ИСТИНА

В последние десятилетия в мире ведется интенсивный поиск новых современных материа-лов для электронных и полупроводниковых приборов. Одним из самых интересных материалов для этих применений является алмаз, который обладает целым рядом уникальных свойств, таких как: широкая запрещенная зона(5,45эВ), предельно высокое поле пробоя, высокая подвижность зарядов и их малое время жизни, рекордная теплопроводность 20Вт/(см*К), высокая температурная и радиационная стойкость, очень высокая химическая инертность, чрезвычайно широкое окно оптического пропускания (220нм-100мкм), низкое поглощение в рентгеновском и радиодиапазоне и т.д. Это разнообразие свойств стимулировало исследования и попытки применения алмаза в разных областях, включая электронику, оптику и лазеры, квантовые компьютеры и обработку информации, биологию, технику высоких давлений, теплоотводы, трибологию, электрохимию и защиту от коррозии, термополевую эмиссию, электроакустику, микроэлектромеханические устройства, радиационные и химические датчики. А в последние годы кардинально вырос интерес и к применению CVD алмаза в ювелирной промышленности. Одним из основных сдерживающими факторами, затрудняющим широкое применение этого уникального материала является высокая себестоимость получаемых пластин. Себестоимость выращиваемой пластины монокристаллического алмаза методом CVD определяется во основном двумя факторами: величиной зоны равномерного роста и скоростью роста. Для ее кардинального уменьшения необходимо добиться одновременного увеличения обоих факторов, так как себестоимость зависит фактически от их произведения. Решением этой задачи уже несколько десятилетий занимается большое количество исследователей и производителей MW CVD установок. К настоящему времени, достигнут серьезный прогресс, но классический подход, используемый в доступных на рынке, в настоящий момент установках, себя исчерпал. Для дальнейшего уменьшения себестоимости получаемых пленок необходимы новые, нестандартные решения. На основании результатов исследований, проведённых нами на протяжении последних 15 лет, а также опираясь на мировой опыт попыток масштабирования и усовершенствования подобных установок, мы разрабатываем базовую конструкцию установки, которая позволит получить высокую скорость осаждения алмазной пленки на большой площади при относительно малых энергозатратах.