ИСТИНА

Мяконьких Андрей Валерьевич пользователь

кандидат физико-математических наук с 2009 года

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева Российской академии наук

Соавторы: Татаринцев А.А., Руденко К.В., Руденко К.В., Рогожин А.Е., Ломов А.А., Орешко А.П., Руденко К.В., Божьев И.В., Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Резванов А.А., Шемухин А.А., Fu D.J. показать полностью..., Kalnov V.A., LUKICHEV V., ORLIKOVSKII A., Белых С.Ф., Дроздов М.Н., Иешкин А.Е., Коробейщиков Н.Г., Орликовский Н.А., Пеленович В.О., Рогожин А.Е., Толстогузов А.Б., Трифонов А.С., Шишлянников А.В., Baklanov M.R., Chanson R., Clemente I., Lin Z., Nigel H., Orlikovsky N.A., Shahsenov I.S., Vishnevskiy Y.V.,  Rudakov V.,  Rudenko K., Грушин Б.А., Зотович А.И., Зырянов С.М., Иваненко И.П., Киселев Д.А., Корнев В.К., Кузьменко В.О., Курчиков К.А., Лопаев Д.В., Лукичев В.Ф., Маслаков К.И., Назаров А.В., Рудаков В.И., Симакин С.Г., Чесноков Ю.М., Чесноков Ю.Н.

26 статей, 7 докладов на конференциях, 9 тезисов докладов, 1 НИР

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 47, Scopus: 58
РИНЦ:

IstinaResearcherID (IRID): 301115263

ResearcherID: B-1357-2016

Scopus Author ID: 57203712756

ORCID: 0000-0002-9547-1619

Деятельность

---

• Статьи в журналах

  • • 2021 Исследование плазмостойкости электронного резиста HSQ высокого разрешения для прототипирования приборов наноэлектроники
    • Мяконьких А.В., Шишлянников А.В., Татаринцев А.А., Кузьменко В.О., Руденко К.В., Горнев Е.С.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 49, № 5 DOI
  • 
    • 2020 Hafnia and alumina stacks as UTBOXs in silicon-on insulator
    • Popov V.P., Antonov V.A., Gutakovskiy A.K., Tyschenko I.E., Vdovin V.I., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V.
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 168, с. 107734 DOI
  • 
    • 2020 Influence of the Finite-Size Effect on the Cluster Ion Emission of Silicon Nanostructures
    • Tolstoguzov A.B., Drozdov M.N., Ieshkin A.E., Tatarintsev A.A., Myakonkikh A.V., Belykh S.F., Korobeishchikov N.G., Pelenovich V.O., Fu D.J.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 111, № 8, с. 467-471 DOI
  • • 2020 Влияние размерного эффекта на кластерную ионную эмиссию наноструктур кремния
    • Толстогузов А.Б., Дроздов М.Н., Иешкин А.Е., Татаринцев А.А., Мяконьких А.В., Белых С.Ф., Коробейщиков Н.Г., Пеленович В.О., Фу Д.
    • в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 111, № 8, с. 531-535 DOI
  • • 2020 ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНИЙ В ПОРИСТЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ ДЛЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ С ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ 28 НМ И НИЖЕ
    • Орлов А.А., Резванов А.А., Мяконьких А.В.
    • в журнале Наноиндустрия, издательство АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера" (Москва), том 96, № 3s, с. 684-687 DOI
  • • 2019 Atomic layer etching of Silicon Oxide
    • Kuzmenko V., Miakonkikh A., Rudenko K.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 1410, с. 012023
  • 
    • 2019 Fabrication and properties of SOI-based planar silicon nanowire arrays
    • Rogozhin Alexander E., Miakonkikh Andrey V., Tatarintsev Andrey A., Rudenko K.V.
    • в журнале Proc. SPIE, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, том 11022, с. 1102222 DOI
  • 
    • 2018 Dependence of the Resistance of the Negative e-Beam Resist HSQ Versus the Dose in the RIE and Wet Etching Processes
    • Miakonkikh A.V., Orlikovskiy N.A., Rogozhin A.E., Tatarintsev A.A., Rudenko K.V.
    • в журнале Russian Microelectronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 47, № 3, с. 157-19 DOI
  • 
    • 2018 Investigation of the Process of Open Plasma-Chemical Etching of HkMG Stack Nanoscale Transistor with a 32-nm Critical Dimension
    • Myakonkikh A.V., Kuvaev K.Yu, Tatarintsev A.A., Orlikovskii N.A., Rudenko K.V., Guschin O.P., Gornev E.S.
    • в журнале Russian Microelectronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 47, № 5, с. 325-333 DOI
  • 
    • 2018 Local sensor based on nanowire field effect transistor from inhomogeneously doped silicon on insulator
    • Presnov Denis E., Bozhev Ivan V., Miakonkikh Andrew V., Simakin Sergey G., Trifonov Artem S., Krupenin Vladimir A.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 123, № 5, с. 054503 DOI
  • 
    • 2018 Low-k protection from F radicals and VUV photons by multilayer pore grafting approach
    • Zotovich Alexey, Rezvanov Askar, Chanson Romain, Zhang Lin, Hacker Nigel, Kurchikov Konstantin Alekseevich, Klimin Sergey, Zyryanov S.M., Lopaev D., Gornev Evgeny, Clemente Iosif, Miakonkikh Andrew, Maslakov K.I.
    • в журнале Journal of Physics D - Applied Physics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 51, № 32, с. 325202 DOI
  • 
    • 2018 Micro-Raman Spectroscopy for Monitoring of Deposition Quality of High-k Stack Protective Layer onto Nanowire FET Chips for Highly Sensitive miRNA Detection
    • Malsagova Kristina, Pleshakova Tatyana, Kozlov Andrey, Shumov Ivan, Ilnitskii Mikhail, Miakonkikh Andrew, Popov Vladimir, Rudenko Konstantin, Glukhov Alexander, Kupriyanov Igor, Ivanova Nina, Rogozhin Alexander, Archakov Alexander, Ivanov Yuri
    • в журнале Biosensors, издательство MDPI (Basel, Switzerland), том 8, № 3, с. 72 DOI
  • 
    • 2018 Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition
    • Chesnokov Yu M., Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Rudenko K.V., Vasiliev A.L.
    • в журнале Journal of Materials Science, издательство Springer Nature (Switzerland), том 53, № 10, с. 7214-7223 DOI
  • • 2018 Зависимость стойкости негативного электронного резиста HSQ от дозы облучения в процессе плазмохимического и химического травления
    • Мяконьких А.В., Орликовский Н.А., Рогожин А.Е., Татаринцев А.А., Руденко К.В.
    • в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 47, № 3, с. 179-186 DOI
  • 
    • 2017 Cryogenic etching of porous low-k dielectrics in CF3Br and CF4 plasmas
    • Rezvanov Askar, Miakonkikh Andrey V., Vishnevskiy Alexey S., Rudenko Konstantin V., Baklanov Mikhail R.
    • в журнале Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, том 35, № 2, с. 021204 DOI
  • • 2017 Комплементарные исследования внутренних пористых слоев кремния, образованных при высокодозной имплантации ионов гелия
    • Ломов А.А., Мяконьких А.В., Чесноков Ю.Н., Шемухин А.А., Орешко А.П.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 62, № 2, с. 196-201 DOI
  • 
    • 2016 Silicon ohmic lateral-contact MEMS switch for RF applications
    • Rogozhin A., Miakonkikh A., Tatarintsev A., Lebedev K., Kalnov V., Rudenko K., Lukichev V.
    • в журнале Proc. SPIE, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016, том 10224, с. 1022419-1-1022419-7 DOI
  • • 2016 Исследования процесса аморфизации имплантированных низкоэнергетичными ионами гелия приповерхностных слоев кремния
    • Ломов А.А., Мяконьких А.В., Орешко А.П., Шемухин А.А.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 61, № 2, с. 195-202 DOI
  • 
    • 2014 X-ray reflectometry of the specific features of structural distortions of He+-implanted Si(001) surface layers
    • Lomov A.A., Myakonkikh A.V., Rudenko K.V., Chesnokov Yu M.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 59, № 3, с. 331-337 DOI

• Статьи в сборниках

  • • 2018 Технологии формирования затворного HkMG-стека с MIPS-структурой для МДП-транзистора с критическими размерами 32/28 нм
    • Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Татаринцев А.А., Руденко К.В., Гущин О.П.
    • в сборнике Труды ФТИАН, издательство Наука (М.), том 28, с. 42-59
  • • 2018 Электронная литография и анизотропное плазмохимическое травление кремниевых FIN-структур для FINFET и SiNW транзисторов с размерами 11-22 нм
    • Мяконьких А.В., Татаринцев А.А., Руденко К.В.
    • в сборнике Труды ФТИАН, издательство Наука (М.), том 28, с. 59-65
  • • 2017 Влияние термического отжига на структуру скрытых слоев кремния с гелиевыми порами-пузырями
    • Ломов А.А., Мяконьких А.В., Чесноков Ю.М., Киселев Д.А., Орешко А.П.
    • в сборнике XXVII международная конференция "Радиационная физика твердого тела", серия Радиационная физика твёрдого тела, место издания ФГБНУ «НИИ ПМТ», с. 78-88
  • • 2015 Исследование Si (001) подложек, подвергнутых плазменно-иммерсионно ионной имплантации He+ методом рентгеновской рефлектометрии
    • Ломов А.А., Мяконьких А.В., Орешко А.П., Шемухин А.А., Назаров А.В.
    • в сборнике Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики, место издания Великий Новгород, с. 135-138
  • • 2014 Carbon and fluorine co-implantation for boron diffusion suppression in extremely ultra shallow junctions
    • Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Rudakov V.I., Rudenko K.V., Lukichev V.F.
    • в сборнике -, том 9440 DOI
  • • 2014 Monte Carlo simulation of boron doping profile of fin and trench structures by plasma immersion ion implantation
    • Shahsenov I.S., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V.
    • в сборнике -, том 9440 DOI
  • • 2012 Instrumented wafer as a Langmuir multiprobe tool for lateral plasma homogeneity measurements in processing plasma reactors
    • Miakonkikh A., Lisovsky S., Rudenko M., Rudenko K.
    • в сборнике -, том 8700 DOI

• Доклады на конференциях

  • • 2019 Chlorine-Based Plasma Etch in GaAs Triple-Junction Solar Cells Technology (Стендовый)
    • Авторы: Lagov P.B., Maslovsky V.M., Miakonkikh A.V., Pavlov Yu S., Lebedev A.A.
    • 11th International Conference New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation (NEET 2019), Zakopane, Польша, 25-28 июня 2019
  • • 2018 E-beam lithography of dense 10 nm line/space pattern using the HSQ mask (Устный)
    • Авторы: Tatarintsev A.A., Shishlyannikov A., Rudenko K.V., Miakonkikh A.V.
    • International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), Звенигород, Московская область, Россия, 1-5 октября 2018
  • • 2017 Влияние термического отжига на структуру скрытых слоев кремния с гелиевыми порами-пузырями (Устный)
    • Авторы: Ломов А.А., Мяконьких А.В., Чесноков Ю.М., Киселев Д.А., Орешко А.П.
    • XXVII международная конференция "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, Россия, 10 июля - 15 августа 2017
  • • 2015 Полевой транзистор с каналом-нанопроводом как локальный сенсор с высоким пространственным разрешением (Устный)
    • Авторы: Крупенин В.А., Божьев И.В., Преснов Д.Е., Мяконьких А.В., Рудаков В.И.
    • Семнадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 23 ноября - 27 ноября 2015 г., Санкт-Петербург, Россия, 23-27 ноября 2015
  • • 2015 Исследование Si (001) подложек, подвергнутых плазменно-иммерсионно ионной имплантации He+ методом рентгеновской рефлектометрии (Устный)
    • Авторы: Ломов А.А., Мяконьких А.В., Назаров А.В., Шемухин А.А., Орешко А.П.
    • Седьмой международный научный семинар и Пятая международная научная школа-семинар "Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики", Великий Новгород, 24-29 августа 2015 г., Великий Новгород, судно «Господин Великий Новгород», Россия, 24-29 августа 2015
  • • 2015 Исследование состава тонких диэлектрических слоев с помощью ионно-пучковых технологий (Стендовый)
    • Авторы: Рогожин А.Е., Руденко К.В., Мяконьких А.В., Рудаков В.И., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черныш В.С.
    • XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 28-30 мая 2015
  • • 2014 Non-uniformly doped SOI based FETransistor with nanowire channel (Стендовый)
    • Авторы: Presnov D., Miakonkikh A., Krupenin V., Rudakov V., Trifonov A., Bozhjev I.
    • International conference «Micro- and Nanoelectronics - 2014» (ICMNE-2014), Moscow-Zvenigirod, Russia, Россия, 2014

• Тезисы докладов

  • • 2018 E-beam lithography of dense 10 nm line/space pattern using the HSQ mask
    • Tatarintsev A.A., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V., Shishlyannikov A.
    • в сборнике Proceedings of the Inernational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2018", место издания Maks press Moscow, тезисы, с. 48-48
  • • 2018 Fabrication and properties of SOI-based planar silicon nanowire arrays
    • Rogozhin A., Miakonkikh A., Tatarintsev A.A., Rudenko K.V.
    • в сборнике Proceedings of the Inernational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2018", место издания Maks press Moscow, тезисы, с. 196-196
  • • 2017 Deep Silicon etching in cryo process for TSV 3D integration
    • Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Tatarintsev A.A., Gushin O.P., Rudenko K.V., Lukichev V.F.
    • в сборнике Materials for advanced metallisation International workshop, Dresden, Germany, March 26-29, 2017, тезисы
  • • 2016 Etching/oxidation technology for sub-30nm Silicon nanowire array manifacturing
    • Miakonkikh A., Tatarintsev A.А., Rogozhin A., Rudenko K., Orlikovsky A.
    • в сборнике Book of abstract PESM 2016, May 9-10, Grenoble, France, тезисы, с. P08
  • • 2016 Silicon ohmic lateral-contact MEMS switch for RF applications
    • Rogozhin A., Miakonkikh A., Tatarintsev A., Lebedev K., Kalnov V., Rudenko K., Lukichev V.
    • в сборнике International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2016”, тезисы, с. 156
  • • 2016 Technology for fabrication of sub-20 nm silicon planar nanowires array
    • Miakonkikh A., Tatarintsev A., Rogozhin A., Rudenko K.
    • в сборнике International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2016”, тезисы, с. 136
  • • 2015 Полевой транзистор с каналом-нанопроводом как локальный сенсор с высоким пространственным разрешением
    • Божьев И.В., Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Мяконьких А.В., Рудаков В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, серия Физика полупроводников и наностурктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника, место издания Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург, тезисы, с. 108
  • • 2014 Impact of structural changes in e-beam negative resist hydrogen silsesquioxane (HSQ) to ecth-resistance at different doses of exposure
    • Ivanenko I.P., Kalnov V.A., Miakonkikh A.V., Orlikovsky N.A., Tatarintsev A.A.
    • в сборнике International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014". Book of abstracts, место издания Moscow-Zvenigorod, Russia, тезисы, с. O1-13
  • • 2014 Non-uniformly doped SOI based FETransistor with nanowire channel
    • Presnov D., Miakonkikh A., Bozhjev I., Rudakov V., Trifonov A., Krupenin V.
    • в сборнике Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014", ICMNE 2014, October 6-10, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts,, место издания Institute of Physics and Technology of the RAS,, тезисы, с. P1-33

• НИРы

  • • 1 мая 2016 - 31 декабря 2018 Создание источников и приемников терагерцового излучения на основе низкоразмерных пролетных диодов для контроля объектов
    • Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук
    • Руководитель: Руденко К.В. Участники НИР: Вьюрков В.В., Давыдов Ф.С., Мяконьких А.В., Орликовский Н.А., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Руденко М.К., Солянкин П.М.

---