY OF COMPOSITES BASED ON POLYMER P3HT AND SILICON NANOPARTICLES
Pavlikov А.
,
Savin K.
,
Forsh P.
,
Amasev D.
,
Kazanskii A.
,
Tameev A.
в сборнике
INTERACTION OF RADIATION WITH SOLIDS. Proceedings of the 13th International Conference
, место издания
Белорусский государственный университет Минск
, с. 402-404
2018
Влияние окружающей среды и длительного освещения на проводимость и фотопроводимость пленок металлоорганического перовскита CH3NH3PbI3
Амасев Д.В.
,
Козюхин С.А.
,
Михалевич В.Г.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов XI Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Политех-пресс Санкт-Петербург
, с. 164-165
2018
Влияние фемтосекундного лазерного облучения на концентрацию носителей заряда в легированном бором аморфном гидрогенизированном кремнии
Павликов А.В.
,
Казанский А.Г.
,
Мацукатова А.Н.
,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трдов XI Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Политех-пресс Санкт-Петербург
, с. 65-66
2018
Диагностика наноматериалов методом рамановской спектроскопии
Казавнский А.Г.
в сборнике
Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых
, место издания
Рязань
, том 1, с. 100-115
2018
Особенности фотопроводимости и фотоиндуцированных состояний в пленках перовскита CH3NH3PbI3
Амасев Д.В.
,
Козюхин С.А.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов XI Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Политех-пресс Санкт-Петербург
, с. 176-177
2018
Особенности фотоэлектрических свойств металлоорганических перовскитов на основе галогенидов свинца
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
,
Козюхин С.А.
,
Михалевич В.Г.
в сборнике
Сборник трудов 9-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, с. 128-129
2018
Электрические и фотоэлектрические свойства металлоорганических перовскитов
Амасев Д.В.
,
Савин К.А.
,
Перченко Е.М.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов VI Всероссийской конференции "Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечной энергетики"
, место издания
г. Чебоксары,
, с. 99-103
2017
Анизотропное микро- и наноструктурирование пленок аморфного кремния фемтосекундными лазерными импульсами
Заботнов С.В.
,
Шулейко Д.В.
,
Павликов А.В.
,
Преснов Д.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
в сборнике
Труды научной конференции Ломоносовские чтения
, серия
СЕКЦИЯ ФИЗИКИ
, место издания
Физический факультет МГУ Москва
, с. 11-13
2017
Проводимость и фотопроводимость тонких пленок полимера - производного полифенилхинолина
Саитов Ш.Р.
,
Амасев Д.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Малов В.В.
,
Светличный В.М.
,
Мягкова Л.А.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Труды 60-й Всероссийской научной конференции МФТИ
, место издания
Москва Долгопрудный Жуковский МФТИ
, с. 43-45
2017
Фотоэлектрические и оптические свойства металлоорганических перовскитов на основе галогенидов свинца
Амасев Д.В.
,
Попов С.В.
,
Казанский А.Г.
,
Козюхин С.А.
,
Михалевич В.Г.
в сборнике
Труды 60-й Всероссийской научной конференции МФТИ
, место издания
Москва Долгопрудный Жуковский МФТИ
, с. 37-39
2015
Polarization Sensitive Printing by Ultrafast Laser Nanostructuring in Amorphous Silicon
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Gecevičius M.
,
Khenkin M.
,
Kazanskii A.
,
Konkov O.
,
Kazansky P.
в сборнике
CLEO: 2015 Optical Society of America Technical Digest
, место издания
USA
, с. paper SF2I.4
DOI
2014
Post-hydrogenation of amorphous hydrogenated silicon films modified by femtosecond laser irradiation
Khenkin M.
,
Emelyanov A.
,
Kazanskii A.
,
Forsh P.
, Kon'kov O.,
Beresna M.
,
Gecevicius M.
,
Kazansky P.
в сборнике
Proceedings of SPIE
, том 9140, с. 914012-1-914012-7
2012
Солнечные батареи на основе пленок гидрированного кремния на гибких подложках
Казанский А.Г.
в сборнике
Материалы восьмой Всероссийской научной молодежной школы с международным участием "Возобновляемые источники энергии". Курс лекций
, место издания
МГУ им М.В. Ломоносова Москва
, с. 46-58
2012
Третье поколение солнечных элементов
Казанский А.Г.
в сборнике
«Диагностика наноматериалов и наноструктур»
, место издания
Рязань
, том 2, с. 70-88
2011
Диагностика наноматериалов методом рамановской спектроскопии.
Казанский А.Г.
в сборнике
"Диагностика наноматериалов и структур"
, место издания
Рязань
, том 1, с. 63-92
2010
Нанокристаллы кремния в фотонике
Казанский А.Г.
в сборнике
«Наноматериалы и методы их исследования"
, место издания
Рязань
, том 2, с. 71-102
2010
Основные представления об органических полупроводниках и их применении
Казанский А.Г.
в сборнике
«Наноматериалы и методы их исследования"
, место издания
Рязань
, том 2, с. 156-174
2004
Optical and photoelectrical characterization of as-deposited and annealed PECVD polysilicon thin films
Кhomich A.V., Kovalev V.I., Vedeneev A.S.,
Kazanskii A.G.
, Forsh P.A., He D., Wang X.Q., Mell H., Vlasov I.I., Zavedeev E.V.
в сборнике
Proceedings SPIE
, том 5401, с. 200-207
1998
Аморфные полупроводники в электронике накануне ХХI века
Казанский А.Г.
в сборнике
Фундаментальные проблемы российской металургии на пороге ХХI века
, место издания
Москва
, том 4, с. 227-262
1986
Оптическая запись информации на пленках аморфного гидрогенизированного кремния
Казанский А.Г.
, Сапцин В.М., Сапцина Т.Н.
в сборнике
Сборник трудов Куйбышевского авиационного института
, серия
Оптическая запись и обработка информации
, место издания
Куйбышев
, с. 72-77
1977
Far infrared photoconductivity of uniaxially stressed germanium
Kazanskii A.G.
, Richards P.L., Haller E.E.
в сборнике
Materials and Molecular Research Division Annual Report (UC Berkley)
, место издания
Berkley (USA)
, с. 173-179
1973
Низкотемпературная проводимость германия, облученного медленными нейтронами влияние на нее одноосного сжатия
Вавилов В.С.,
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы Всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках, Новосибирск
, с. 263-266
Книги
2021
Введение в физику органических полупроводников
Казанский А.Г.
,
Амасев Д.В.
место издания
Отдел оперативной печати физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова Москва
, 128 с.
Доклады на конференциях
2021
Электрическая и фотоэлектрическая анизотропия пленок аморфного кремния, модифицированных фемтосекундными лазерными импульсами
(Стендовый)
Авторы:
Орлов Д.В.
,
Шулейко Д.В.
,
Амасев Д.В.
,
Заботнов С.В.
,
Мартышов М.Н.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, Санкт-Петербург, Россия, 5-7 июля 2021
2020
Влияние температуры отжига на электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок перовскита CH3NH3PbI3
(Стендовый)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Саитов Ш.Р.
,
Михалевич В.Г.
,
Тамеев А.Р.
,
Казанский А.Г.
ВТОРАЯ МОСКОВСКАЯ ОСЕННЯЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ПЕРОВСКИТНОЙ ФОТОВОЛЬТАИКЕ (MAPPIC-2020)
, Москва, Россия, 26-28 октября 2020
2020
Electrophysical anisotropy of amorphous silicon surfaces nanocrystallized by femtosecond laser pulses
(Стендовый)
Авторы:
Shuleiko Dmitrii V.
,
Martyshov Mikhail N.
,
Presnov Denis E.
,
Amasev Dmitrii V.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Zabotnov Stanislav V.
,
Kashkarov Pavel K.
9th European Nanoanalysis Symposium
, Германия, 7-9 октября 2020
2020
Electrophysical anisotropy of amorphous silicon surfaces irradiated by femtosecond laser pulses
(Устный)
Авторы:
Shuleiko D.V.
,
Martyshov M.N.
,
Amasev D.V.
,
Zabotnov S.V.
,
Presnov D.E.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
IV International Conference on Ultrafast Optical Science
, Москва, Россия, 28 сентября - 2 октября 2020
2020
Electrophysical anisotropy of periodic surface structures induced by femtosecond laser on amorphous silicon
(Стендовый)
Авторы:
Shuleiko D.V.
,
Martyshov M.N.
,
Zabotnov S.V.
,
Presnov D.E.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
Frontiers in Optics 2020
, Онлайн-формат, США, 14-17 сентября 2020
2020
Fabrication of anisotropic structures on amorphous silicon surfaces by femtosecond laser pulses
(Устный)
Авторы:
Shuleiko D.V.
,
Martyshov M.N.
,
Orlov D.V.
,
Presnov D.E.
,
Zabotnov S.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials ASCO-NANOMAT 2020
, г. Владивосток, Дальневосточный федеральный университет, Россия, 30 июля - 3 августа 2020
2019
НОВЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛИМЕР НА ОСНОВЕ ПОЛИФЕНИЛХИНОЛИНА И ЕГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА
(Стендовый)
Авторы:
Саитов Ш.Р.
,
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
ХXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто - и наноэлектронике
, Санкт-Петербург, Россия, 25-30 ноября 2019
2019
Femtosecond laser-induced nanomodification and ripple formation at amorphous silicon surfaces
(Приглашенный)
Авторы:
Zabotnov S.V.
,
Shuleiko D.V.
,
Martyshov M.N.
,
Orlov D.V.
,
Presnov D.E.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
International Conference on Ultrafast Optical Science “UltrafastLight-2019”
, Lebedev Physical Institute, Moscow, Россия, 30 сентября - 4 октября 2019
2019
Фотопроводимость композита на основе полимера P3HT и наночастиц кремния
(Стендовый)
Авторы:
Павликов А.В.
,
Савин К.А.
,
Форш П.А.
,
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
,
Тамеев А.Р.
13-ая Международная конференция "Взаимодействие излучений с твердым телом" (ВИТТ-2019)
, Минск, Беларусь, 30 сентября - 3 октября 2019
2019
Formation of periodic structures on amorphous silicon surface by femtosecond laser radiation: experiment and theory
(Устный)
Авторы:
Shuleiko Dmitrii V.
,
Martyshov Mikhail N.
,
Orlov Danila V.
,
Zabotnov Stanislav V.
,
Presnov Denis E.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Kashkarov Pavel K.
E-MRS 2019 Fall Meeting
, Варшава, Польша, 16-19 сентября 2019
2019
New polymeric material with a variable band gap
(Стендовый)
Авторы:
Saitov S.R.
,
Amasev D.V.
,
Martyshov M.N.
,
Tameev A.R.
,
Kazanskii A.G.
E-MRS 2019 Fall Meeting
, Варшава, Польша, 16-19 сентября 2019
2019
Femtosecond laser-induced periodic surface structure transform on the amorphous silicon surface: experiment and theory
(Устный)
Авторы:
Shuleiko Dmitrii V.
,
Martyshov Mikhail N.
,
Presnov Denis E.
,
Zabotnov Stanislav V.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Golovan Leonid A.
,
Kashkarov Pavel K.
International Symposium “Fundamentals of Laser Assisted Micro- & Nanotechnologies” (FLAMN-19)
, Санкт-Петербург, Россия, 30 июня - 4 июля 2019
2018
Влияние окружающей среды и длительного освещения на проводимость и фотопроводимость пленок металлоорганического перовскита CH3NH3PbI3
(Устный)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Козюхин С.А.
,
Михалевич В.Г.
,
Казанский А.Г.
XI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, г. Санкт-Перербург, Россия, 19-21 ноября 2018
2018
Влияние фемтосекундного лазерного облучения на концентрацию носителей заряда в легированном бором аморфном гидрогенизированном кремнии.
(Стендовый)
Авторы:
Павликов А.В.
,
Казанский А.Г.
, Мацукатова А.Н.,
Форш П.А.
XI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, г. Санкт-Перербург, Россия, 19-21 ноября 2018
2018
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств металлоорганических перовскитов
(Приглашенный)
Автор:
Казанский А.Г.
XI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, г. Санкт-Перербург, Россия, 19-21 ноября 2018
2018
Особенности фотопроводимости и фотоиндуцированных состояний в пленках перовскита CH3NH3PbI3.
(Стендовый)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Козюхин С.А.
,
Казанский А.Г.
XI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, г. Санкт-Перербург, Россия, 19-21 ноября 2018
2018
Материалы со структурой перовскита для солнечных элементов и фотодетекторов
(Устный)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Савин К.А.
,
Форш П.А.
VI Всероссийская конференция "Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечной энергетики
, г. Чебоксары, Россия, 19-20 октября 2018
2018
Электрические и фотоэлектрические свойства металлоорганических перовскитов
(Устный)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Савин К.А.
,
Перченко Е.М.
,
Казанский А.Г.
VI Всероссийская конференция "Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечной энергетики
, г. Чебоксары, Россия, 19-20 октября 2018
2018
Импедансная спектроскопия полимерных плёнок с кремниевыми наночастицами
(Устный)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Форш П.А.
,
Казанский А.Г.
,
Савин К.А.
,
Перченко Е.М.
XV Международная конференция спектроскопия координационных соединений (Туапсе, Россия, 30 сентября- 5 октября 2018)
, г. Туапсе, Россия, 30 сентября - 5 октября 2018
2018
Комбинационное рассеяние света и анизотропия проводимости аморфного кремния, модифицированного фемтосекундными лазерными импульсами
(Устный)
Авторы:
Романов И.А.
,
Шулейко Д.В.
,
Потемкин Ф.В.
,
Заботнов С.В.
,
Зотеев А.В.
,
Казанский А.Г.
Российская конференция и школа молодых ученых с иностранным участием «Комбинационное рассеяние – 90 лет исследований»
, Новосибирск, Россия, 28 мая - 1 июня 2018
2018
Оптические и фотоэлектрические свойства перовскитов для фотоприемников
(Стендовый)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
,
Савин К.А.
,
Форш П.А.
XXV Международная научно - техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
, Москва, Россия, 24-26 мая 2018
2018
Особенности фотоэлектрических свойств металлоорганических перовскитов на основе галогенидов свинца
(Стендовый)
Авторы:
Козюхин С.А.
,
Михалевич В.Г.
,
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
9-й Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
, Москва НИЯУ МИФИ, Россия, 23 мая 2018
2018
Photoconductivity of CH3NH3PbI3 films: spectral, temperature, and light intensity dependence and photostability
(Стендовый)
Авторы:
Khenkin M.V.
,
Amasev D.V.
,
Kozyukhin S.A.
,
Sadovnikov A.V.
,
Ambrose A.M.
,
Visoly-Fisher I.
,
Katz E.A.
,
Kazanskii A.G.
SEPV 2018 (Stability of Emerging Photovoltaics from Fundamental to Application) Barcelona, Italy, February 20-23, 2018
, Barcelona, Италия, 20-23 февраля 2018
2017
Проводимость и фотопроводимость тонких пленок полимера - производного полифенилхинолина
(Устный)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Мягкова Л.А.
,
Светличный В.М.
,
Малов В.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Саитов Ш.Р.
,
Амасев Д.В.
60-ая Всероссийская научная конференция Московского физико-технического института (государственного университета)
, Долгопрудный, Московский физико-технический институт (государственный университет), Россия, 20-26 ноября 2017
2017
Особенности спектров фотопроводимости и фотоиндуцированных состояний в пленках MAPbI3 перовскитов
(Устный)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Михалевич В.Г.
,
Козюхин С.А.
,
Казанский А.Г.
XIII Российская конференция по физике полупроводников
, Екатеринбург, Россия, 1-6 октября 2017
2017
Влияние фемтосекундного лазерного облучения на структуру и свойства аморфного гидрогенизированного кремния
(Устный)
Авторы:
Форш П.А.
,
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
12-ая Международная конференция "Взаимодействие излучений с твердым телом" (ВИТТ-2017)
, Минск, Беларусь, 19-22 сентября 2017
2017
Особенности электрических, фотоэлектрических и оптических свойств металлоорганических перовскитов
(Устный)
Автор:
Казанский А.Г.
IX Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению «Диагностика наноматериалов и наностуктур»
, Рязань, Россия, 18-22 сентября 2017
2017
Фотоиндуцированное изменение спектров фотопроводимости пленок CH3NH3PbI3.
(Устный)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Михалевич В.Г.
,
Казанский А.Г.
XXIV Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов – 2017"
, МГУ имени М.В.Ломоносова, Россия, 20 апреля 2017
2017
Анизотропное микро- и наноструктурирование пленок аморфного кремния фемтосекундными лазерными импульсами
(Устный)
Авторы:
Заботнов С.В.
,
Шулейко Д.В.
,
Павликов А.В.
,
Преснов Д.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
Ломоносовские чтения - 2017
, МГУ имени М.В. Ломоносова, Россия, 17-26 апреля 2017
2016
Structural and electrical properties of amorphous silicon films modified by femtosecond laser pulses
(Стендовый)
Авторы:
Shuleiko Dmitrii V.
,
Kashaev Fedor V.
,
Zabotnov Stanislav V.
,
Presnov Denis E.
,
Kazanskii Andrey G.
,
Golovan Leonid A.
,
Kashkarov Pavel K.
E-MRS 2016 Fall Meeting
, Варшава, Варшавский политехнический университет, Польша, 19-23 сентября 2016
2016
Structural and electrical anisotropy of hydrogenated amorphous silicon films nanostructured by femtosecond laser pulses
(Устный)
Авторы:
Shuleiko D.V.
,
Golovan L.A.
,
Zabotnov S.V.
,
Presnov D.E.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
Advanced Laser Technologies (ALT'16)
, Galway, Ирландия, 12-16 сентября 2016
2016
Фемтосекундная лазерная модификация пленок аморфного гидрированного кремния для оптоэлектроники и фотовольтаики
(Приглашенный)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Хенкин М.В.
,
Kazansky P.
,
Beresna M.
,
Drevinskas R/
XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе КРЕМНИЙ-2016,
, Новосибирск, Академгородок, Россия, 12-15 сентября 2016
2016
Особенности фотопроводимости перовскита CH3NH3PbI3
(Устный)
Авторы:
Хенкин М.В.
,
Амасев Д.В.
,
Козюхин С.А.
, Садовников С.В.,
Казанский А.Г.
Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники
, Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Россия, 4-8 июля 2016
2016
Твердотельные сенсибилизированные солнечные элементы: достижения, тенденции, проблемы
(Устный)
Авторы:
Козюхин С.А.
,
Тамеев А.Р.
,
Русинов Г.Л.
,
Иванов В.К.
,
Казанский А.Г.
Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники
, Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Россия, 4-8 июля 2016
2016
Формирование анизотропной структуры в пленках аморфного гидрогенизированного кремния, модифицированных фемтосекундным лазерным излучением
(Устный)
Авторы:
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
,
Хенкин М.В.
,
Drevinscas R.
,
Kazansky P.
Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники
, Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Россия, 4-8 июля 2016
2016
Anisotropy of structural and electrical properties of amorphous silicon films treated by femtosecond laser radiation
(Стендовый)
Авторы:
Шулейко Д.В.
,
Заботнов С.В.
,
Преснов Д.Е.
,
Казанский А.Г.
,
Головань Л.А.
,
Кашкаров П.К.
International Symposium "Fundamentals of Laser Assisted Micro-and Nanotechnologies" (FLAMN-16)
, Санкт-Петербург, Россия, 27 июня - 1 июля 2016
2015
Bandgap of low-bandgap polymer and polymer:fullerene bulk heterojunction
(Приглашенный)
Авторы:
Tameev A.R.
,
Novikov S.V.
,
Khenkin M.V.
,
Malov V.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Vannikov A.V.
15-th International Symposium on Advanced Organic Photonics (ISAOP-15), Moscow, September 22 & 23, 2015
, Москва, Россия, 22-23 сентября 2015
2015
Electrical Bandgap of Low-Bandgap Polimer and Polimer:Fulleren Balk Heterojunction
(Стендовый)
Авторы:
Novikov S.
,
Tameev A.
,
Malov V.
,
Vanniov A.
,
Khenkin M.
,
Kazanskii A.
26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Aachen, Germany 2015 )
, г.Аахен, Германия, 12-18 сентября 2015
2015
Structural and photoelectric properties of femtosecond laser-modified a-Si:H
(Стендовый)
Авторы:
Khenkin M.
,
Kazanskii A.
,
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Konkov O.
,
Forsh P.
,
Kazansky P.
26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Aachen, Germany 2015 )
, г.Аахен, Германия, 12-18 сентября 2015
2015
Femtosecond laser printed microoptics in hydrogenated amorphous silicon
(Устный)
Авторы:
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Gecevičius M.
,
Khenkin M.
,
Kazanskii A.G.
, Konkov O.I.,
Svirko Y.P.
,
Kazansky P.
The European Conference on Lasers and Electro-Optics 2015
, Мюнхен, Германия, 21-25 июня 2015
2015
Polarization sensitive printing by ultrafast laser nanostructuring in amorphous silicon
(Устный)
Авторы:
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Gecevičius M.
,
Kazansky P.G.
,
Kazanskii A.G.
, Konkov O.I.,
Khenkin M.
2015 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015
, Сан-Хосе, США, 10-15 мая 2015
2015
Radially polarized optical vortex micro-converters imprinted by femtosecond laser nanostructuring in amorphous silicon
(Устный)
Авторы:
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Gecevičius M.
,
Kazanskii A.G.
, Konkov O.I.,
Svirko Y.P.
,
Kazansky P.G.
2015 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015
, Сан-Хосе, США, 10-15 мая 2015
2014
Фотоэлектрические и оптические свойства органических полупроводниковых композитов с объемным гетеропереходом
(Устный)
Авторы:
Малов В.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
IX Международная конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Россия, 2014
2014
Изучение края оптического поглощения в фотоактивных полимерных композитах методом постоянного фототока
(Устный)
Авторы:
Малов В.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Ванников А.В.
IX Конференция молодых ученых, аспирантов и студентов ИФХЭ РАН «ФИЗИКОХИМИЯ – 2014»
, Москва, Россия, 1-5 декабря 2014
2014
Amorphous hydrogenated silicon modified by femtosecond laser radiation for photovoltaics.
(Приглашенный)
Авторы:
Emelyanov A.
,
Kazanskii A.
,
Forsh P.
,
Khekin M.
,
Kazansky P.
,
Beresna M.
,
Gecevicius M.
,
Drevinskas R.
,
Terukov E.
Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Application. 27th July-1st August, Leeds, UK
, г.Лидс, Великобритания, 27 июля - 1 августа 2014
2014
Excitation of Gigahertz and Terahertz Vibrations in Nanoparticles Suspensions
(Стендовый)
Авторы:
Baranov A.N.
,
Kazanskiy A.
,
Tcherniega N.V.
,
Zhilenko M.P.
Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Application. 27th July-1st August, Leeds, UK
, г.Лидс, Великобритания, 27 июля - 1 августа 2014
2012
Peculiarities of Photoelectrical and Optical Properties of Hydrogenated Silicon Films with Mixed Amorphous-Nanocrystalline Structure
(Устный)
Авторы:
Khenkin M.V.
,
Kazanskii A.G.
2nd Russia-Taiwan Joint Symposium "Magnetism, Superconductivity and Electronic Structure in Low-Dimensional Systems”
, Москва, Россия, 2012
2012
Основные направления и перспективы развития тонкопленочных солнечных элементов
(Приглашенный)
Автор:
Казанский А.Г.
VIII Международная коференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2012
2011
Peculiarities of Photoelectrical and Optical Properties of Hydrogenated Silicon Films with Mixed Amorphous-Nanocrystalline Structure
(Приглашенный)
Авторы:
Kazanskii A.
,
Khenkin M.
Science Conference on Materials for Green Energy and Forum on Material Characterization using Synchrotron Radiations
, Hsinchu. Taiwan, 2011
2010
Light-induced metastable states in nanocrystalline hydrogenated silicon
(Устный)
Авторы:
Kazanskii A.G.
,
Zeng X.
,
Peng W.
5 Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices
, Beijing, China, Китай, 2010
2010
Photoelectric рroperties of two-phase hydrogenated silicon films
(Приглашенный)
Автор:
Kazanskii A.G.
Indo-Russian Expert Meeting on Preparation and Characterization of Silicon For Photovoltaic Application
, New Delhi, India, Индия, 2010
2010
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом
(Устный)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
,
Zeng X.
,
Peng W.
VII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, Санкт-Петербург, Россия, 2010
2010
Физика слоев гидрированного кремния
(Устный)
Автор:
Казанский А.Г.
VII Международная конференция "Кремний-2010"
, г. Нижний Новгород, 2010
2009
Effect of light soaking on CPM absorption spectra in silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
Авторы:
Kazanskii A.G.
,
Zeng X.
,
Kong G.
,
Hao H.
23 International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
, Utrecht, Netherland, 2009
2008
Electric and optic properties of silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
(Приглашенный)
Автор:
Kazanskii A.G.
3 Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices
, Beijing, China, Китай, 2008
2008
Аморфный и нанокристаллический кремний: методы получения и основные физические свойства
(Приглашенный)
Автор:
Казанский А.Г.
V Международная конференция и VI школа молодых ученых «Кремний 2008».
, Черноголовка, 2008
2008
Проблемы определения оптической ширины зоны в микрокристаллическом гидрированном кремнии
(Устный)
Автор:
Казанский А.Г.
V Международная конференция и VI школа молодых ученых «Кремний 2008».
, Черноголовка, 2008
2008
Электрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Zeng X.
,
Kong G.
VI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, Санкт-Петербург, Россия, 2008
2007
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок гидрированного кремния в области перехода от аморфной к нанокристаллической структуре
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Kong G.
,
Zeng X.
IV Международная конференция "Кремний-2007"
, Москва, Московский институт стали и сплавов, Россия, 2007
2006
Band gap density of states distribution and photoconductivity in nanocrystalline hydrogenated silicon
Авторы:
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
,
Khabarova K.Yu
1-st Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices
, Beijing, China, Китай, 2006
2006
Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок аморфного гидрированного кремния
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Хомич А.А.
V Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2006
2005
Absorption spectra of organic semiconductors in IR-range measured by constant photocurrent method
Авторы:
Fenukhin A.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Kolosko A.G.
,
Terukov E.I.
,
Ziminov A.V.
21 Int. Conf. on Amorphous and Nanocrocrystalline Semiconductors,
, Lisbon, 2005
2005
Modulated photoconductivity method for investigation of band gap state distribution in silicon-based thin films
Авторы:
Kazanskii A.G.
,
Khabarova K.Yu
,
Terukov E.I.
21 Int. Conf. on Amorphous and Nanocrocrystalline Semiconductors,
, Lisbon, 2005
2005
Фотопроводимость микрокристаллического и нанокристаллического кремния
Автор:
Казанский А.Г.
III Российскя школа ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»).
, г. Москва, МИСиС, Россия, 2005
2004
Фотопроводимость микрокристаллического гидрированного кремния
Автор:
Казанский А.Г.
IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2004
2003
Метастабильное состояние легированного эрбием аморфного гидрированного кремния, вызванное освещением
Авторы:
Бирюков А.В.,
Казанский А.Г.
,
Фенухин А.В.
III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний 2003»).
, Москва, МИСиС, Россия, 2003
2002
Фотоиндуцированные изменения проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Мелл Х.
,
Форш П.А.
III Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, Санкт-Петербург, Россия, 2002
2001
Оптические и фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
Автор:
Казанский А.Г.
Российская школа ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2001)
, Москва, Россия, 2001
2000
Photoelectrical properties of microcrystalline silicon films
Авторы:
Forsh P.A.
,
Terukov E.I.
,
Mell H.
,
Kazanskii A.G.
E-MRS IUMRS 2000 Spring Meeting
, Strasbourg, France, Франция, 2000
2000
Влияние уровня легирования на вызванное освещением изменение темновой проводимости a-Si:H (As)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Литвак Е.В.
Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000")
, Москва, Россия, 2000
2000
Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии.
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
II Международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”
, г. Саратов, 2000
2000
Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния, компенсированного бором
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Теруков Е.И.
,
Мелл Х.
Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000")
, Москва, Россия, 2000
1999
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P).
Авторы:
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
Научный семинар “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”
, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1999
1999
Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
Международная конференция “Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”
, гю Ульяновск, 1999
1998
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Всероссийский симпозиум “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, г. С.-Петербург, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1998
1997
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
, г. Будапешт, 1997
1997
Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H.
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
Семинар "Новые идеи в физике стекла"
, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1997
1997
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремни
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Казанский А.Г.
Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”
, г. Ульяновск, 1997
1980
Смещение в длинноволновую область красной границы примесной фотопроводимости германия при одноосном сжатии.
(Устный)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
3 Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам.
, Горький, Россия, 6-10 октября 1980
1978
Поглощение субмиллиметрового излучения в германии с бериллием.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
, Сапцин В.М.,
Плескачева Т.Б.
,
Тяпкина Н.Д.
2-ой Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам.
, Харьков, Украина, 3-7 июля 1978
1978
Температурная зависимость поглощения субмиллиметрового излучения компенсированным германием.
(Устный)
Авторы:
Цикунов А.В.
,
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
, Сапцин В.М.
2-ой Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам.
, Харьков, Украина, 3-7 июля 1978
1977
Поглощение миллиметрового и субмиллиметрового излучения компенсированным п-германием при одноосном сжатии
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
, Сапцин В.М.,
Казанский А.Г.
,
Радченко В.Е.
Семинар по фотоэлектрической спектроскопии полупроводников
, Россия, 17-21 января 1977
1977
Поглощение субмиллиметрового и миллиметрового излучения компенсированным п-германием при одноосном сжатии
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
, Сапцин В.М.,
Радченко В.Е.
Семинар по фотоэлектрической спектроскопии полупроводников
, Россия, 17-21 января 1977
1974
Рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей в кремнии, генерируемых примесным возбуждением от СЩ2 лазера
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Международное совещание по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле
, Варна, Болгария, 9-14 сентября 1974
1974
Исследование горячих дырок в кремнии генерируемых СО2 лазером при гелиевых температурах.
(Устный)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
Симпозиум по физике плазмы и неустойчивости в твердых телах.
, Вильнюс, Литва, 20-24 мая 1974
1973
Низкотемпературная проводимость германия, облученного медленными нейтронами и влияние на нее одноосного сжатия
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Всесоюзное совещание по дефектам структуры в полупроводниках
, Новосибирск, Россия, 2-7 июля 1973
Тезисы докладов
2020
Fabrication of anisotropic structures on amorphous silicon surfaces by femtosecond laser pulses
Shuleiko D.V.
,
Martyshov M.N.
,
Orlov D.V.
,
Presnov D.E.
,
Zabotnov S.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
в сборнике
Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials ASCO-NANOMAT 2020
, место издания
Dalnauka Publishing г. Владивосток
, тезисы, с. V.01.06o
2019
Femtosecond laser-induced nanomodification and ripple formation at amorphous silicon surfaces
Zabotnov S.V.
,
Shuleiko D.V.
,
Martyshov M.N.
,
Orlov D.V.
,
Presnov D.E.
,
Kazanskii A.G.
,
Kashkarov P.K.
в сборнике
Book of Abstracts "International Conference on Ultrafast Optical Science" (Ultrafast-2019)
, серия
ISBN 978-5-00077-959-0
, место издания
Москва
, тезисы, с. 173-174
2019
НОВЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛИМЕР НА ОСНОВЕ ПОЛИФЕНИЛХИНОЛИНА И ЕГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА
Саитов Ш.Р.
,
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов 21-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника
, место издания
Политех-пресс Санкт-Петербург, Россия
, тезисы, с. 124-124
2019
Фотопроводимость композита на основе полимера P3HT и наночастиц кремния
Павликов А.В.
,
Савин К.А.
,
Форш П.А.
,
Амасев Д.В.
,
Казанский А.Г.
,
Тамеев А.Р.
в сборнике
Материалы 13-й международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом"
, серия
ISSN 2663-9939
, место издания
Минск, Беларусь
, тезисы, с. 402-404
2018
Материалы со структурой перовскита для солнечных элементов и фотодетекторов
Казанский А.Г.
,
Савин К.А.
,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трудов VI Всероссийской конференции "Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечной энергетики"
, место издания
г. Чебоксары,
, тезисы, с. 10-11
2017
Влияние фемтосекундного лазерного облучения на структуру и свойства аморфного гидрогенизированного кремния
Форш П.А.
,
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
в сборнике
Материалы 12-й Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом"
, место издания
Минск, Беларусь
, тезисы, с. 295-296
2017
Особенности спектров фотопроводимости и фотоиндуцированных состояний в пленках MAPbI3 перовскитов
Амасев Д.В.
,
Михалевич В.Г.
,
Козюхин С.А.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. – Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с.480
, место издания
Екатеринбург
, тезисы, с. 350
2017
Фотоиндуцированное изменение спектров фотопроводимости пленокCH3NH3PbI3
Амасев Д.В.
,
Михалевич В.Г.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2017»
, издательство
ООО "МАКС Пресс"
(Москва)
, тезисы, с. 631-632
редакторы
Алешковский Иван Андреевич
,
Андриянов Андрей Владимирович
,
Антипов Евгений Александрович
2017
Электрические и фотоэлектрические свойства легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния облученных фемтосекундными лазерными импульсами
Мацукатова А.Н.
,
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трудов V Всероссийской научной конференции «Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечной энергетики»
, место издания
Чебоксары
, тезисы, с. 44-47
2016
Femtosecond laser crystallization of boron-doped amorphous hydrogenated silicon films
Rybalko P.D.
,
Khenkin M.V.
,
Forsh P.A.
,
Drevinskas R.
,
Matsukatova A.N.
,
Ilin A.S.
,
Kazansky P.
,
Kazanskii A.G.
в сборнике
8th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics
, место издания
Kishinev, Moldova
, тезисы, с. 203
2016
Особенности фотопроводимости перовскита CH3NH3PbI3
Хенкин М.В.
,
Амасев Д.В.
, Козюхин С.А., Садовников С.В.,
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 179-180
2016
Твердотельные сенсибилизированные солнечные элементы: достижения, тенденции, проблемы
Козюхин С.А.,
Тамеев А.Р.
, Русинов Г.Л.,
Иванов В.К.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 21-22
2016
Фемтосекундная лазерная модификация пленок аморфного гидрированного кремния для оптоэлектроники и фотовольтаики
Казанский А.Г.
,
Хенкин М.В.
,
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в сборнике
Тезисы XI Международной конференции и Х Школы молодых ученых и специалистов "Кремний - 2016"
, место издания
Издательство СО РАН Новосибирск
, тезисы, с. 24-24
2016
Формирование анизотропной структуры в пленках аморфного гидрогенизированного кремния, модифицированных фемтосекундным лазерным излучением
Амасев Д.В.,
Казанский А.Г.
,
Хенкин М.В.
, Drevinscas R., Kazansky P.
в сборнике
Сборник трудов Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 61-62
2015
Bandgap of low-bandgap polymer and polymer:fullerene bulk heterojunction
Tameev A.R.
,
Malov V.V.
,
Novikov S.V.
,
Khenkin M.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Vannikov A.V.
в сборнике
book of abstracts of 15-th International Symposium on Advanced Organic Photonics (ISAOP-15)
, место издания
Moscow
, тезисы, с. 38-39
2015
Electrical Bandgap of Low-Bandgap Polimer and Polimer:Fulleren Balk Heterojunction
Kazanskii A.
,
Malov V.
, Novikov S.,
Tameev A.
,
Vanniov A.
,
Khenkin M.
в сборнике
Abstract of 26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
, место издания
Julich, Germany
, тезисы, с. 26-26
2015
Femtosecond laser printed microoptics in hydrogenated amorphous silicon
Rokas Drevinskas
,
Martynas Beresna
,
Mindaugas Gecevičius
,
Mark Khenkin
,
Kazanskii Andrey G.
,
Konkov Oleg I.
,
Svirko Yuri P.
,
Kazansky Peter G.
в сборнике
Proceedings of 2015 European Conference on Lasers and Electro-Optics
, место издания
OSA Publishing > Conference Papers > CLEO_Europe > 2015 > CK_14
, тезисы, с. CK_14_4
2015
Structural and photoelectric properties of femtosecond laser-modified a-Si:H
Kazanskii A.
,
Khenkin M.
,
Drevinskas R.
,
Beresna M.
,
Konkov O.
,
Kazansky P.
,
Forsh P.
в сборнике
Abstract of 26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
, место издания
Julich, Germany
, тезисы, с. 11-11
2015
Лазерная кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, легированного бором
Казанский А.Г.
,
Рыбалко П.Д.
,
Хенкин М.В.
в сборнике
Тезисы ХIII Курчатовской молодежной научной школы
, место издания
Москва
, тезисы, с. 223-223
2014
Amorphous hydrogenated silicon modified by femtosecond laser radiation for photovoltaics
Emelyanov A.
,
Kazanskii A.
,
Forsh P.
,
Khekin M.
,
Terukov E.
,
Beresna M.
,
Gecevicius M.
,
Drevinskas R.
,
Kazansky P.
в сборнике
Abstracts of Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Application. 27th July-1st August, Leeds UK
, место издания
Leeds UK
, тезисы, с. 264-264
2014
Determination of the optical absorption edge in a polymer bulk heterojunction by constant photocurrent method
Malov V.V.
,
Tameev A.R.
,
Khenkin M.V.
,
Vannikov A.V.
,
Kazanskii A.G.
в сборнике
Abstract of International Fall School on Organic Electronics – 2014 (IFSOE-2014), Moscow Region, 21-26 September 2014
, тезисы, с. 85
2014
Exitation of gigahertz and terahertz vibrations in nanoparticles suspensions
Baranov A.
,
Tcherniega N.
,
Zhilenko M.
,
Kazanskii A.
в сборнике
Abstracts of Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Application. 27th July-1st August, Leeds UK
, место издания
Leeds UK
, тезисы, с. 236-236
2014
Photoluminescence of hydrogenated nanocrystalline silicon films
Emelyanov A.
,
Kazanskii A.
,
Forsh P.
,
Zhigunov D.
,
Khenkin M.
,
Kashkarov P.
в сборнике
Proceeding of The 8th International Conference “Microelectronics and Computer Science” & The 5th Conference of Physicists of Moldova
, место издания
Technical University of Moldova Chisinau, Moldova
, тезисы, с. 75-77
2014
Post-hydrogenation of amorphous hydrogenated silicon films modified by femtosecond laser irradiation
Khenkin M.
,
Kazanskii A.
,
Emelyanov A.
,
Forsh P.
, Kon'kov O.,
Beresna M.
,
Gecevicius M.
,
Kazansky P.
в сборнике
Abstract of 2014 SPIE (Photonics Europe) Brussels Belgium
, тезисы, с. SPS2 9140-37
2014
Subbandgap absorption and photoconductivity in polymer-fullerene bulk heterojunction
Malov M.
,
Khenkin V.
,
Tameev A.
,
Kazanskii A.
в сборнике
Abstract of 2014 SPIE (Photonics Europe) Brussels Belgium
, тезисы, с. SPS2 9137-37
2014
Влияние длины волны на структуру и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, модифицированных фемтосекундным лазерным облучением
Амасев Д.В.
,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Труды 57-й научной конференции МФТИ с международным участием, посвященной 120-летию со дня рождения П.Л. Капицы. 24-28 ноября 2014 г. Москва,
, место издания
Москва
, тезисы, с. 59-61
2014
Восстановление концентрации водорода в пленках a-Si:H, облученных фемтосекундными лазерными импульсами
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Емельянов А.В.
,
Форш П.А.
, Коньков О.И.,
Gecevicius M.
,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в сборнике
Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года
, тезисы, с. 388-389
2014
Изучение края оптического поглощения в фотоактивных полимерных композитах методом постоянного фототока
Малов В.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Ванников А.В.
в сборнике
Физикохимия-2014: IX Конференция молодых ученых, аспирантов и студентов ИФХЭ РАН. 1-5 декабря 2014. Сборник тезисов докладов
, серия
ФИЗИКОХИМИЯ
, место издания
ИФХЭ РАН Москва
, том 9, тезисы, с. 20-21
редактор
Никулова Ульяна Владимировна
2014
Спектральная зависимость коэффициента поглощения в органических соединениях с объемным гетеропереходом
Малов В.В.
,
Казанский А.Г.
,
Тамеев А.Р.
,
Хенкин М.В.
в сборнике
Сборник тезисов VI Всероссийской Каргинской конференции «Полимеры-2014» (27-31 января 2014)
, серия
1
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 3, тезисы, с. 825-825
2014
Фотолюминесценция нанокристаллического кремния с различной объемной долей нанокристаллической фазы
Форш П.А.
,
Емельянов А.В.
,
Хенкин М.В.
,
Жигунов Д.М.
, Кукин А.В., Теруков Е.И.,
Кашкаров П.К.
,
Казанскиий А.Г.
в сборнике
Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года
, тезисы, с. 105-106
2014
Фотоэлектрические и оптические свойства органических полупроводниковых композитов с объемным гетеропереходом
Малов В.В.
,
Тамеев А.Р.
,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года
, тезисы, с. 147-148
2013
Anomalous Interaction of Longitudinal Electric Field with Hydrogenated Amorphous Silicon Films
Kazanslkii A.
, Jingyu Zhang, Gecevičius M.,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в сборнике
CLEO: 2013 OSA, Technical Digest
, место издания
San Jose, USA
, тезисы, с. p. CM4H.7
2013
Down-Shifter Luminescent Features Engineering in Amorphous Silicon by Femtosecond Laser
Forsh P.
,
Emelyanov A.
,
Khenkin M.
,
Kazanskii A.
,
Zabotnov S.
,
Kashkarov P.
,
Gecevicius M.
,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в сборнике
ICNBME-2013 Proceedings
, место издания
Chisinau, Moldova
, тезисы, с. 294-297
2013
Luminescence down-shifter effect in hydrogenated amorphous silicon modified by femtosecond laser radiation
Emelyanov A.
,
Kazanskii A.
,
Khenkin M.
,
Forsh P.
,
Kashkarov P.
,
Beresna M.
,
Gecevicius M.
,
Kazansky P.
в сборнике
SPIE Photonics West 2013, Technical Summaries,
, место издания
San-Francisco, USA
, тезисы, с. 130-131
2013
Self assembled nanostructuring of a-Si:H with ultrafast light pulses
Kazansky P.
,
Beresna M.
,
Gecevicius M.
,
Kazanskii A.
в сборнике
CLEO/Europe-IQEC: 2013
, место издания
Munich, Germany
, тезисы, с. CM-P.24 SUN
2013
The puzzle of longitudinal electric field interaction with transparent media
Kazanskii A.
, Zhang J., Gecevičius M.,
Beresna M.
,
Kazansky P.
в сборнике
Materials of The Workshop on Ultrafast Modifications of Materials. Cargese, Corsica
, место издания
Cargese, Corsica
, тезисы, с. 131-133
2013
The puzzle of ultrafast laser machining with longitudinal electric field
Zhang J.,
Kazanskii А.
, Gecevičius M., Beresna M., Kazansky P.
в сборнике
Technical digest of ICONO/LAT conference
, серия
Program LFG2
, место издания
Moscow
, тезисы, с. 108-109
2013
Ultrafast laser-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon for photovoltaics
Khenkin M.V.
,
Kazanskii A.G.
,
Emelyanov A.V.
,
Forsh P.A.
, Gecevicius M., Beresna M., Kazansky P.
в сборнике
Technical digest of ICONO/LAT conference
, серия
Program, LWC3
, место издания
Moscow
, тезисы, с. 50-51
2013
Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок a-Si:H на их структуру и фотоэлектрические свойства
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Емельянов А.В.
,
Форш П.А.
, Kazansky P.
в сборнике
Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников,
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 205-205
2013
Методы получения пленок наномодифицированного аморфного кремния с оптимальными параметрами для использования в тонкопленочной солнечной энергетике
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
,
Форш П.А.
в сборнике
Тезисы докладов "Всероссийской научно-технической конференции «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
, место издания
Москва
, тезисы, с. 57-58
2013
Фемтосекундная лазерная кристаллизация аморфного кремния для применения в фотовольтаике
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
,
Хенкин М.В.
,
Форш П.А.
,
Заботнов С.В.
,
Кашкаров П.К.
,
Kazansky Р.G.
в сборнике
Сборник материалов I Всероссийской научной конференции «Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечных элементов 3 поколения"
, место издания
Чебоксары
, тезисы, с. 60-62
2013
Фотоэлектрические и оптические свойства наномодифицированного аморфного кремния
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
,
Кашкаров П.К.
,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
в сборнике
Тезисы докладов Xi Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
, тезисы, с. 189-189
2012
Peculiarities of Photoelectrical and Optical Properties of Hydrogenated Silicon Films with Mixed Amorphous-Nanocrystalline Structure.
Khenkin M.V.
,
Kazanskii A.G.
в сборнике
Book of abstract «Magnetism,Superconductivityand Electronic Structure in Low-Dimensional Systems”. 2nd Russia-Taiwan Joint Symposium
, место издания
Moscow. Russia
, тезисы, с. 5-5
2012
Structural, optical and photoelectric properties of a-Si:H films treated by femtosecond laser pulses
Emelyanov A.V.
, Kashkarov P.K.,
Kazanskii A.G.
,
Kazansky P.
,
Khenkin M.V.
,
Forsh P.A.
в сборнике
Abstracts. 6th Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics. Chisinau, September 11-14 2012
, место издания
Institut of Apllied Physics, Chisinau, Moldova Chisinau, Moldova
, тезисы, с. 197-197
2012
Ultrafast Laser Half-Beam Writing Paradox
Kazansky P., Beresna M., Gecevicius M.,
Kazanskii A.G.
в сборнике
Abstracts International Conference CLEO 2012
, тезисы, с. 92-92
2012
Влияние фемтосекундного лазерного облучения на структуру и оптические свойства аморфного кремния.
Емельянов А.В.
,
Хенкин М.В.
,
Форш П.А.
,
Казанский А.Г.
,
Перминов П.А.
,
Заботнов С.В.
, Кашкаров П.К.,
Kazansky P.
в сборнике
Сборник тезисов V-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им Ю.В Дубровского. Черноголовка. 19-25 ноября
, тезисы, с. 30-31
2012
Оптические и фотоэлектрические свойства пленок полиморфного гидрированного кремния.
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Емельянов А.В.
,
Форш П.А.
в сборнике
Книга тезисов IX Международной конференции и VIII Школы молодых ученых «Кремний 2012»
, место издания
С.-Петербург
, тезисы, с. 321-321
2012
Основные направления и перспективы развития тонкопленочных солнечных элементов
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университетаг, Санкт-Петербург г. Санкт-Петербург,
, тезисы, с. 42-42
2012
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств пленок полиморфного гидрированного кремния
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Емельянов А.В.
,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трудов научной конференции “Ломоносовские чтения". Секция физики
, место издания
Москва, МГУ Москва
, тезисы, с. 36-38
2012
Особенности температурных зависимостей фотопроводимости пленок полиморфного кремния
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
,
Емельянов А.В.
,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трудов VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университетаг, Санкт-Петербург г. Санкт-Петербург,
, тезисы, с. 418-419
2012
Структура и парамагнитные центры полиморфного гидрогенизированного кремния
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
, Кашкаров П.К.,
Константинова Е.А.
,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трудов VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университетаг, Санкт-Петербург г. Санкт-Петербург,
, тезисы, с. 35-35
2012
Электрофизические параметры пленок a-Si:H, обработанных фемтосекундным лазерным излучением
Емельянов А.В.
,
Казанский А.Г.
, Кашкаров П.К.,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
,
Kazansky Р.
в сборнике
Сборник трудов VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университетаг, Санкт-Петербург г. Санкт-Петербург,
, тезисы, с. 401-402
2011
Peculiarities of Photoelectrical and Optical Properties of Hydrogenated Silicon Films with Mixed Amorphous-Nanocrystalline Structure.
Kazanskii A.
,
Khenkin M.
в сборнике
Book of abstract «Science Conference on Materials for Green Energy and Forum on Material Characterization using Synchrotron Radiations"
, место издания
Hsinchu. Taiwan
, тезисы, с. 13-13
2011
Особенности фотоиндуцированных изменений поглощения и фотопроводимости пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой,
Хенкин М.В.
,
Казанский А.Г.
, Peng W.
в сборнике
Теисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы молодых ученых и специалистов "Кремний-2011"
, место издания
М.: Изд.дом "МИСиС" г. Москва
, тезисы, с. 233-233
2010
Light-induced metastable states in nanocrystalline hydrogenated silicon
Kazanskii A.G.
, Zeng X., Peng W.
в сборнике
Abstracts of 5 Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices
, место издания
Beijing, China
, тезисы, с. 16-16
2010
Photoelectric рroperties of two-phase hydrogenated silicon films.
Kazanskii A.G.
в сборнике
Book of abstract “Indo-Russian Expert Meeting on Preparation and Characterization of Silicon For Photovoltaic Application"
, место издания
New Delhi, India
, тезисы, с. 22-22
2010
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Хенкин М.В.
, Zeng X., Peng W.
в сборнике
Труды VII Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
ФТИ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 227-227
2010
Физика слоев гидрированного кремния
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докадов VII международной конференции "Кремний-2010"
, место издания
Издательство Нижегородского университета Нижний Новгород
, тезисы, с. 89-89
2009
Effect of light soaking on CPM absorption spectra in silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
Kazanskii A.G.
, Zeng X.,
Kong G.
, Hao H.
в сборнике
Book of abstract ”23 International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors"
, место издания
Utrecht, the Netherland
, тезисы, с. 58-58
2009
Спектральные зависимости поглощения в двухфазных пленках гидрированного кремния
Казанский А.Г.
, Zeng X.,
Kong G.
в сборнике
Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
Новосибирск
, тезисы, с. 208-208
2008
Electric and optic properties of silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
Kazanskii A.G.
в сборнике
Abstracts of 3 Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices
, место издания
Beijing, China
, тезисы, с. 4-4
2008
Аморфный и нанокристаллический кремний: методы получения и основные физические свойства
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов V Международной конференции и VI школы молодых ученых «Кремний 2008"
, место издания
Черноголовка
, тезисы, с. 32-32
2008
Проблемы определения оптической ширины зоны в микрокристаллическом гидрированном кремнии
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов V Международной конференции и VI школы молодых ученых «Кремний 2008"
, место издания
Черноголовка
, тезисы, с. 146-146
2008
Электрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой
Казанский А.Г.
, Zeng X.,
Kong G.
в сборнике
Сборник трудов VI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 16-16
2007
Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
Kazanskii A.G.
, Kong G., Zeng X., Hao H., Liu F.
в сборнике
Book of abstracts of 22 Int. Conf. on Amorphous and Nanocrocrystalline Semiconductors
, место издания
Colorado, USA
, тезисы, с. ThP14-2-ThP14-2
2007
Генерация и перенос носителей заряда в пленках кремния при переходе от аморфной к нанокристаллической структуре
Казанский А.Г.
, Zeng X.,
Kong G.
в сборнике
Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
Институт Физики Металлов УрО РАН Екатеринбург
, тезисы, с. 124-124
2007
Фотопроводимость субмикронных пленок аморфного гидрированного кремния
Казанский А.Г.
, Сазонов А.Ю., Хомич А.А.
в сборнике
Тезисы докладов IV Международной научной конференции "Кремний-2007"
, место издания
Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС)
, тезисы, с. 38-38
2007
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок гидрированного кремния в области перехода от аморфной к нанокристаллической структуре
Казанский А.Г.
, Kong G., Zeng X.
в сборнике
Тезисы докладов IV Международной научной конференции "Кремний-2007"
, место издания
Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС)
, тезисы, с. 192-192
2006
Band gap density of states distribution and photoconductivity in nanocrystalline hydrogenated silicon
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
, Khabarova K.Yu
в сборнике
Abstracts of 1-st Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices
, место издания
Beijing, China
, тезисы, с. 7-7
2006
Solution-processed photosensitive organic thin films for solar cell applications
Lazarev P.,
Kazanskii A.
, Kozhanov A., Manko A., Nokel A., Sidorenko E., Solodov A., Sulimov V.
в сборнике
Abstracts of spring MRS meeting
, место издания
San Francisco, USA
, тезисы, с. 284-285
2006
Фотоиндуцированное изменение проводимости в легированном и компенсированном аморфном гидрированном кремнии
Казанский А.Г.
, Хабарова К.Ю.
в сборнике
Сборник трудов V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 27-28
2006
Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок аморфного гидрированного кремния
Казанский А.Г.
, Хомич А.А.
в сборнике
Сборник трудов V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 36-36
2006
Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок перилена
Казанский А.Г.
, Фенухин А.В.
в сборнике
Сборник трудов V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 79-80
2005
Absorption spectra of organic semiconductors in IR-range measured by constant photocurrent method
Fenukhin A.V.,
Kazanskii A.G.
, Kolosko A.G., Terukov E.I., Ziminov A.V.
в сборнике
Book of abstracts of 21 Int. Conf. on Amorphous and Nanocrocrystalline Semiconductors
, место издания
Lisbon
, тезисы, с. 130-130
2005
Effect of molecular structure on the film ordering, photoluminescence and absorption spectra in CuPc thin films
Berkovits V.L., Gusev O.V.,
Kazanskii A.G.
, Kolosko A.G., Terukov E.I., Fenukhin A.V., Ulin V.P.
в сборнике
Book of abstracts of 21 Int. Conf. on Amorphous and Nanocrocrystalline Semiconductors
, место издания
Lisbon
, тезисы, с. 138-138
2005
Modulated photoconductivity method for investigation of band gap state distribution in silicon-based thin films
Kazanskii A.G.
, Khabarova K.Yu, Terukov E.I.
в сборнике
Book of abstracts of 21 Int. Conf. on Amorphous and Nanocrocrystalline Semiconductors
, место издания
Lisbon
, тезисы, с. 101-101
2005
Optical, electrical and photoelectrical characterization of PECVD nanocrystalline silicon thin films
Kazanskii A.G.
, Khomich A.A., Sazonov A., Rad M.R.E, Lee C.H., Nathan A., Kovalev V.I., Rukovishnikov A.I.
в сборнике
Book of abstract. International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2005"
, место издания
Zvenigorod
, тезисы, с. 35-35
2005
Исследование спектров инфракрасного поглощения в органических полупроводниках методом постоянного фототока
Зиминов А.В.,
Казанский А.Г.
, Колосько А.Г., Теруков Е.И., Фенухин А.В.
в сборнике
Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
Звенигород
, тезисы, с. 144-144
2005
Остаточная фотопроводимость в компенсированном аморфном гидрированном кремнии
Хабарова К.Ю.,
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов VII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 16-16
2005
Фотоиндуцированное изменение плотности электронных состояний в компенсированном a-Si:H
Казанский А.Г.
, Хабарова К.Ю.
в сборнике
Тезисы лекций и докладов III Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»)
, место издания
Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС) Москва
, тезисы, с. 112-112
2005
Фотопроводимость микрокристаллического и нанокристаллического кремния
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы лекций и докладов III Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»)
, место издания
Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС) Москва
, тезисы, с. 45-45
2004
Electron field emission from silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature. Сборник трудов IV
Wang X.Q., Yin M., He D.Y., Karabutov A.V.,
Kazanskii A.G.
в сборнике
Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, место издания
Издательство СПбГПУ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 21-21
2004
Исследование плотности состояний в аморфном и микрокристаллическом кремнии с помощью измерения модулированной фотопроводимости. Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники
Казанский А.Г.
, Хабарова К.Ю.
в сборнике
Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство СПбГПУ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 77-77
2004
Фотовольтаические свойства гетероперехода n-Si – органический полупроводник
Казанский А.Г.
,
Тамеев А.Р.
, Фенухин А.И., Ванников А.В.
в сборнике
Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 183-183
2004
Фотопроводимость микрокристаллического гидрированного кремния
Казанский А.Г.
в сборнике
Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство СПбГПУ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 20-20
2003
Light-induced effects in a-Si:H(Er)
Birukov A.V., Fenuchin A.V.,
Kazanskii A.G.
, Terukov E.I.
в сборнике
Abstracts of E-MRS Spring Meeting
, место издания
Strasbourg, France
, тезисы, с. J/P. 10-J/P. 10
2003
Влияние дефектов на фотопроводимость микрокристаллического гидрированного кремния
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
, Хабарова К.Ю.,
Чукичев М.В.
в сборнике
Тезисы докладов III Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний 2003»)
, место издания
Москва, МИСиС
, тезисы, с. 387-387
2003
Влияние на оптические и фотоэлектрические свойства пленок с-Si:H облучения их электронами
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
, Хабарова К.Ю.,
Чукичев М.В.
в сборнике
Тезисы докладов научной конференции «Ломоносовские чтения» Москва
, место издания
Москва
, тезисы, с. 67-69
2003
Метастабильное состояние легированного эрбием аморфного гидрированного кремния, вызванное освещением
Бирюков А.В.,
Казанский А.Г.
, Фенухин А.В.
в сборнике
Тезисы докладов III Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний 2003»)
, место издания
Москва, МИСиС
, тезисы, с. 378-380
2002
Влияние термического отжига на оптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллического гидрированного кремния
Казанский А.Г.
, Мелл Х.,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трудов III Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
Издательство СПбГПУ г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 126-126
2002
Фотоиндуцированные изменения проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
Казанский А.Г.
, Мелл Х.,
Форш П.А.
в сборнике
Сборник трудов III Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
Издательство СПбГПУ г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 19-19
2001
Donor formation in plasma-deposited amorphous silicon (a-Si:H) by erbium incorporation
Kazanskii A.
, Mell H., Weiser G., Terukov E.
в сборнике
Abstracts of 19 International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors
, место издания
Nice
, тезисы, с. 45-45
2001
Влияние положения уровня Ферми на концентрацию дефектов и фотопроводимость в пленках аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
Казанский А.Г.
, Mell H., Weiser G.
в сборнике
Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции по физике полупроводников
, место издания
Институт физики микроструктур РАН г. Нижний Новгород
, тезисы, с. 365-365
2001
Оптические и фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы лекций и докладов Второй Российской школы ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2001)
, место издания
Москва
, тезисы, с. 5-5
2000
Photoelectrical properties of microcrystalline silicon films
Forsh P.A.
,
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.
в сборнике
Abstract of E-MRS 2000 Spring Meeting
, место издания
Strasbourg
, тезисы, с. O-17-O-17
2000
Влияние температуры на фотопроводимость и кинетику ее спада в микрокристаллическом кремнии
Казанский А.Г.
, Мелл Х., Теруков Е.И.,
Форш П.А.
в сборнике
Тезисы докладов II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство СПбГТУ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 87-87
2000
Влияние уровня легирования на вызванное освещением изменение темновой проводимости a-Si:H (As)
Казанский А.Г.
, Литвак Е.В.
в сборнике
Тезисы докладов “Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000)
, место издания
Москва
, тезисы, с. 344-344
2000
Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов II Международной конференции "Фундаментальные проблемы физики"
, место издания
Саратов
, тезисы, с. 85-86
2000
Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния, компенсированного бором
Казанский А.Г.
, Мелл Х., Теруков Е.И.,
Форш П.А.
в сборнике
Тезисы докладов “Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000)
, место издания
Москва
, тезисы, с. 346-346
1999
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Доклады научного семинара “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, с.51, Москва, 1999г
, место издания
г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева
, тезисы, с. 51-52
1999
Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состоянийв пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды межд. конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”
, место издания
г. Ульяновск
, тезисы, с. 57
1998
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов Всероссийского симпозиума “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
г. С.-Петербург
, тезисы, с. 19
1998
Фотопроводимость пленок a-Si:H, легированных методом ионной имплантации
Казанский А.Г.
, Петрушко С.М., Рыжкова Р.В.
в сборнике
Тезисы докладов Всероссийского симпозиума “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
г. С.-Петербург
, тезисы, с. 43-43
1997
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Zvyagin I.P.
в сборнике
17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS. Abstract
, место издания
Budapest
, тезисы, с. 224
1997
Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов научного семинара “Новые идеи в физике стекла”
, место издания
г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева
, тезисы, с. 20-21
1997
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремния
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды международной конференции “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”
, место издания
г. Ульяновск
, тезисы, с. 139
1997
Развитие фотовольтаической энергетики и ее роль в решении проблем экологии
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы Всеросийской научной конференции “Физические проблеммы экологии”, Москва
, место издания
Москва
, тезисы, с. 43-43
1995
Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Zvyagin I.P.
, Jarkin D.G.
в сборнике
Abstracts of 16 International Conference on Amorphous Semiconductors, Kobe, Japan
, тезисы, с. 112-112
1992
Эффект Стеблера-Вронского в пленках a-Si:H р-типа
Казанский А.Г.
в сборнике
Материалы III Всеросийского научного семинара «Новые материалы для гелиоэнергетики» Геленжик
, тезисы, с. 23-23
1991
Температурная зависимость положения уровня Ферми в a-Si:H р-типа
Казанский А.Г.
, Кузнецов С.В.
в сборнике
Тезисы докладов Всесоюзного семинара “Аморфные гидрированные полупроводники и их применеие”
, место издания
г.Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе
, тезисы, с. 37-37
1991
Фотопроводимость легированного a-Si:H
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов Всесоюзного семинара “Аморфные гидрированные полупроводники и их применеие”
, место издания
г.Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе
, тезисы, с. 9-9
1989
The influence of the temperature on recombination of the carriers in undoped a-Si:H
Kazanskii A.G.
, Klimashin I.V.
в сборнике
Proceedings of the “XIII International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors" Asheville, USA
, место издания
Asheville, USA
, тезисы, с. 92-92
1989
Влияние водорода на процессы дефектообразования в a-Si:H
Казанский А.Г.
, Миличевич Е.П.
в сборнике
Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике
, место издания
г. Одесса
, тезисы, с. 8-8
1989
Влияние длительного освещения на фотопроводимость и ее температурное гашение в образцах a-Si:H, полученных при различных температурах осаждения
Казанский А.Г.
, Климашин И.В.
в сборнике
Материалы «IХ Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердых телах" Варна, Болгария
, место издания
Варна, Болгария
, тезисы, с. 72-72
1989
Влияние длительного освещения на фотопроводимость и ее температурное гашение в образцах гидрированного кремния, полученного при различных температурах
Казанский А.Г.
, Климашин И.В.
в сборнике
Матриалы Всесоюзной научной конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" Ташкент
, место издания
Ташкент
, тезисы, с. 308-308
1989
Влияние температуры на механизмы рекомбинации неравновесных носителей в аморфном гидрированном кремнии
Казанский А.Г.
, Климашин И.В.
в сборнике
Материалы IХ Международной конференции «Некристаллические полупроводники 89» Ужгород
, тезисы, с. 148-148
1989
Дефектообразование в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации
Казанский А.Г.
, Миличевич Е.П.
в сборнике
Материалы «IХ Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердых телах" Варна, Болгария
, место издания
Варна, Болгария
, тезисы, с. 45-45
1989
Дефектообразование в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации
Казанский А.Г.
, Миличевич Е.П.
в сборнике
Материалы IХ Международной конференции «Некристаллические полупроводники 89» Ужгород
, тезисы, с. 4-4
1988
Electrical properties of amorphous hydrogenated films deposited at high temperatures
Konkov O.I., Kudoyarova V.K., Terukov E.I.,
Kazanskii A.G.
в сборнике
Proceedings of the Fifth International School on Condensed Matter Physics “Disorded Systems and New Materials"
, место издания
Varna, Bulgaria
, тезисы, с. 660-660
1984
Влияние импульсного лазерного облучения на спектры пропускания гидрогенизированного аморфного кремния
Малов А.Н., Сапцин В.М., Сапцина Т.Н.,
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом, Вильнюс,1984
, место издания
Вильнюс
, тезисы, с. 157-157
1983
Фотопроводимость, оптическое поглощение и электрический перенос в пленках аморфного гидрогенизированного кремния
Вавилов В.С.,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
, Миличевич Е.П.,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Материалы конференции «Ломоносовские чтения» Москва
, тезисы, с. 56-56
1982
Влияние освещения на медленные электрофизические процессы на поверхности аморфного кремния
Силаев Е.А.,
Казанский А.Г.
в сборнике
Материалы III Всесоюзного совещания «Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы» Кемерово
, тезисы, с. 87-87
1982
Исследование поглощения в области энергий, меньших оптической ширины запрещенной зоны гидрогенизированного аморфного кремния при эффекте Стеблера-Вронского
Вавилов В.С.,
Казанский А.Г.
, Миличевич Е.П.
в сборнике
Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку. 1982
, том 2, тезисы, с. 105-105
1982
Исследование энергетического распределения ловушек в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
Гордеев С.Н., Зарифьянц Ю.А.,
Казанский А.Г.
в сборнике
Тезисы докладов II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках
, место издания
”Наукова думка” г. Киев
, тезисы, с. 93-93
1982
О роли поверхностных явлений в эффекте Стеблера-Вронского
Силаев Е.А.,
Казанский А.Г.
в сборнике
Материалы симпозиума «Полупроводниковые преобразователи солнечной энергии» Киев
, место издания
Киев
, тезисы, с. 56-56
1980
Смещение в длинноволновую область красной границы примесной фотопроводимости германия при одноосном сжатии
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы «III Всесоюзного симпозиума по миллиметровым и субмиллиметровым волнам" Горький
, том 6, тезисы, с. 239-239
1978
Photoconductivity in gallium doped germanium at 200 m. Материалы «III Межународной конференции по субмиллиметровым волнам и их применению» Англия
Kazanskii A.G.
,
Hueschen M.R.
, Richards P.L., Haller E.E.
в сборнике
Материалы «III Межународной конференции по субмиллиметровым волнам и их применению» Англия
, тезисы, с. 213-213
1978
Поглощение субмиллиметрового излучения в германии с бериллием
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
, Плескачева Т.Б., Сапцин В.М., Тяпкина Н.Д.
в сборнике
Материалы «II Всесоюзного симпозиума по миллиметровым и субмиллиметровым волнам" Харьков
, место издания
Харьков
, том 2, тезисы, с. 75-75
1978
Температурная зависимость поглощения субмиллиметрового мизлучения компенсированным германием
Вавилов В.С.,
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
, Сапцин В.М., Цикунов А.В.
в сборнике
Материалы «II Всесоюзного симпозиума по миллиметровым и субмиллиметровым волнам" Харьков
, место издания
Харьков
, том 2, тезисы, с. 73-73
1974
Исследование горячих дырок в р-кремнии, генерируемых СО2 лазером при гелиевых температурах
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы «Второго симпозиума по физике плазмы и электрическим неустойчивостям в твердых телах» Вильнюс
, тезисы, с. 56-57
1974
Рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей в кремнии, генерируемых примесным возбуждением от СО2 лазера при гелиевых температурах
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы «Международного совещания по оптическим и фотоэлектрическим явлениямв твердом теле" Варна, Болгария
, тезисы, с. 51-51
1972
Исследование рассеяния и рекомбинации электронов на ионизованной примеси в кремнии методом циклотронного резонанса
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы научной конференции «Ломоносовские чтения» МГУ, секция физики
, тезисы, с. 28-28
НИРы
8 июня 2016 - 5 декабря 2019
Электропроводящие полимерные композиты и 2D-наноразмерные структуры для тандемных солнечных элементов
Лаборатория электронных и фотонных процессов в полимерных наноматериалах
Руководитель:
Тамеев А.Р.
Ответственные исполнители:
Грибкова О.Л.
,
Кабанова В.А.
Участники НИР:
Казанский А.Г.
,
Кривенко Т.В.
,
Лыпенко Д.А.
,
Малов В.В.
,
Некрасова Н.В.
,
Теруков Е.И.
,
Якобсон О.Д.
27 октября 2014 - 20 ноября 2016
Исследования текстурированной поверхности и интерфейсов аморфно-кристаллических структур на основе кремния
Физический факультет
Руководитель:
Кашкаров П.К.
Участники НИР:
Воронцов А.С.
,
Жигунов Д.М.
,
Ильин А.С.
,
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
,
Мартышов М.Н.
,
Форш П.А.
30 июня 2014 - 31 декабря 2016
Разработка методики модификации структуры и свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния фемтосекундным лазерным облучением для фотовольтаических применений
Физический факультет
Руководитель:
Кашкаров П.К.
Участники НИР:
Воронцов А.С.
,
Ермакова Н.М.
,
Ефимова А.И.
,
Жигунов Д.М.
,
Заботнов С.В.
,
Ильин А.С.
,
Казанский А.Г.
,
Колесова Н.С.
,
Константинова Е.А.
,
Мартышов М.Н.
,
Павликов А.В.
,
Форш П.А.
10 января 2012 - 25 декабря 2014
Фонон-плазмонные взаимодействия в полупроводниках при широкополосной модуляции дрейфовой скорости электронов и параметраческое управление структурой акустических пучков
Институт общей физики РАН
Руководитель:
Стрельцов В.Н.
Участники НИР:
Григорьев П.В.
,
Казанский А.Г.
,
Ломоносов А.М.
,
Михалевич В.Г.
,
Михалевич В.Г.
20 апреля 2011 - 15 декабря 2012
Разработка методов получения нанокомпозитных пленок на основе аморфного кремния, содержащего кремниевые нанокристаллы, для солнечных элементов
Физический факультет
Руководитель:
Кашкаров П.К.
Участники НИР:
Воронцов А.С.
,
Ефимова А.И.
,
Жигунов Д.М.
,
Заботнов С.В.
,
Казанский А.Г.
,
Константинова Е.А.
,
Мартышов М.Н.
,
Форш П.А.
1 января 1999 - 31 декабря 2025
Электронные процессы в полупроводниковых структурах и материалах для электроники и оптоэлектроники
Физический факультет
Руководители:
Днепровский В.С.
,
Снигирев О.В.
Участники НИР:
Белогорохова Л.И.
,
Васильев А.А.
,
Голинская А.Д.
,
Дагесян С.А.
,
Днепровский В.С.
,
Дорофеев А.А.
,
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Козлова М.В.
,
Кошелев О.Г.
,
Краевский М.В.
,
Курова И.А.
,
Лебедев А.И.
,
Манцевич В.Н.
,
Мещерякова О.И.
,
Миронов А.Г.
,
Нибудин Г.В.
,
Ормонт М.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Савинов В.П.
,
Случинская И.А.
,
Смирнов А.М.
,
Снигирев Г.О.
,
Сухова Н.И.
,
Хенкин М.В.
,
Чукичев М.В.
,
Шорохов В.В.
,
Юнович А.Э.
,
Якунин В.Г.
Патенты
2020
Фоторезистор на основе композитного материала, состоящего из полимера поли(3-гексилтиофена) и наночастиц кремния p-типа проводимости
Авторы:
Савин Константин Антонович
,
Форш Павел Анатольевич
,
Ильин Александр Сергеевич
,
Казанский Андрей Георгиевич
#RU (11) 197 989 (13) U1, 10 июня
2018
Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний для солнечных элементов и солнечный элемент с таким гетеропереходом
Авторы:
Кашкаров Павел Константинович
,
Казанский Андрей Георгиевич
,
Форш Павел Анатольевич
,
Жигунов Денис Михайлович
#RU 2667689, 7 июня
2018
Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями
Авторы:
Кашкаров П.К.
,
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Жигунов Д.М.
#RU 2660220, 15 марта
2017
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЕРЕИЗЛУЧАЮЩИХ ТЕКСТУРИРОВАННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯ
Авторы:
Кашкаров П.К.
,
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Жигунов Д.М.
,
Емельянов А.В.
#2619446, 15 мая
2014
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК АМОРФНОГО КРЕМНИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ВКЛЮЧЕНИЯ
Авторы:
Кашкаров П.К.
,
Казанский А.Г.
,
Форш П.А.
,
Жигунов Д.М.
#RU 2536775 C2, 27 декабря
Отчеты
2014
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ И МАТЕРИАЛАХ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Авторы:
Днепровский Владимир Самсонович
,
Звягин Игорь Петрович
,
Казанский Андрей Георгиевич
,
Козлова Мария Владимировна
,
Кошелев Олег Григорьевич
,
Курова Ида Александровна
,
Лебедев Александр Иванович
,
Манцевич Владимир Николаевич
,
Миронов Александр Григорьевич
,
Ормонт Михаил Александрович
,
Ормонт Наталия Николаевна
,
Случинская Ирина Александровна
,
Смирнов Александр Михайлович
,
Сухова Наталья Ивановна
,
Чукичев Михаил Васильевич
,
Юнович Александр Эммануилович
,
Хенкин Марк Вадимович
#01990001318, 9 с.
2003
Электронные процессы, связанные с образованием метастабильных состояний в неоднородных гомофазных и гетерофазных материалах полупроводниковой электроники
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Форш П.А.
#УР.01.03.004, 11 с.
1988
"Изучение механизмов деградации фотоэлектрических слоев и структур на основе a-Si:H и a-SiC:H"
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Остробородова В.В.
,
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Курова И.Ф.
,
Ормонт Н.Н.
,
Казанский А.Г.
,
Миличевич Е.П.
,
Понарина Е.Н.
,
Мелешко Н.В.
#х/д тема 45/86, 130 с.
Награды и премии
2012
Заслуженный научный сотрудник Московского университета
Лауреат:
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия
Участие в редколлегии журналов
с 5 ноября 2015
Фотоника
11 февраля 2014 - 31 декабря 2014
Спецвыпуск «Nanoelectronics and Optoelectronics»
главный редактор
с 1 мая 1999
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
http://met.misis.ru/jour
Участие в программных комитетах конференций
5-7 июля 2021
12 Международная конеренция Аморфные и микрокристаллические полупроводники
Член программного комитета
Санкт Петербург, Россия
12-23 апреля 2021
XXVIII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2021"
Член программного комитета
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
12-23 апреля 2021
XXVIII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2021"
Член программного комитета
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
12-23 апреля 2021
XXVIII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2021"
Член организационного комитета
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
10-27 ноября 2020
Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2020»
Член программного комитета
Москва, Россия
9-13 ноября 2020
XXVII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2020"
Член организационного комитета
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
11 апреля 2019
Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019»
Член программного комитета
Москва, Россия
11 апреля 2019
Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019»
Член организационного комитета
Москва, Россия
19-21 ноября 2018
XI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
Член программного комитета
г. Санкт-Перербург, Россия
22-26 октября 2018
XII Международная конференция КРЕМНИЙ -2018
Член программного комитета
Черноголовка, Россия
1-6 октября 2018
X Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых учёных «Диагностика наноматериалов и наноструктур»
Член программного комитета
Рязань, Россия
10 апреля 2018
XXV Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов-2018", секция Физика
Член программного комитета
Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия
10-14 апреля 2018
Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2018»
Член организационного комитета
Экономический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова, Россия
18-22 сентября 2017
IX Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению «Диагностика наноматериалов и наностуктур»
Член программного комитета
Рязань, Россия
12-15 сентября 2016
XI Международная конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе КРЕМНИЙ-2016,
Член программного комитета
Новосибирск, Россия
4-6 июля 2016
Х Международнпя конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Россия
11-15 апреля 2016
Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2016»
Член программного комитета
МГУ им. М.В. Ломоносова , Россия
13-17 апреля 2015
XXII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов-2015". Секция "Физика"
Член программного комитета
Физический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова, Россия
2014
Всероссийская конференция «Кремний 2014»
Член программного комитета
Иркутск
2014
XXI Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов-2014" (Секция "Физика")
Член программного комитета
МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва, Россия
2014
IX Международная конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Россия
7-14 июля 2014
X Международная конференция и IX Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ-2014».
Член программного комитета
Иркутск, Россия
2013
Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2013»
Член программного комитета
Москва, Россия
2013
VI Всероссийская научно-техническая конференция студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов по направлению «Диагностика наноматериалов и структур»
Член программного комитета
Рязань
2012
VIII Международная конференция "Аморфные и нанокристаллические полупроводники"
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Россия
2012
Школа молодых ученых в рамках V Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов по направлению «Диагностика наноматериалов и структур»
Член программного комитета
Рязань
9-13 июля 2012
IX Международная конферения и VIII Школа молодых ученых "Кремний- 2012"
Член программного комитета
г. Санкт-Петербург, Санкт-петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Россия
2011
VIII-я Международная конференция и VI –я Школа молодых ученых и специалистов «Кремний-2011»
Член программного комитета
Москва, Россия
2011
Школа молодых ученых в рамках IV Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов по направлению «Диагностика наноматериалов и структур»
Член программного комитета
Рязань
2010
VII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Россия
2010
VII Международная конференция "Кремний-2010"
Член программного комитета
г. Нижний Новгород
2010
Школа молодых ученых в рамках III Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов по направлению «Наноматериалы и методы их исследования».
Член программного комитета
Рязань
2009
Школа молодых ученых в рамках II Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов по направлению «Наноматериалы и методы их исследования»
Член программного комитета
Рязань
2008
V Международная конференция и VI школа молодых ученых «Кремний 2008».
Член программного комитета
Черноголовка
2008
Школа молодых ученых в рамках I Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов по направлению «Наноматериалы и методы их исследования»
Член программного комитета
Рязань
2008
VI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Россия
2007
Четвертая российская конференция «Кремний 2007»
Член программного комитета
Москва, Россия
2006
V Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
Член программного комитета
г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия
2005
Третьей Российской школы ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кремния и приборных структур на его основе».(“Кремний- 2005”)
Член программного комитета
Москва, Россия
2004
IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
Член программного комитета
г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия
2003
Третья Российская школа ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кремния и приборных структур на его основе (“Кремний– 2003”),
Член программного комитета
Москва, Россия
2002
III Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Россия
2001
Вторая Российская школа ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния (“Кремний–2001”)
Член программного комитета
Москва,, Россия
2000
Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000")
Член программного комитета
Москва, Россия
2000
II Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
Член программного комитета
г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия
Членство в диссертационных советах
5 сентября 2017 - 23 сентября 2021
МГУ.013.5(01.18), МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Действующие члены совета:
Перов Н.С.
,
Васильев А.Н.
,
Кашкаров П.К.
,
Шапаева Т.Б.
,
Волкова О.С.
,
Ганьшина Е.А.
,
Гиппиус А.А.
,
Грановский А.Б.
,
Киселева Т.Ю.
,
Константинова Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Куприянов М.Ю.
,
Манцевич В.Н.
,
Маслова Н.С.
,
Панина Л.В.
,
Пятаков А.П.
,
Русаков В.С.
,
Снигирев О.В.
,
Тиходеев С.Г.
,
Форш П.А.
,
Ховайло В.В.
,
Хохлов Д.Р.
8 июня 2017 - 1 июля 2022
МГУ.013.4(01.13), МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
01.04.21 - Лазерная физика (физ.-мат. науки)
Действующие члены совета:
Андреев А.В.
,
Макаров В.А.
,
Коновко А.А.
,
Коновко А.А.
,
Аракелян С.М.
,
Бункин А.Ф.
,
Гиппиус Н.А.
,
Головань Л.А.
,
Гордиенко В.М.
,
Задков В.Н.
,
Карабутов А.А.
,
Китаева Г.Х.
,
Кулик С.П.
,
Манцызов Б.И.
,
Мурзина Т.В.
,
Наумов А.В.
,
Панов В.И.
,
Панченко В.Я.
,
Савельев-Трофимов А.Б.
,
Сазонов С.В.
,
Стремоухов С.Ю.
,
Фадеев В.В.
,
Чикишев А.Ю.
,
Чиркин А.С.
,
Шкуринов А.П.
6 июля 2016 - 31 августа 2017
Д 501.001.31, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
01.04.21 - Лазерная физика (физ.-мат. науки)
с 10 марта 2010
Д 212.157.06, Московский энергетический институт (технический университет)
Действующие члены совета:
Казанский А.Г.
4 октября 1994 - 31 августа 2017
Д 501.001.70, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
Руководство диссертациями
2015
Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния.
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
М.В. Хенкин
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Д 501.001.70
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
2006
Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор: Хабарова К.Ю.
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Д 501.001.70
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
2003
Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Форш П.А.
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Д 501.001.70
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
2001
Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Кузнецов С.В.
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Д 501.001.70
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
1996
Метастабильные состояния, возникающие в результате длительного освещения легированного и компенсированного гидрированного аморфного кремния
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Яркин Д. Г.
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Д 501.001.70
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
1989
Оптическое поглощение в «дефектной» области и фотопроводимость аморфного гидрогенизированного кремния
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Миличевич Е. П.
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Д 501.001.70
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
Диссертации
1993
Неравновечные фотоэлектронные процессы в аморфном гидрированном кремнии
Докторская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
А.Г.Казанский
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Специализированный Совет Д.053.05.40 по физике твердого тела при МГУ им. М.В. Ломоносова
при Московский государственный университет, Физический факультет
Организация, в которой выполнялась работа:
Физический факультет Московского государственного университета
Ведущая организация:
Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе
Оппоненты:
Айвазов А.А.
,
Воронков Э.Н.
,
Козлов С.Н.
1973
Исследование фотоэлектрических явлений в кремнии и германии с помощью СВЧ
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Научные руководители:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
, МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
Секция № 2 Ученого совета Отделения физики твердого тела физического факультета МГУ
при Московский государственный университет, Физический факультет
Организация, в которой выполнялась работа:
Московский государственный университет
Ведущая организация:
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Оппоненты:
Гершензон Е.М.
Руководство дипломными работами
2020
ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОЛИМЕРОВ
Научный руководитель:
Казанский Андрей Георгиевич
Автор: Саитов Ш.Р. (Магистр)
2018
Электрические и фотоэлектрические свойства фоточувствительных полимеров
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Саитов Ш.Р. (Бакалавр)
2018
Электрические и фотоэлектрические свойства металлоорганических перовскитов
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Попов С.В. (Магистр)
2018
Лазерно модифицированные пленки аморфного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Скворцов Н.П. (Магистр)
2017
Электрические и фотоэлектрические свойствапленок аморфного кремния, модифицированного лазерным излучением.
Научный руководитель:
Казаский А.Г.
Автор: Рыбалко П.Д. (Магистр)
2016
Фотоиндуцированные эффекты в двухфазных пленках гидрированного кремния
Научный руководитель:
Казанский Андрей Георгиевич
Автор: Скворцов Николай Петрович (Бакалавр)
2016
Металло-индуцированная кристаллизация пленок a-Si:H, полученных методом "горячей проволоки"
Научный руководитель:
Казанский Андрей Георгиевич
Автор: Попов Сергей Владимирович (Бакалавр)
2015
Электрические и фотоэлектрические свойства супрамолекулярных структур органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Н. С. Журавлев (Бакалавр)
2015
Электрические и фотоэлектрические свойства двухфазных пленок гидрированного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: П.Д. Рыбалко (Бакалавр)
2014
Структура и фотоэлектрические свойства пленок аморфного кремния, модифицированных фемтосекундным лазерным излучением
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Д.В. Амасев (Специалист)
2013
Фотоэлектрические свойства объемных гетеропереходов на основе полимерных композитов
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Малов В.В. (Специалист)
2012
Влияние толщины пленок полиморфного гидрированного кремния на их электрические и фотоэлектрические параметры
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Руденко Н.Г. (Специалист)
2011
Свойства пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Хенкин М.В. (Специалист)
2009
Исследование структуры двухфазных пленок гидрированного кремния методом комбинационного рассеяния света
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Хомич А.А. (Специалист)
2009
Исследование спектральной зависимости коэффициента поглощения в пленках гидрированного кремния с двухфазной структурой
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Дьяков С.С. (Специалист)
2006
Фотоиндуцировыанные изменения проводимости и фотопроводимости компенсированного аморфного гидрированного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Глубоков Ф.А. (Специалист)
2005
Исследование спектральной зависимости кофэффициента поглощения в органичеких полупроводниках методом постоянного фототока
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Крылова С.И. (Специалист)
2004
Фотоиндуцированные состояния в компенсированном аморфном кремнии
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Еремин Д.С. (Специалист)
2004
Исследования плотности электронных состояний в a-Si:H и mc-Si:H методом фотомодуляционной спектроскопии
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Хабарова К.Ю. (Специалист)
2003
Влияние освещения на электрофизический свойства пленок a-Si:H, легированных эрбием
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Фенухин А.В. (Специалист)
2000
Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния, слаболегированного бором
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Форш П.А. (Специалист)
2000
Влияние освещения на электрические свойства пленок a-Si:H, легированного мышьяком
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Литвак Е.В. (Специалист)
1999
Фотоэлектрические свойства аморфного кремния, гидрированного и легированного методом ионнойимплантации
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Рыжкова Н.В. (Специалист)
1994
Остаточная фотопроводимость в компенсированном a-Si:H
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Мельников А.В. (Специалист)
1992
Численное моделирование процессов рекомбинации в легированном a-Si:H
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Шамонина Е.А. (Специалист)
1991
Численный расчет стационарной фотопроводимости аморфного гидрированного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Яковлева О.Е. (Специалист)
1991
Изучение дрейфовой подвижности электронов в a-Si:H методом нестационарной фотопроводимости
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Яркин Д.Г. (Специалист)
1989
Фотоэлеуктрические и оптические свойства пленок аморфного гидрированного кремния, слаболегтолванных бором
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Уразбаева Р.А. (Специалист)
1987
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Буторин О.В. (Специалист)
1983
Исследование оптической ширины запрещенной зоны гидрогенизированного аморфного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Бузько Г.А. (Специалист)
1979
Циклотронный резонанс дырок отщепленной зоны кремния в миллиметровой области
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Лудвиг В. (Специалист)
1979
Детектирование миллиметрового излучения p-Ge при одноосном сжатии.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Курленков С.С. (Специалист)
1977
Поглощение субмиллиметрового и миллиметрового излучений компенсированным германием при гелиевых температурах.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Цикунов А.В. (Специалист)
1975
Исследование взаимодействия субмиллиметрового и миллиметрового излучений с компенсированным p-Ge.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Резников П.В., (Специалист)
1974
Разработка делительного устройства . Исследование разогрева электронов в германии методом циклотронног о резонанса
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Беккиев А.Ю., (Специалист)
1972
Влияние СВЧ на проводимость компенсированного Ge p-типа при гелиевых температурах.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Абатуров М.А. (Специалист)
Руководство курсовыми работами
2019
Тонкопленочные солнечные фотопреобразлватели
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Юрасова Мария Николаевна (Бакалавр)
2019
Преобразователи солнечной энергии на основе органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Клименко Григорий Андреевич (Бакалавр)
2019
Органические полупроводники в приборах отображения информации
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Фролов Д.А. (Бакалавр)
2017
Солнечные преобразователи на основе органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Полянский Сергей Алексеевич (Бакалавр)
2016
Тонкопленочные солнечные преобразователи
Научный руководитель:
Казанский Андрей Георгиевич
Автор: Саитов Ш.Р. (Бакалавр)
2015
Устройства вывода информации на основе органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Сазонов Антон Сергеевич (Бакалавр)
2014
Солнечные фотопреобразователи на основе аморфного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Васильев Павел (Бакалавр)
2014
Органические полупроводники в приборах отображения информации
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Попов Сергей Владимирович (Бакалавр)
2014
Органические полупроводники
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Скворов Николай Петрович (Бакалавр)
2013
Солнечные батареи на основе гидрогенизированного аморфного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Вильямс Михаил (Бакалавр)
2013
Основные направления в разработке солнечных фотопреобразлвателей
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Рыбалко Павел Дмитриевич (Бакалавр)
2011
Тонкопленочные преобразователи солнечной энергии на основе a-Si:H
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Амасев Дмитрий Валерьевич (Специалист)
2010
Солнечные преобразователи на основе органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Малов Владимир Владимирович (Специалист)
2009
Основные направления в создании солнечных фотопреобразовалеоей
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Руднко Н.Г. (Специалист)
2008
Солнечные фотоэлементы на основе органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Хенкин Марк Вадимович (Специалист)
2008
Солнечные преобразователи на основе аморфных полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Иванов Роман (Специалист)
2006
Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок аморфного гидридного кремния
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Хомич Андрей Александрович (Специалист)
2006
Солнечные батареи на основе органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Трубкин Кирил Валерьевич (Специалист)
2006
Использование тонких пленок аморфного гидрированного кремния в солнечной энергетике
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Веремейчик Максим Олегович (Специалист)
2005
Солнечные элементы на основе органических полупроводников
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Бородина Т.Д. (Специалист)
2005
Основные направления в развитии солнечных фотопреобразователей
Научный руководитель:
Казанский А.Г.
Автор: Корниенко А.Е. (Специалист)
Авторство учебных курсов
2019
Органический полупроводники
Автор:
Казанский Андрей Георгиевич
2019
Оптика полупроводников
Автор:
Казанский Андрей Георгиевич
2018
Введение в органические полупроводники
Автор:
Казанский Андрей Георгиевич
2015
Введение в оптику полупроводников
Автор:
Казанский А.Г.
2015
Аморфные гидрированные полупроводники
Автор:
Казанский А.Г.
2009
ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Авторы:
Юнович А.Э.
,
Казанский А.Г.
2005
Физика неупорядоченных полупроводников
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Миронов А.Г.
2005
Действие излучений на полупроводники и радиационные методы в твердотельной электронике
Автор:
Казанский А.Г.
2000
Физика неупорядоченных полупроводников
Автор:
Казанский А.Г.
1999
Физика неупорядоченных полупроводников
Автор:
Казанский А.Г.
Преподавание учебных курсов
8 февраля 2021 - 31 мая 2021
Органические полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
8 февраля 2021 - 31 мая 2021
Введение в оптику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
8 февраля 2021 - 31 мая 2021
Оптика полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
8 февраля 2021 - 31 мая 2021
Аморфные гидрированные полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
1 сентября 2020 - 30 декабря 2020
Введение в органические полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2020 - 29 декабря 2020
Оптические явления в полупроводниках
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2020 - 29 декабря 2020
Физика неупорядоченных полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
7 февраля 2020 - 29 мая 2020
Органические полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
7 февраля 2020 - 29 мая 2020
Введение в оптику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
7 февраля 2020 - 29 мая 2020
Оптика полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
2 сентября 2019 - 27 декабря 2019
Введение в органические полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
2 сентября 2019 - 27 декабря 2019
Оптические явления в полупроводниках
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
2 сентября 2019 - 27 декабря 2019
Физика неупорядоченных полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
7 февраля 2019 - 31 мая 2019
Введение в оптику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
7 февраля 2019 - 31 мая 2019
Аморфные гидрированные полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
7 февраля 2019 - 31 мая 2019
Оптика полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
3 сентября 2018 - 28 декабря 2018
Введение в органические полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
3 сентября 2018 - 28 декабря 2018
Физика неупорядоченных полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
3 сентября 2018 - 28 декабря 2018
Оптические явления в полупроводниках
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
8 февраля 2018 - 31 мая 2018
Введение в оптику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
8 февраля 2018 - 31 мая 2018
Оптика полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
1 сентября 2017 - 29 декабря 2017
Аморфные гидрированные полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 28 часов
1 сентября 2017 - 29 декабря 2017
Оптические явления в полупроводниках
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2017 - 29 декабря 2017
Физика неупорядоченных полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
7 февраля 2017 - 31 мая 2017
Оптика полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
7 февраля 2017 - 31 мая 2017
Введение в оптику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
1 сентября 2016 - 30 декабря 2016
Аморфные гидрированные полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
1 сентября 2016 - 30 декабря 2016
Оптические явления в полупроводниках
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2016 - 30 декабря 2016
Физика неупорядоченных полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 18 часов
8 февраля 2016 - 28 мая 2016
Введение в оптику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 34 часов
1 сентября 2012 - 30 декабря 2015
Аморфные гидрированные полупроводники
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2010 - 30 декабря 2015
Оптические явления в полупроводниках
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
1 сентября 2009 - 31 декабря 2009
Оптические явления в полупроводниках
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
1 сентября 2005 - 31 декабря 2015
Действие излучений на полупроводники и радиационные методы в твердотельной электронике
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
1 сентября 2000 - 29 декабря 2015
Физика неупорядоченных полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов