ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Проект направлен на теоретическое и экспериментальное исследование свойств нестационарного электронного транспорта и особенностей релаксационных процессов в полупроводниковых наноструктурах (квантовых точках, примесных атомах, наноплателетах) с сильными межчастичными корреляциями при наличии взаимодействия с окружением.
The project deals with the solution of ambitious and urgent problem of modern electronics: a theoretical and experimental analysis of fundamental properties of non-stationary electronic transport and characteristics of transient processes in correlated semiconductor nanostructures (quantum dots, impurity atoms, nanoplatelets) in the presence of interaction with the reservoir and external field.
грант РФФИ |
# | Сроки | Название |
1 | 1 декабря 2019 г.-31 декабря 2019 г. | Нестационарные процессы в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием |
Результаты этапа: | ||
2 | 1 января 2020 г.-31 декабря 2020 г. | Нестационарные процессы в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием |
Результаты этапа: | ||
3 | 1 января 2021 г.-1 декабря 2021 г. | Нестационарные процессы в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием |
Результаты этапа: |
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".