ИСТИНА

Конечной целью проекта является разработка подходов к созданию прототипа полевого транзистора на основе квазидвумерных наночастиц CdSe с использованием растворной технологии, в том числе на гибких подложках. В качестве промежуточных этапов можно выделить оптимизацию методики синтеза гигантских 2D частиц CdSe, исследование электрофизических и оптических свойств наночастиц, разработку химического метода пришивки одной наночастицы к металлическим контактам и как результат создание прототипа полевого транзистора на основе одной наночастицы.

На данный момент кремниевые технологии уже достигли своего оптимизационного предела и являются наиболее дешевыми. Однако, одним из направлений дальнейшего прогресса является использование двумерных полупроводников, обладающих превосходящими кремний физическими свойствами. В моей работе делается ставка на улучшение технических характеристик полевого транзистора, нежели на уменьшение его стоимости по сравнению с кремниевым. Также рассматривается перевод разрабатываемой технологии в область гибкой электроники, что в принципе невозможно реализовать на кремнии. Предполагается, что увеличение подвижности будет достигаться за счет предельно малой, близкой к 3-5 монослоям, толщины наночастиц, а также отсутствия рассеяния на границах наночастиц. В настоящий момент наночастицы толщиной 1,5 нм и латеральными размерами более 500 нм практически нигде не изучаются ввиду своей новизны, а существующие методики требуют перевода на препаративный уровень. Если сравнивать мой проект с работами ведущих зарубежных научных групп, то можно увидеть, что в литературе в основном описываются наночастицы CdSe с размерами порядка 20 нм, что больше чем на порядок отличается от получаемых мной частиц с размерами ~ 500 нм. А в перспективе перевода методики синтеза на получение частиц с размерами 1-2 мкм разрыв составит 2 порядка.

В ходе проекта планируется создать прототип полевого транзистора на основе одной гигантской наночастицы CdSe, покрывающей своими размерами межконтактное расстояние микронного размера. При этом частица будет пришита к металлическим контактам методом химической пришивки.