|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Нестационарные процессы в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействиемНИР
Non-stationary processes in semiconductor nanostructures with strong interparticle interaction
- Руководитель НИР: Манцевич В.Н.
- Участники НИР: Голинская А.Д., Днепровский В.С., Козлова М.В., Лучкин В.Н., Маслова Н.С., Смирнов А.М.
- Подразделение: Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
- Срок исполнения: 1 декабря 2019 г. - 1 декабря 2021 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 20-32-70001\19
- Номер ЦИТИС: АААА-А19-119112290051-0
- Тип: Фундаментальная
- Приоритетное направление научных исследований: Индустрия наносистем и материалов
- Приоритеты и перспективы НТР Российской Федерации согласно Стратегии НТР РФ: переход к передовым цифровым, интеллектуальным технологиям
- ПН России: Индустрия наносистем
- Направление технологического прорыва России: Энергоэффективность и энергосбережение
- Критическая технология России: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
-
Рубрики ГРНТИ:
- 29.19.03 Теория конденсированного состояния
- 29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
- 29.19.31 Полупроводники
-
Ключевые слова:
лазерное возбуждение, наноплателеты, примесные атомы, нестационарный электронный транспорт, межчастичные корреляции, квантовые точки, релаксационные процессы
interparticle correlations, impurity atoms, nanoplatelets, laser excitation, non-stationary electron transport, relaxation processes, quantum dots -
Описание:
Проект направлен на теоретическое и экспериментальное исследование свойств нестационарного электронного транспорта и особенностей релаксационных процессов в полупроводниковых наноструктурах (квантовых точках, примесных атомах, наноплателетах) с сильными межчастичными корреляциями при наличии взаимодействия с окружением.
-
Abstract:
The project deals with the solution of ambitious and urgent problem of modern electronics: a theoretical and experimental analysis of fundamental properties of non-stationary electronic transport and characteristics of transient processes in correlated semiconductor nanostructures (quantum dots, impurity atoms, nanoplatelets) in the presence of interaction with the reservoir and external field.
- Добавил в систему: Манцевич Владимир Николаевич
Источник финансирования НИР
| грант РФФИ |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 1 декабря 2019 г.-31 декабря 2019 г. | Нестационарные процессы в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием |
| Результаты этапа: - | ||
| 2 | 1 января 2020 г.-31 декабря 2020 г. | Нестационарные процессы в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием |
| Результаты этапа: - | ||
| 3 | 1 января 2021 г.-1 декабря 2021 г. | Нестационарные процессы в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием |
| Результаты этапа: - | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".